提供一种用于等离子体弧粉体制备设备的筒体，筒体包括固定在一起且围成内腔的多个瓣体和多个绝缘体，多个瓣体和多个绝缘体沿筒体的周向交替布置以使相邻两个瓣体之间存在有一个绝缘体，每个瓣体的内部用于通入循环的冷却介质，每个绝缘体的内部用于通入循环的冷却流体。相邻两个瓣体之间存在的绝缘体使得相邻瓣体之间实现电绝缘，避免等离子体弧的漂移电弧的电流沿周向流经相邻的瓣体的内部而击穿各瓣体，免除了采用一体单件形式的筒体存在等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧接触筒体进而在筒体内部流动流动击穿筒体的风险，提高了筒体的工作寿命和工作稳定性。筒体的工作寿命和工作稳定性。筒体的工作寿命和工作稳定性。
【技术实现步骤摘要】
用于等离子体弧粉体制备设备的筒体
[0001]本公开涉及粉体制备领域，更具体地涉及一种用于等离子体弧粉体制备设备的筒体。
技术介绍
[0002]由于现代科学技术的不断进步发展，人们对3D打印技术的普及、半导体元器件的大量应用、红外光学镜片等的需求日益增大、新能源电池及储能装备的需求量越来越多，各行各业对粉体材料的纯度和粒度的要求越来越高和越来越细(例如纳米材料的应用)且需量也越来越大，因此，对用于制备纯度越来越高且越来越细的粉体材料的设备的技术要求也越来越先进，产能的需求也越来越大。
[0003]于2020年8月7日公布的中国专利技术专利申请公布号CN111495298A公开了一种等离子体弧磁力旋转气化制粉炉，其中第一电极和第二石墨电极的端头在上下方向上相对、金属原料从第一电极和第二石墨电极的横向侧方靠上的投料口加入倒圆台形或者圆柱形的一体单件的不锈钢坩埚，第一电极设置在坩埚的底壁并与已加入到不锈钢坩埚内的金属原料的接触，第二石墨电极从上方插入坩埚，第二石墨电极与已加入到不锈钢坩埚内的金属原料之间形成等离子体电弧来烧熔并气化金属原料，气化的金属原料通过收尘罩的抽风来被氧化冷却形成纳米级氧化粉体。于2016年1月13日公布的中国专利技术专利申请CN105234424A公开了一种电弧炉气化生产纳米银粉的工艺，其中，将电解银粉装入蒸发气化系统炉中，在该系统以石墨碳棒为阴极，电解银粉为阳极，将阴极与阳极短暂的接触，接通电源，使其发生短路，再将阴极与阳极分开一定的距离，使阴阳极中间产生高温电弧，将金属在不断融化并蒸发气化，汽化后的银粉粒子随后进入粒子控制系统，银金属原子在此急剧冷却成纳米粒子。
[0004]两篇专利温文献采用类似的技术路线，即金属原料/电解银粉(统称为金属料)作为电弧的另一极，这使得石墨电极与金属料之间的间距调整不方便。此外，CN111495298A的金属原料的添加基于金属原料在坩埚中的液面来添加，实现连续不断地加料，使得制粉的产能受限。还有，基于对等离子体电弧/高温电弧对坩埚/蒸发气化系统炉内的金属料的熔化、蒸发，由于金属料在坩埚/蒸发气化系统炉内处于堆积状态，使得金属料的熔化、蒸发的量受到限制，进而使得粉体的制备效率受限。另外，CN111495298A采用的是一体单件的不锈钢坩埚，采用一体单件形式的不锈钢坩埚存在等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧接触不锈钢坩埚、进而导致不锈钢坩埚被烧蚀、甚至等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧在坩埚内部流动而击穿坩埚的风险。另外，两篇专利温文献采用类似的技术路线中产生的等离子体弧并未径向受到约束，也就是说两篇专利文献均存在等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧接触蒸发气化系统炉/坩埚的内壁导致蒸发气化系统炉/坩埚的内壁被烧蚀的风险，进而蒸发气化系统炉/坩埚的内壁因烧蚀产生由蒸发气化系统炉/坩埚的内壁的材料所带来的对所制备的粉体的污染，影响所制备的粉体的纯度。
技术实现思路
[0005]鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供一种用于等离子体弧粉体制备设备的筒体，其能免除采用一体单件形式的筒体存在等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧接触筒体、进而在筒体内流动内部流动击穿筒体的风险。
[0006]由此，提供一种用于等离子体弧粉体制备设备的筒体，筒体包括固定在一起且围成内腔的多个瓣体和多个绝缘体，多个瓣体和多个绝缘体沿筒体的周向交替布置以使相邻两个瓣体之间存在有一个绝缘体，每个瓣体的内部用于通入循环的冷却介质，每个绝缘体的内部用于通入循环的冷却流体。
[0007]本公开的有益效果如下：与
技术介绍
的采用倒圆台形或者圆柱形的一体单件的不锈钢坩埚相比，在本公开的用于等离子体弧粉体制备设备的筒体中，通过固定在一起且围成内腔的内部通入循环的冷却介质的多个瓣体和内部通入循环的冷却流体的多个绝缘体的筒体，使得筒体能够耐筒体内的等离子体弧的高温，相邻两个瓣体之间存在的绝缘体使得相邻瓣体之间实现电绝缘，避免等离子体弧的漂移电弧的电流沿周向流经相邻的瓣体的内部而击穿各瓣体，免除了采用一体单件形式的筒体存在等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧接触筒体进而在筒体内部流动流动击穿筒体的风险，提高了筒体的工作寿命和工作稳定性。
