火炬安装法兰和废气处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种火炬安装法兰和废气处理装置。包括法兰主体，该法兰主体上构造有通孔、惰性气体通道和反应气体通道，惰性气体通道和反应气体通道分别设有惰性气体入口和反应气体入口，通孔由法兰主体的第一侧延伸至第二侧，惰性气体通道在通孔中设有惰性气体出口，反应气体通道在法兰主体的第二侧设有反应气体出口，废气管一端穿设在通孔中，位于在法兰主体的第一侧，废气管中设有废气通道，废气通道通过通孔与惰性气体出口以及法兰主体的第二侧连通。本发明专利技术提出的火炬安装法兰和废气处理装置使废气先与惰性气体进行混合降低其活性，防止其在废气通道或管道口发生反应造成堵塞，减少其产生爆炸的几率，使得废气处理过程更加稳定、安全。安全。安全。

【技术实现步骤摘要】
火炬安装法兰和废气处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体废气处理
，尤其涉及一种火炬安装法兰和废气处理装置。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的日益繁荣，产能激增，在生产过程中会产生各种废气，这些气体大多对人体和环境危害严重。排放出的无组织废气多数比空气重，如果排放进大气，经过蔓延后会沉积在地面上，并达到很高的浓度，造成严重的环境污染，危害人体健康。如若遇到火种，将造成火灾，甚至产生爆炸。因此废气处理设备市场需求量非常大，不过由于半导体厂商内部设施及环境的不一样，废气处理设备也对各类实用的专用装置有较大需求。
[0003]为了防止废气排放中存在的问题发生，人们通常将其集中起来烧掉，以绝后患，但传统的废气处理通常存在高浓度废气与空气混合反应造成堵塞，严重时还会造成爆炸事故，降低了废气排放系统运行的稳定性及安全性。因此亟需一种火炬安装法兰和废气处理装置以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种火炬安装法兰和废气处理装置，用以解决现有技术对半导体材料制备过程中产生的废气进行处理时高浓度废气与空气混合造成爆炸事故的问题。
[0005]本申请提供一种火炬安装法兰，包括：
[0006]法兰主体，构造有通孔、惰性气体通道和反应气体通道，所述惰性气体通道和所述反应气体通道在所述法兰主体的第一侧分别设有惰性气体入口和反应气体入口，所述通孔由所述法兰主体的第一侧延伸至第二侧，所述惰性气体通道在所述通孔中设有所述惰性气体出口，所述反应气体通道在所述法兰主体的第二侧设有所述反应气体出口；
[0007]废气管，一端穿设在所述通孔中，位于在所述法兰主体的第一侧，所述废气管中设有废气通道，所述废气通道通过所述通孔与所述惰性气体出口以及所述法兰主体的第二侧连通。
[0008]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述废气管上设有疏通件，所述疏通件可滑动地设置在所述废气管上，具有第一状态和第二状态；
[0009]在所述第一状态，所述疏通件至少部分滑动至所述废气通道中；
[0010]在所述第二状态，所述疏通件滑动至所述废气通道外。
[0011]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述废气管为Y型管，所述Y型管包括：主管道和支管道；
[0012]所述主管道与所述支管道连通，所述主管道和所述支管道中构造有所述废气通道，所述主管道上设有与所述废气通道连通的开口，所述疏通件可滑动地设置在所述开口处；
[0013]在所述第一状态，所述疏通件通过所述开口至少部分滑动至所述废气通道中；在
所述第二状态，所述疏通件滑动至所述开口处。
[0014]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述火炬安装法兰还包括：驱动机构；所述疏通件包括：刮刀和疏通杆；
[0015]在所述第一状态，所述驱动机构驱动所述刮刀至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述驱动机构驱动所述刮刀滑动至所述废气通道外。
[0016]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述火炬安装法兰还包括：检测机构；所述废气管上设有检测口，所述检测机构与所述检测口连通；
[0017]在所述检测机构检测到所述废气管状态变化的过程中，所述检测机构用于通过所述驱动机构控制所述刮刀在所述第一状态和所述第二状态之间切换。
[0018]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述惰性气体通道和所述反应气体通道中的至少一者填充有隔热导气层。
[0019]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述废气管设有多个，所述法兰主体上设有多个所述通孔，所述通孔与所述废气管一一对应设置，所述惰性气体通道在每个所述通孔中均设有所述惰性气体出口。
[0020]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述法兰主体包括：从上至下依次层叠设置的第一法兰盘、第二法兰盘和第三法兰盘；
