一种适用于电力超长距光传输的单模光纤制造技术

本发明专利技术涉及一种适用于电力超长距光传输的单模光纤，包括芯层和包层，所述的芯层从中心向外包括下陷芯层和外芯层，下陷芯层半径R1为3～5μm，Δn1为

【技术实现步骤摘要】
一种适用于电力超长距光传输的单模光纤


[0001]本专利技术涉及一种适用于电力超长距光传输的单模光纤，用于电力系统长距离、大容量、高速率通信传输系统，属于光通信


技术介绍

[0002]特高压配套通信工程跨区域超长距离光缆和大容量通信系统的建设，将全面加强电力通信核心网络架构，极大提升电力通信传输能力，为国家电网能源互联网提供更快速、更安全的通信基础平台。但是，特高压线路长，途经地区地形复杂，架线施工阶段交叉跨越密集，施工质量工艺要求高，通信系统调试开通技术难度大，中继站点的建设与维护困难，这对传统超长站距光纤通信系统提出了严峻的挑战。
[0003]随着相干传输技术的出现，在光纤传输领域，原有限制长距离、大容量和高速率传输的一些重要指标已经不再成为限制，在未来的传输系统中色散(chromatic dispersion,CD)和偏振模色散(polarization mode dispersion,PMD)的指标将可以进一步的放宽。但光纤的衰减和有效面积仍成为限制光通讯技术发展的重要问题。陆地传输用G.654.E光纤在降低衰减的同时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于电力超长距光传输的单模光纤，包括芯层和包层，所述的芯层从中心向外包括下陷芯层和外芯层，所述的下陷芯层半径R1为3～5μm，相对折射率差Δn1为
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0.08％～0.025％，所述的外芯层半径R2为5.5～8.0μm，相对折射率差Δn2为
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0.07％～0.11％，所述的包层从内到外包括内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径R3为8.5～15.5μm，相对折射率差Δn3为
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0.25％～
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0.16％，所述的下陷内包层半径R4为16～20μm，相对折射率差Δn4为
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0.2％～
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0.55％，所述的辅助内包层半径R5为37～52μm，相对折射率差Δn5为
‑
0.13％～
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0.06％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层，最外层直径为125μm。2.按权利要求1所述的适用于电力超长距光传输的单模光纤，其特征在于下陷芯层和外芯层为氯掺杂二氧化硅玻璃层，或为氟掺杂二氧化硅玻璃层或为氯氟共掺杂二氧化硅玻璃层，且氯的含量为0.6～1.0ppm％。3.按权利要求2所述的适用于电力超长距光传输的单模光纤，其特征在于所述的下陷芯层中氟掺杂对相对折射率的贡献为
‑
0.1％～
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0.04％，外芯层中氟掺杂对相对折射率的贡献为
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴广哲，李伯中，王颖，邓黎，卢贺，刘源，杨悦，马超，王乔木，李灿，李扬，吴俊，张立岩，周红燕，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：