一种自动清洗的MPCVD设备以及该设备的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种自动清洗的MPCVD设备以及该设备的清洗方法，该设备包括带有透波窗口(5)的腔体(1)、位于所述腔体(1)内的基片台(2)、位于所述腔体(1)上方的微波源(3)以及均匀缠绕所述腔体(1)的导电线圈(4)，所述导电线圈(4)连接电源，以在所述腔体(1)内形成与所述腔体(1)同轴的磁场，所述电源为电流可调电源。本发明专利技术通过引入外部磁场，改变MPCVD腔体内部的等离子体的分布，将等离子体引导至腔体内壁的边缘处，进而快速有效的清除MPCVD腔体内部的杂质。的杂质。的杂质。

【技术实现步骤摘要】
一种自动清洗的MPCVD设备以及该设备的清洗方法


[0001]本专利技术涉及MPCVD设备，具体地，涉及一种自动清洗的MPCVD设备以及该设备的清洗方法。

技术介绍

[0002]高质量金刚石禁带宽度高、光透谱宽，具有超高的硬度和热导率，优异的绝缘性，以及能耐酸、耐热、耐辐射等优异的物理化学性能，而且金刚石器件较硅基器件更适合高温下工作而无需外加冷却系统，还不易被损坏。因此，金刚石在精密加工、培育宝石、光学窗口、热沉、半导体器件等领域具有广泛的应用。但天然金刚石储量有限，于是人们开发出多种合成金刚石方法，如高温高压法(HPHT)、热丝化学气相沉积法(HFCVD)、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc Plasma Jet CVD)法、微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)等。其中MPCVD法合成金刚石法由于没有杂质的引入，可以合成出高质量、大面积的金刚石，是目前能够制备大面积、高质量的金刚石最理想的方法。
[0003]MPCVD法合成的金刚石的质量与多种工艺参数有关，包括碳源浓度、气体流量大小、基板台高度、微波功率、合成温度等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动清洗的MPCVD设备，其特征在于，包括带有透波窗口(5)的腔体(1)、位于所述腔体(1)内的基片台(2)、位于所述透波窗口(5)上方的微波源(3)以及均匀缠绕所述腔体(1)的导电线圈(4)，所述导电线圈(4)连接电源，以在所述腔体(1)内形成与所述腔体(1)同轴的磁场，所述电源为电流可调电源。2.根据权利要求1所述的自动清洗的MPCVD设备，其特征在于，所述导电线圈(4)缠绕于所述腔体(1)外；或者所述腔体(1)内部形成有用于容置所述导电线圈(4)的线槽。3.根据权利要求1所述的自动清洗的MPCVD设备，其特征在于，所述导电线圈(4)的匝数2<n<100。4.根据权利要求1所述的自动清洗的MPCVD设备，其特征在于，所述磁场的磁感应强度的调节范围为80～120mT。5.根据权利要求1至4中任一项所述的自动清洗的MPCVD设备，其特征在于，所述导电线圈(4)内设有铁芯，或者所述腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭国令，储昌明，胡清明，范旅龙，曾凡初，
申请(专利权)人：航天科工长沙新材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：