[0021]所述第一法兰盘和所述第二法兰盘之间构造有所述惰性气体通道，所述第二法兰盘和所述第三法兰盘之间构造有所述反应气体通道，所述通孔依次穿过所述第一法兰盘、第二法兰盘和第三法兰盘，所述第一法兰盘上设有所述惰性气体入口和所述反应气体入口，所述第三法兰盘上设有反应气体出口。
[0022]根据本专利技术提供的火炬安装法兰，所述第一法兰盘或第二法兰盘上设有第一沟槽，所述第一沟槽在所述第一法兰盘和所述第二法兰盘之间形成所述惰性气体通道；所述第二法兰盘或第三法兰盘上设有第二沟槽，所述第二沟槽在所述第二法兰盘和所述第三法兰盘之间形成所述反应气体通道。
[0023]本专利技术还提供一种废气处理装置，包括上述所述的火炬安装法兰；所述法兰主体上设有安装孔，所述安装孔由所述法兰主体的第一侧延伸至第二侧；
[0024]热源，所述热源的加热端穿过所述安装孔设置在所述法兰主体的第二侧。
[0025]本专利技术提供的火炬安装法兰和废气处理装置，通过在法兰上构造通孔，使得气体能够穿过通孔到达指定位置进行反应，通过构造惰性气体通道和反应气体通道，使废气先经过废气通道与惰性气体先混合，降低废气的活性，混合后的气体穿过通孔到达法兰底部，反应气体通过反应气体通道通入法兰底部，在法兰底部进行废气的反应处理。本专利技术提出的火炬安装法兰和废气处理装置先将废气与惰性气体进行混合，降低其活性，防止其在废气通道或管道口发生反应造成堵塞，减少其产生爆炸的几率，使得废气处理过程更加稳定、安全。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些
附图获得其他的附图。
[0027]图1是本专利技术提供的火炬安装法兰的整体结构示意图；
[0028]图2是本专利技术提供的火炬安装法兰的局部示意图；
[0029]图3是本专利技术提供的火炬安装法兰的俯视图；
[0030]图4是本专利技术提供的火炬安装法兰的仰视图；
[0031]图5是本专利技术提供的火炬安装法兰的左视图；
[0032]附图标记：1、法兰主体；11、通孔；12、惰性气体通道；121、惰性气体入口；122、惰性气体出口；13、反应气体通道；131、反应气体入口；132、反应气体出口；2、废气管；21、废气通道；22、疏通件；221、刮刀；222、疏通杆；23、主管道；24、支管道；14、检测机构；141、检测口；15、第一法兰盘；151、第一沟槽；152、第二沟槽；16、第二法兰盘；17、第三法兰盘；18、安装孔。
具体实施方式
[0033]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]本专利技术实施例提供一种火炬安装法兰，如图1至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种火炬安装法兰，其特征在于，包括：法兰主体，构造有通孔、惰性气体通道和反应气体通道，所述惰性气体通道和所述反应气体通道在所述法兰主体的第一侧分别设有惰性气体入口和反应气体入口，所述通孔由所述法兰主体的第一侧延伸至第二侧，所述惰性气体通道在所述通孔中设有所述惰性气体出口，所述反应气体通道在所述法兰主体的第二侧设有所述反应气体出口；废气管，一端穿设在所述通孔中，位于在所述法兰主体的第一侧，所述废气管中设有废气通道，所述废气通道通过所述通孔与所述惰性气体出口以及所述法兰主体的第二侧连通。2.根据权利要求1所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述废气管上设有疏通件，所述疏通件可滑动地设置在所述废气管上，具有第一状态和第二状态；在所述第一状态，所述疏通件至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述疏通件滑动至所述废气通道外。3.根据权利要求2所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述废气管为Y型管，所述Y型管包括：主管道和支管道；所述主管道与所述支管道连通，所述主管道和所述支管道中构造有所述废气通道，所述主管道上设有与所述废气通道连通的开口，所述疏通件可滑动地设置在所述开口处；在所述第一状态，所述疏通件通过所述开口至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述疏通件滑动至所述开口处。4.根据权利要求2所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述火炬安装法兰还包括：驱动机构；所述疏通件包括：刮刀和疏通杆；在所述第一状态，所述驱动机构驱动所述刮刀至少部分滑动至所述废气通道中；在所述第二状态，所述驱动机构驱动所述刮刀滑动至所述废气通道外。5.根据权利要求4所述的火炬安装法兰，其特征在于，所述火炬安装法兰还包括：检测机构；所述废气管上设有检测口...

【专利技术属性】
技术研发人员：章文军，闫潇，杨春水，张坤，宁腾飞，王继飞，蔡传涛，席涛涛，杨春涛，陈彦岗，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：