多晶硅破碎块及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种不仅表面的铜浓度低，铁和锌这两者表面浓度也低的多晶硅破碎块。本发明专利技术的多晶硅破碎块的特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，该表面金属浓度中，铜浓度为0.30pptw以下，进一步，该表面金属浓度中，铁和锌的合计浓度为2.00pptw以下，优选的是，铁浓度为1.25pptw以下，锌浓度为0.75pptw以下。0.75pptw以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶硅破碎块及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种多晶硅破碎块，详细而言涉及一种将多晶硅棒破碎而得到的、表面洁净的多晶硅破碎块。此外，本专利技术涉及一种多晶硅破碎块的制造方法。

技术介绍

[0002]高密度集成电子电路需要高纯度的单晶硅晶片。通常，单晶硅晶片是通过从利用CZ法(柴可拉斯基法)制造出的单晶硅棒切出而得到。作为用于制造该CZ法单晶硅棒的原料，使用也称为多结晶硅(poly silicon)的多晶硅。
[0003]作为这样的多晶硅的制造方法，已知西门子法。就西门子法而言，通过通电将配置于钟罩(bell
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jar)型的反应容器内部的硅芯线加热至硅的析出温度，向其中供给三氯硅烷(SiHCl3)、单硅烷(SiH4)等硅烷化合物的气体和氢，通过化学气相析出法使多晶硅在硅芯线上析出，得到高纯度的多晶硅棒。
[0004]所得到的多晶硅棒被破碎、分选为适合于下一工序中使用的装置或下一工序中的制造对象物的制造的大小，向下一工序输送。此时，多晶硅破碎块的表面无法避免被金属杂质污染。而且，金属杂质即使为少量，也会在用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，该表面金属浓度中，铜浓度为0.30pptw以下，进一步，该表面金属浓度中，铁和锌的合计浓度为2.00pptw以下。2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎块，其中，表面金属浓度中铁浓度为1.25pptw以下。3.根据权利要求1或2所述的多晶硅破碎块，其中，表面金属浓度中锌浓度为0.75pptw以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的多晶硅破碎块，其中，进一步，表面金属浓度中镍浓度为0.30pptw以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的多晶硅破碎块，其中，所述表面金属浓度为Na、Mg、Al、K、Ca、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、W、Ti以及Mo的合计浓度。6.一种权利要求1所述的多晶硅破碎块的制造方法，其包括：(a)多晶硅棒的破碎工序；(b)第一清洗工序，使所得到的多晶硅棒的破碎块与包含过氧化氢和氢氟酸且氢氟酸以外的酸的含量为3质量％以下的第一清洗用水溶液接触；以及(c)第二清洗工序，使经过第一清洗工序的多晶硅破...

【专利技术属性】
技术研发人员：崎田学，小柳信一郎，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：