本公开实施例中提供了一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器，所述滤波器包含串联级谐振器和并联级谐振器，其中所述串联级谐振器中的至少一级串联级谐振器包含串联组合谐振器，所述串联组合谐振器中的两个或更多个谐振器串联连接；所述并联级谐振器中的至少一级并联级谐振器包含并联组合谐振器，所述并联组合谐振器中的两个或更多个谐振器并联连接。通过本公开的处理方案，提高了滤波器的非线性特性。线性特性。线性特性。
【技术实现步骤摘要】
一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器
[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器。
技术介绍
[0002]滤波器作为一种在通信系统中常用的器件为非线性器件，其在施加一定功率的信号时，会产生非线性信号成分，所产生的非线性信号成分对其他频段的信号会产生严重的干扰，恶化信号传输质量，因此改善滤波器的非线性特性对于改善通信系统的性能是非常必要的。
[0003]现有技术通过将滤波器中谐振器的电极进行反极性连接，可以对非线性特性有一定的改善，但是这种方法一方面会增大芯片的面积，大大增加成本；另一方面，采用这种方法的改善效果和版图的排布相关性较大，实际的改善效果有限。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器，至少部分解决现有技术中存在的问题。
[0005]第一方面，提供了一种滤波器，所述滤波器包含串联级谐振器和并联级谐振器，其中
[0006]所述串联级谐振器中的至少一级串联级谐振器包含串联组合谐振器，所述串联组合谐振器中的两个或更多个谐振器串联连接；
[0007]所述并联级谐振器中的至少一级并联级谐振器包含并联组合谐振器，所述并联组合谐振器中的两个或更多个谐振器并联连接。
[0008]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联组合谐振器比所述并联组合谐振器更靠近所述滤波器的输出端；或者
[0009]所述并联组合谐振器比所述串联组合谐振器更靠近所述滤波器的输出端。
[0010]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联组合谐振器中的两个或更多个谐振器经由同电极层的电极串联连接。
[0011]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述并联组合谐振器中的两个或更多个谐振器以极性相反的方式并联连接。
[0012]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联级谐振器中的至少两级串联级谐振器包含串联组合谐振器，并且所述并联组合谐振器设置于所述至少两级串联级谐振器之间。
[0013]根据本公开实施例的一种具体实现方式，单个串联组合谐振器和单个并联组合谐振器中所包含的两个或更多个谐振器的对应边的边长比的值的范围为0.95～1.05。
[0014]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述边长比的值部分相同或者所述边长比的值全部相同。
[0015]根据本公开实施例的一种具体实现方式，单个串联组合谐振器和单个并联组合谐振器中所包含的两个或更多个谐振器中至少一个谐振器的物理参数与其他谐振器的物理参数不同，并且所述物理参数包括层叠结构、频率、面积、机电耦合系数。
[0016]根据本公开实施例的一种具体实现方式，包含串联组合谐振器的所述至少两级串联级谐振器中更靠近输出端的串联级谐振器的至少一个谐振器并联有容性结构。
[0017]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述容性结构包括平板电容结构和插指电容结构。
[0018]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述容性结构的电容值范围在1fF～100fF之间。
[0019]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述并联组合谐振器连接有对地电感，所述对地电感的电感值大于等于0.5nH。
[0020]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述对地电感的至少一部分设置于封装基板，并且所述对地电感的宽度大于等于25μm，且总长度大于等于500μm。
[0021]根据本公开实施例的一种具体实现方式，设置于所述封装基板的电感分布在所述封装基板的不同的层。
[0022]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述对地电感的至少一部分通过键合线来实现，并且所述键合线的直径大于等于15μm，且总长度大于等于300μm。
[0023]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述对地电感的品质因数Q值大于等于20。
[0024]第二方面，提供了一种双工器，包括：
[0025]发射滤波器，其输出节点耦接到天线端；
[0026]接收滤波器，其输入节点耦接到天线端；
[0027]其中，所述发射滤波器和/或所述接收滤波器包括根据本公开第一方面或其任一实现方式所述的滤波器。
[0028]根据本公开实施例的一种具体实现方式，在所述双工器的发射滤波器的输出端，包括至少两级串联级谐振器和至少一级并联级谐振器，其中所述至少两级串联级谐振器包含串联组合谐振器，所述串联组合谐振器串联连接，所述至少一级并联级谐振器包含并联组合谐振器，所述并联组合谐振器并联连接；并且
