本实用新型专利技术公开了一种晶体生长坩埚用泄压装置，属于晶体生长技术领域，包括生长容器、端盖和泄压装置本体，所述端盖的顶部通过覆盖泄压装置本体的输气管固定连接有处理箱，所述处理箱的底部内壁固定连接有硫酸钙网板，位于所述硫酸钙网板一侧的处理箱的底部内壁固定连接有木炭网板，所述处理箱的一侧外壁外放置有降污机构。本实用新型专利技术工作时，当泄压装置本体工作，生长容器中会有大量气体喷出，喷出的氨气经输气管排放至处理箱内，经过处理箱中的硫酸钙网板和木炭网板过滤，可使得气体中的氨气被去除，配合降污机构可对氨气做进一步处理，因此，可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效。身体的效。身体的效。
【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长坩埚用泄压装置
[0001]本技术属于晶体生长
，尤其涉及一种晶体生长坩埚用泄压装置。
技术介绍
[0002]晶体的培养是在高压釜内进行的。高压釜由耐高温高压和耐酸碱的特种钢材制成。上部为结晶区，悬挂有籽晶；下部为溶解区，放置培养晶体的原料，釜内填装溶剂介质。由于结晶区与溶解区之间有温度差(如培养水晶，结晶区为330
‑
350℃，溶解区为360
‑
380℃)而产生对流，将高温的饱和溶液带至低温的结晶区形成过饱和析出溶质使籽晶生长。温度降低并已析出了部分溶质的溶液又流向下部，溶解培养料，如此循环往复，使籽晶得以连续不断地长大，经常需要用到一种晶体生长坩埚。
[0003]目前，公告号为CN111304732A的中国专利公开了一种晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法。装置包括生长容器、端盖、密封件和泄放装置，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通。
[0004]但是，上述装置在使用时，通过端盖上的泄压装置之间对生长容器进行泄压，生长容器中的液氨会随之排放，污染工作区域环境。
技术实现思路
[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种晶体生长坩埚用泄压装置。其优点在于：可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效果。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0007]一种晶体生长坩埚用泄压装置，包括生长容器、端盖和泄压装置本体，所述端盖的顶部通过覆盖泄压装置本体的输气管固定连接有处理箱，所述处理箱的底部内壁固定连接有硫酸钙网板，位于所述硫酸钙网板一侧的处理箱的底部内壁固定连接有木炭网板，所述处理箱的一侧外壁外放置有降污机构。
[0008]通过以上技术方案：工作时，当泄压装置本体工作，生长容器中会有大量气体喷出，喷出的氨气经输气管排放至处理箱内，经过处理箱中的硫酸钙网板和木炭网板过滤，可使得气体中的氨气被去除，配合降污机构可对氨气做进一步处理，因此，可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效果。
[0009]本技术进一步设置为，所述降污机构包括降污箱，所述降污箱的一侧内壁和处理箱的一侧内壁之间通过输气管固定连接，所述降污箱内壁填充有过氧化氢。
[0010]通过以上技术方案：降污箱的设置，可使得氨气被过氧化氢处理，使得氨气被处理充分。
[0011]本技术进一步设置为，所述降污箱的顶部内壁通过输气管固定连接有排放箱，所述排放箱内设置有干燥网板，所述排放箱的一侧外壁开设有排放口。
[0012]通过以上技术方案：干燥网板的设置，可对经过氧化氢处理的气体进行干燥，可避免过氧化器经排放口排放至空气中。
[0013]本技术进一步设置为，所述排放箱的一端外壁开设有安装口，所述排放箱的一端外壁铰接有覆盖于安装口的安装门，所述安装口的一端内壁开设有与干燥网板形成滑动配合的安装槽。
[0014]通过以上技术方案：安装门的设置，可便于工作人员对干燥网板进行更换或者清理，即打开安装门，将干燥网板经安装槽和安装口中取出即可。
[0015]本技术进一步设置为，所述干燥网板呈双层空腔结构。