附图说明
[0008]图1是根据本公开的等离子体弧粉体制备设备的立体图。
[0009]图2是图1的部分构件的立体图。
[0010]图3是图2的剖视图。
[0011]图4是图3的上部虚线圆圈标示的局部放大图。
[0012]图5是图3的中部虚线圆圈标示的局部放大图。
[0013]图6是图3的部分放大图。
[0014]图7是图6中的卸料机构的输料管和喷气咀的剖视图。
[0015]图8是图6的部分构件的俯视立体图。
[0016]图9是图8的部分构件的立体图。
[0017]图10是图9的部分构件的立体图。
[0018]图11是图9中的筒体的立体图。
[0019]图12是图9的筒体的其中一个瓣体的立体图。
[0020]图13是图9的筒体的其中一个绝缘体的立体图。
[0021]图14是反应器的顶盖的俯视立体图。
[0022]图15是反应器的顶盖的仰视立体图。
[0023]图16是反应器的上耐热绝缘垫的俯视立体图。
[0024]图17是反应器的上耐热绝缘垫的仰视立体图。
[0025]图18是反应器的下耐热绝缘垫的仰视立体图。
[0026]图19是反应器的下耐热绝缘垫的俯视立体图。
[0027]图20是沉淀室的连接法兰的俯视立体图。
[0028]图21是磁控器的俯视立体图。
[0029]图22是图21的俯视图，同时示出正电极、负电极以及等离子体弧。
[0030]其中，附图标记说明如下：
[0031]100等离子体弧粉体制备设备
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25B下螺母
[0032]D上下方向
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26环筒
[0033]1卸料机构
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27转接管
[0034]10输料管
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28下耐热绝缘垫
[0035]101倒锥筒部
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281下环体
[0036]102直圆筒部
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281a顶平表面
[0037]11喷气咀
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281b下环形槽道
[0038]111弯管部
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281b1连通口
[0039]112尖嘴部
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281c底平表面
[0040]12电机
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体弧粉体制备设备的筒体，其特征在于，筒体(21)包括固定在一起且围成内腔(210)的多个瓣体(211)和多个绝缘体(212)，多个瓣体(211)和多个绝缘体(212)沿筒体(21)的周向交替布置以使相邻两个瓣体(211)之间存在有一个绝缘体(212)，每个瓣体(211)的内部用于通入循环的冷却介质，每个绝缘体(212)的内部用于通入循环的冷却流体。2.根据权利要求1所述的筒体，其特征在于，多个瓣体(211)的顶面共面，各绝缘体(212)的顶面低于相邻两个瓣体(211)的顶面，以使相邻两个瓣体(211)的顶面与相邻两个瓣体(211)之间的绝缘体(212)的顶面之间形成收容凹槽(S)。3.根据权利要求2所述的筒体，其特征在于，各瓣体(211)具有一个上平躺块(211a)，上平躺块(211a)的顶面为水平面，多个瓣体(211)的上平躺块(211a)的顶面共面；各绝缘体(212)的顶面低于相邻两个瓣体(211)的上平躺块(211a)的顶面，以使相邻两个瓣体(211)的上平躺块(211a)的顶面与相邻两个瓣体(211)之间的绝缘体(212)的顶面之间形成所述收容凹槽(S)。4.根据权利要求1所述的筒体，其特征在于，各瓣体(211)具有分别位于顶部和底部的两上竖立块(211b)以及两个下竖立块(211c)，各上竖立块(211b)具有沿周向贯通的上通孔(211b1)，各下竖立块(211c)具有沿周向贯通的下通孔(211c1)。5.根据权利要求1所述的筒体，其特征在于，各瓣体(211)具有位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李春生，陈应红，黄猛，肖发全，陈火明，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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