[0029]在所述双工器的接收滤波器的输入端，包括至少一级串联级谐振器和至少一级并联级谐振器，其中所述至少一级串联级谐振器包含串联组合谐振器，所述串联组合谐振器串联连接，所述至少一级并联级谐振器包含并联组合谐振器，所述并联组合谐振器并联连接。
[0030]根据本公开实施例的一种具体实现方式，靠近所述双工器的发射滤波器的输出端的为串联级谐振器，并且靠近所述双工器的接收滤波器的输入端的为串联级谐振器。
[0031]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述双工器的发射滤波器中靠近输出端的并联级谐振器单独连接接地电感；和/或
[0032]所述双工器的接收滤波器中靠近输出端的并联级谐振器单独连接接地电感，或者
[0033]所述双工器的接收滤波器中靠近输出端的并联级谐振器与其他并联级谐振器连接之后再经由公共接地电感接地。
[0034]第三方面，提供了一种多工器，包括根据本公开第一方面或其任一实现方式所述的滤波器，或者包括根据本公开第二方面或其任一实现方式所述的的双工器。
[0035]第四方面，提供了一种通信设备，包括根据本公开第一方面或其任一实现方式所述的滤波器，或者包括根据本公开第二方面或其任一实现方式所述的的双工器，或者包括包括根据本公开第三方面的多工器。
[0036]本公开实施例中的滤波器包含串联级谐振器和并联级谐振器，其中所述串联级谐振器中的至少一级串联级谐振器包含串联组合谐振器，所述串联组合谐振器中的两个或更多个谐振器串联连接；所述并联级谐振器中的至少一级并联级谐振器包含并联组合谐振器，所述并联组合谐振器中的两个或更多个谐振器并联连接。通过本公开的处理方案，提高了滤波器的非线性特性。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0038]图1a为本公开实施例提供的一种滤波器拓扑结构图；
[0039]图1b为本公开实施例提供的另一种滤波器拓扑结构图；
[0040]图1c为本公开实施例提供的又一种滤波器拓扑结构图；
[0041]图2为本公开实施例提供的双工器或多工器的拓扑结构图；
[0042]图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包含串联级谐振器和并联级谐振器，其中所述串联级谐振器中的至少一级串联级谐振器包含串联组合谐振器，所述串联组合谐振器中的两个或更多个谐振器串联连接；所述并联级谐振器中的至少一级并联级谐振器包含并联组合谐振器，所述并联组合谐振器中的两个或更多个谐振器并联连接。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述串联组合谐振器比所述并联组合谐振器更靠近所述滤波器的输出端；或者所述并联组合谐振器比所述串联组合谐振器更靠近所述滤波器的输出端。3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述串联组合谐振器中的两个或更多个谐振器经由同电极层的电极串联连接。4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述并联组合谐振器中的两个或更多个谐振器以极性相反的方式并联连接。5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述串联级谐振器中的至少两级串联级谐振器包含串联组合谐振器，并且所述并联组合谐振器设置于所述至少两级串联级谐振器之间。6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，单个串联组合谐振器和单个并联组合谐振器中所包含的两个或更多个谐振器的对应边的边长比的值的范围为0.95～1.05。7.根据权利要求6所述的滤波器，其特征在于，所述边长比的值部分相同或者所述边长比的值全部相同。8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，单个串联组合谐振器和单个并联组合谐振器中所包含的两个或更多个谐振器中至少一个谐振器的物理参数与其他谐振器的物理参数不同，并且所述物理参数包括层叠结构、频率、面积、机电耦合系数。9.根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于，包含串联组合谐振器的所述至少两级串联级谐振器中更靠近输出端的串联级谐振器的至少一个谐振器并联有容性结构。10.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述容性结构包括平板电容结构和插指电容结构。11.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述容性结构的电容值范围在1fF～100fF之间。12.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述并联组合谐振器连接有对地电感，所述对地电感的电感值大于等于0.5nH。13.根据权利要求12所述的滤波器，其特征在于，所述对地电感的至少一部分设置于封装基板，并且所述对地电感的宽度大于等于25μm，且总长度大于等于500μm。14.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：万晨庚，
申请(专利权)人：北京芯溪半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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