[0016]通过以上技术方案：呈双层空腔结构的设计，可增加干燥网板和气体之间的接触面积，可使得更多的水汽被吸收。
[0017]本技术进一步设置为，所述干燥网板的内壁固定连接有若干均匀分布的电热丝，所述排放箱的一侧内壁底部固定连接有控制器，且控制器与电热丝之间通过电线连接。
[0018]通过以上技术方案：电热丝的设置，可使得控制器控制电热丝开关，可对干燥网板中的水汽进行烘干。
[0019]本技术进一步设置为，所述电热丝呈S形结构。
[0020]通过以上技术方案：呈S形结构设计，可增加电热丝和水汽之间的接触面积，可使得干燥网板被快速烘干。
[0021]本技术进一步设置为，所述排放口的底部内壁固定连接有湿度传感器，且湿度传感器与控制器之间通过电线连接。
[0022]通过以上技术方案：湿度传感器的设置，可对经过排放口的气体的湿度进行检测，将湿度较高时，传输信号至控制器，控制器可启动电热丝，以对干燥网板进行加热烘干。
[0023]本技术的有益效果为：
[0024]1、该晶体生长坩埚用泄压装置，工作时，当泄压装置本体工作，生长容器中会有大量气体喷出，喷出的氨气经输气管排放至处理箱内，经过处理箱中的硫酸钙网板和木炭网板过滤，可使得气体中的氨气被去除，配合降污机构可对氨气做进一步处理，因此，可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效果。
[0025]2、该晶体生长坩埚用泄压装置，通过安装门能够便于工作人员对干燥网板进行更换或者清理，即打开安装门，将干燥网板经安装槽和安装口中取出即可。
[0026]3、该晶体生长坩埚用泄压装置，通过湿度传感器能够对经过排放口的气体的湿度进行检测，将湿度较高时，传输信号至控制器，控制器可启动电热丝，以对干燥网板进行加热烘干。
附图说明
[0027]图1为本技术提出的一种晶体生长坩埚用泄压装置的立体结构示意图；
[0028]图2为本技术提出的一种晶体生长坩埚用泄压装置的局部剖视结构示意图；
[0029]图3为图2中A处的放大结构示意图。
[0030]图中：1、生长容器；2、端盖；3、泄压装置本体；4、处理箱；5、硫酸钙网板；6、木炭网板；7、降污箱；8、排放箱；9、干燥网板；10、排放口；11、安装门；12、安装口；13、电热丝；14、控制器；15、湿度传感器；16、安装槽。
具体实施方式
[0031]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0032]下面详细描述本专利的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利，而不能理解为对本专利的限制。
[0033]在本专利的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。
[0034]在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长坩埚用泄压装置，包括生长容器(1)、端盖(2)和泄压装置本体(3)，其特征在于，所述端盖(2)的顶部通过覆盖泄压装置本体(3)的输气管固定连接有处理箱(4)，所述处理箱(4)的底部内壁固定连接有硫酸钙网板(5)，位于所述硫酸钙网板(5)一侧的处理箱(4)的底部内壁固定连接有木炭网板(6)，所述处理箱(4)的一侧外壁外放置有降污机构。2.根据权利要求1所述的一种晶体生长坩埚用泄压装置，其特征在于，所述降污机构包括降污箱(7)，所述降污箱(7)的一侧内壁和处理箱(4)的一侧内壁之间通过输气管固定连接，所述降污箱(7)内壁填充有过氧化氢。3.根据权利要求2所述的一种晶体生长坩埚用泄压装置，其特征在于，所述降污箱(7)的顶部内壁通过输气管固定连接有排放箱(8)，所述排放箱(8)内设置有干燥网板(9)，所述排放箱(8)的一侧外壁开设有排放口(10)。4.根据权利要求3所述的一种晶体生长坩埚用泄压装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李中波，唐华纯，张亮，
申请(专利权)人：上海御光新材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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