火炬安装法兰和废气处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种火炬安装法兰和废气处理装置。包括法兰主体，该法兰主体上构造有通孔、惰性气体通道和反应气体通道，惰性气体通道和反应气体通道分别设有惰性气体入口和反应气体入口，通孔由法兰主体的第一侧延伸至第二侧，惰性气体通道在通孔中设有惰性气体出口，反应气体通道在法兰主体的第二侧设有反应气体出口，废气管一端穿设在通孔中，位于在法兰主体的第一侧，废气管中设有废气通道，废气通道通过通孔与惰性气体出口以及法兰主体的第二侧连通。本发明专利技术提出的火炬安装法兰和废气处理装置使废气先与惰性气体进行混合降低其活性，防止其在废气通道或管道口发生反应造成堵塞，减少其产生爆炸的几率，使得废气处理过程更加稳定、安全。安全。安全。

【技术实现步骤摘要】
火炬安装法兰和废气处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体废气处理
，尤其涉及一种火炬安装法兰和废气处理装置。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的日益繁荣，产能激增，在生产过程中会产生各种废气，这些气体大多对人体和环境危害严重。排放出的无组织废气多数比空气重，如果排放进大气，经过蔓延后会沉积在地面上，并达到很高的浓度，造成严重的环境污染，危害人体健康。如若遇到火种，将造成火灾，甚至产生爆炸。因此废气处理设备市场需求量非常大，不过由于半导体厂商内部设施及环境的不一样，废气处理设备也对各类实用的专用装置有较大需求。
[0003]为了防止废气排放中存在的问题发生，人们通常将其集中起来烧掉，以绝后患，但传统的废气处理通常存在高浓度废气与空气混合反应造成堵塞，严重时还会造成爆炸事故，降低了废气排放系统运行的稳定性及安全性。因此亟需一种火炬安装法兰和废气处理装置以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种火炬安装法兰和废气处理装置，用以解决现有技术对半导体材料制备过程中产生的废气进行处理时高浓度废气与空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种火炬安装法兰，其特征在于，包括：法兰主体，构造有通孔、惰性气体通道和反应气体通道，所述惰性气体通道和所述反应气体通道在所述法兰主体的第一侧分别设有惰性气体入口和反应气体入口，所述通孔由所述法兰主体的第一侧延伸至第二侧，所述惰性气体通道在所述通孔中设有所述惰性气体出口，所述反应气体通道在所述法兰主体的第二侧设有所述反应气体出口；废气管，一端穿设在所述通孔中，位于在所述法兰主体的第一侧，所述废气管中设有废气通道，所述废气通道通过所述通孔与所述惰性气体出口以及所述法兰主体的第二侧连通。2.根据权利要求1所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述废气管上设有疏通件，所述疏通件可滑动地设置在所述废气管上，具有第一状态和第二状态；在所述第一状态，所述疏通件至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述疏通件滑动至所述废气通道外。3.根据权利要求2所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述废气管为Y型管，所述Y型管包括：主管道和支管道；所述主管道与所述支管道连通，所述主管道和所述支管道中构造有所述废气通道，所述主管道上设有与所述废气通道连通的开口，所述疏通件可滑动地设置在所述开口处；在所述第一状态，所述疏通件通过所述开口至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述疏通件滑动至所述开口处。4.根据权利要求2所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述火炬安装法兰还包括：驱动机构；所述疏通件包括：刮刀和疏通杆；在所述第一状态，所述驱动机构驱动所述刮刀至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述驱动机构驱动所述刮刀滑动至所述废气通道外。5.根据权利要求4所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述火炬安装法兰还包括：检测机构；所述废气管上设有检测口...

【专利技术属性】
技术研发人员：章文军，闫潇，杨春水，张坤，宁腾飞，王继飞，蔡传涛，席涛涛，杨春涛，陈彦岗，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：