微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法制造方法及图纸

一种微电子装置包括第一裸片，第一裸片包括存储器阵列区，存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其位于堆叠结构内。第一裸片进一步包括第一控制逻辑区，第一控制逻辑区包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置。微电子装置进一步包括第二裸片，第二裸片附接到第一裸片，第二裸片包括第二控制逻辑区，第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，第二控制逻辑装置包含经配置以实现存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。系统及方法。系统及方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2020年7月17日申请的美国专利申请案第16/932,098号“微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法(MICROELECTRONIC DEVICES，RELATED ELECTRONIC SYSTEMS，AND METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES)”的申请日的权益。


[0003]在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造的领域。更特定地说，本公开涉及形成微电子装置的方法，且涉及相关微电子装置及电子系统。

技术介绍

[0004]微电子装置设计者常常需要通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分隔距离来增大微电子装置内特征的集成度或密度。此外，微电子装置设计者常常需要设计不仅紧密而且提供性能优势以及简化设计的架构。
[0005]微电子装置的一个实例为存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含但不限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子装置，其包括：第一裸片，其包括：存储器阵列区，其包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其位于所述堆叠结构内；第一控制逻辑区，其包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置；及第二裸片，其附接到所述第一裸片，所述第二裸片包括第二控制逻辑区，所述第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，所述第二控制逻辑装置包含经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括位于所述第一裸片的半导电基底结构中与所述第一控制逻辑区相对的侧上的后段工艺(BEOL)结构。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括位于所述第二裸片的基底半导电结构中与所述第二控制逻辑装置相对的侧上的后段工艺(BEOL)结构。4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一裸片的水平区域与所述第二裸片的水平区域大致上相同。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一裸片的所述第一控制逻辑区被限制于所述第一裸片的所述存储器阵列区的水平边界内。6.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括第三裸片，所述第三裸片耦合到所述第二裸片，所述第三裸片包括第三控制逻辑区，所述第三控制逻辑区与所述第二控制逻辑区包括大致上相同类型的控制逻辑装置。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一控制逻辑装置进一步包括电压泵及分组开关。8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二控制逻辑装置进一步包括至少一个I/O装置、至少一个感测放大器，及数据路径。9.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二控制逻辑装置的操作电压低于所述第一控制逻辑装置的操作电压。10.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：形成第一微电子装置结构，所述第一微电子装置结构包括：第一控制逻辑区，其包括包含至少一个字线驱动器的第一控制逻辑装置；及存储器阵列区，其竖直邻近所述第一控制逻辑区，所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其延伸穿过所述堆叠结构；形成包括第二控制逻辑区的第二微电子装置结构，所述第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，所述第二控制逻辑装置包含至少一个页缓冲器；及将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构。11.根据权利要求10所述的方法，其中将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构包括将所述存储器阵列区定位于所述第一控制逻辑区与所述第二控制逻辑区之间。12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括将所述第一控制逻辑区形成为包括至
少一个电压泵及至少一个分组开关。13.根据权利要求12所述的方法，其中将所述第一控制逻辑区形成为包括至少一个电压泵及至少一个分组开关包括：将所述至少一个电压泵及所述至少一个分组开关形成于所述第一微电子装置结构的水平阵列边界内；及将所述至少一个字线驱动器形成于所述第一微电子装置结构的所述水平阵列边界之外。14.根据权利要求10所述的方法，其中形成包括包含至少一个页缓冲器的第二控制逻辑区的第二微电子装置结构包括针对所述存储器阵列区的每一位线形成一个页缓冲器。15.根据权利要求10所述的方法，其中形成包括第二控制逻辑区的第二微电子装置结构包括将所述第二控制逻辑区形成为包括第二控制逻辑装置，所述第二控制逻辑装置经配置以相比所述第一微电子装置结构的第一控制逻辑装置在相对较低电压下操作。16.根据权利要求10到15中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构之后，形成后段工艺(BEOL)结构，所述BEOL结构竖直邻近所述第一微电子装置结构或所述第二微电子装置结构中的一者。17.根据权利要求10到15中任一权利要求所述的方法，其进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：