压电薄膜体声波谐振器制造技术

本申请提供了一种压电薄膜体声波谐振器，包括：衬底、位于衬底的一侧的底电极、覆盖于底电极远离衬底的一侧的压电层、位于压电层远离底电极的一侧的顶电极、位于顶电极远离压电层的一侧的刻蚀插入层、位于刻蚀插入层远离顶电极的一侧的凸起框架；刻蚀插入层和凸起框架中至少一者设置有延伸部，延伸部位于有效源区的边缘处，且沿垂直于压电薄膜体声波谐振器的厚度方向，延伸部朝向远离有效源区的方向延伸。通过设置延伸部，本申请的压电薄膜体声波谐振器的品质因数的第一极值点、第二极值点和第三极值点相较于现有技术均有明显增大。极值点相较于现有技术均有明显增大。极值点相较于现有技术均有明显增大。

【技术实现步骤摘要】
压电薄膜体声波谐振器


[0001]本申请涉及谐振器
，尤其涉及一种压电薄膜体声波谐振器。

技术介绍

[0002]压电薄膜体声波谐振器是一种使用硅衬底、借助微机电系统以及薄膜技术制造而成的谐振器，在无线收发器中能够实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。
[0003]现有的压电薄膜体声波谐振器包括沿自身厚度方向层叠设置的衬底、底电极、压电层、顶电极、刻蚀插入层、环状凸起框架，底电极、压电层、顶电极、刻蚀插入层的交叠区域构成压电薄膜体声波谐振器的有效源区，沿压电薄膜体声波谐振器的厚度方向，凸起框架的投影轮廓位于有效源区的边缘位置，凸起框架用于将部分横向传播的瑞利
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兰姆波(RL波)反射回有效源区内。
[0004]RL波主要有S0、A0、S1和A1四种模式且每种模式的波长均不同，当凸起框架的宽度等于某一模式下的RL波的波长1/4的奇数倍时，凸起框架的反射效率最高，由于生产加工后凸起框架的宽度不可调，使得凸起框架只能对单一模式下的RL波进行反射，当RL波处于其他模式时，有效源区的边缘位置泄露的能量大，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜体声波谐振器包括：衬底；沿所述压电薄膜体声波谐振器的厚度方向，位于所述衬底的一侧的底电极、覆盖于所述底电极远离所述衬底的一侧的压电层、位于所述压电层远离所述底电极的一侧的顶电极、位于所述顶电极远离所述压电层的一侧的刻蚀插入层、位于所述刻蚀插入层远离所述顶电极的一侧的凸起框架；所述底电极、所述压电层、所述顶电极、所述刻蚀插入层的层叠区域构成所述压电薄膜体声波谐振器的有效源区；所述刻蚀插入层和所述凸起框架中至少一者设置有延伸部，所述延伸部位于所述有效源区的边缘处，且沿垂直于所述压电薄膜体声波谐振器的厚度方向，所述延伸部朝向远离所述有效源区的方向延伸。2.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，沿压电薄膜体声波谐振器的厚度方向，所述延伸部的投影轮廓位于所述底电极的投影轮廓内。3.根据权利要求2所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，沿垂直于所述压电薄膜体声波谐振器的厚度方向，所述延伸部的延伸长度L满足：L≥0.5μm。4.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述刻蚀插入层和所述凸起框架均设置有所述延伸部，所述刻蚀插入层上的所述延伸部为第一延伸部，所述凸起框架上的所述延伸部为第二延伸部；沿所述延伸部的延伸方向，所述第一延伸部的延伸长度与所述第二延伸部的延伸长度相同或不同。5.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底设有空腔，沿所述压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张章，杨帅，吴珂，庄智强，张丽蓉，王超，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：