装饰薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种装饰薄膜及其制备方法。装饰薄膜包括金属打底层、第一过渡层以及颜色层。第一过渡层设置在～金属打底层上，～第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种。颜色层设置在～第一过渡层远离～金属打底层的一侧，～颜色层的材料为硅氧化物，～硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。金属打底层赋予装饰薄膜良好的光泽度和金属质感，第一过渡层相较于金属打底层还含有C元素、N元素中的至少一种，能够增大装饰薄膜整体的电阻，颜色层的材料为硅氧化物，通过控制硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％，装饰薄膜的颜色L值在48～60之间，a、b值靠近中性灰色区域，电阻大于40MΩ。电阻大于40MΩ。电阻大于40MΩ。

【技术实现步骤摘要】
装饰薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及镀膜领域，特别是涉及一种装饰薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]通常，在智能手机、智能穿戴等消费电子设备的表面沉积金属薄膜，以起到保护和装饰的作用。然而，金属薄膜为导电材料，会屏蔽5G通讯信号，并且不能实现设备的无线充电，为此，越来越多消费电子设备要求表面的保护和装饰性薄膜具有绝缘性，比如电阻在40MΩ以上。
[0003]在磁控溅射技术中，Cr、W、Ti等金属是制备浅色装饰性薄膜的常用材料。但上述材料在反应气氛较少的情况下，即所谓的金属溅射模式，其镀膜是导电的，只有将反应气氛加大到接近靶中毒的状态，其才会有比较好的绝缘效果，即所谓的化合物溅射模式。上述材料与C2H2、N2等反应气体反应后，镀膜的电阻能够增大，但颜色会变暗，一般L值小于35才能满足绝缘要求。也就是说，传统技术采用以上材料难以获得浅色的绝缘性镀膜。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种装饰薄膜及其制备方法，以解决传统技术难以获得浅色的绝缘性镀膜的问题。
[0005]一种装饰薄膜，包括：
[0006]金属打底层；
[0007]第一过渡层，设置在所述金属打底层上，所述第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种；以及
[0008]颜色层，设置在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧，所述颜色层的材料为硅氧化物，所述硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。
[0009]在其中一个实施例中，所述金属打底层的材料为Cr、Ti中的一种或两种。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一过渡层中，金属元素为Cr、Ti、W中的一种或多种。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一过渡层中，金属原子的摩尔含量为85％～97％。
[0012]在其中一个实施例中，所述颜色层的氧含量自靠近所述第一过渡层的一侧至所述第一过渡层的一侧逐渐降低。
[0013]在其中一个实施例中，所述装饰膜层还包括第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述第一过渡层和所述颜色层之间，所述第二过渡层的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二过渡层中，硅原子的摩尔含量为15％～30％，碳原子和氮原子的摩尔含量之和为2％～10％，氧原子的摩尔含量为15％～30％。
[0015]在其中一个实施例中，所述金属打底层的厚度为0.1μm～0.5μm。进一步地，所述金属打底层的厚度为0.2μm。
[0016]在其中一个实施例中，所述第一过渡层的厚度为0.5μm～2.0μm。进一步地，所述第
一过渡层的厚度为1.0μm。
[0017]在其中一个实施例中，所述第二过渡层的厚度为0.1μm～0.5μm。进一步地，所述第二过渡层的厚度为0.3μm。
[0018]在其中一个实施例中，所述颜色层的厚度为0.2μm～1.0μm。进一步地，所述颜色层的厚度为0.3μm。
[0019]在其中一个实施例中，所述装饰膜层的颜色参数包括：L值为48～60，a值为+2～
‑
2，b值为+1～
‑
5。
[0020]在其中一个实施例中，所述装饰膜层的电阻在40MΩ以上。
[0021]一种装饰薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0022]在基材上形成金属打底层；
[0023]在所述金属打底层上形成第一过渡层，所述第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种；
[0024]在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧上形成颜色层，所述颜色层的材料为硅氧化物，所述硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。
[0025]在其中一个实施例中，在形成所述颜色层之前，所述制备方法还包括以下步骤：
[0026]在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧上形成第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述第一过渡层和所述颜色层之间，所述第二过渡层的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种；
[0027]所述颜色层形成在所述第二过渡层远离所述第一过渡层的一侧上。
[0028]在其中一个实施例中，所述金属打底层、所述第一过渡层、所述第二过渡层以及所述颜色层中的至少一层通过磁控溅射工艺制作形成。
[0029]在其中一个实施例中，所述颜色层通过磁控溅射工艺制作形成，采用Si靶，并采用流量逐渐减少的给气方式通入O2进行反应。
[0030]与现有方案相比，上述装饰薄膜及其制备方法具有以下有益效果：
[0031]上述装饰薄膜包括金属打底层、第一过渡层以及颜色层。其中，金属打底层赋予装饰薄膜良好的光泽度和金属质感及薄膜与基底结合力，第一过渡层相较于金属打底层还含有C元素、N元素中的至少一种，能够增大装饰薄膜整体的电阻，颜色层的材料为硅氧化物，通过控制硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％，装饰薄膜的颜色L值在48～60之间，a、b值靠近中性灰色区域，并且电阻大于40MΩ，无需将颜色做得很深即可达到绝缘的效果，而传统的装饰薄膜需要将L值做到30左右才能满足该电阻要求。
附图说明
[0032]图1为一实施例的装饰薄膜的结构示意图。
[0033]附图标记说明：
[0034]100、装饰薄膜；101、金属打底层；102、第一过渡层；103、第二过渡层；104、颜色层；200、基材。
具体实施方式
[0035]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中
给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0036]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0037]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0038]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0039]请参考图1所示，本专利技术一实施例的装饰薄膜100，包括金属打底层101、第一过渡层102以及颜色层104。
[0040]金属打底层101用于设置在基材200上。第一过渡层102设置在金属打底层101上。第一过渡层102的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装饰薄膜，其特征在于，包括：金属打底层；第一过渡层，设置在所述金属打底层上，所述第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种；以及颜色层，设置在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧，所述颜色层的材料为硅氧化物，所述硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。2.如权利要求1所述的装饰薄膜，其特征在于，所述第一过渡层中，金属原子的摩尔含量为85％～97％。3.如权利要求1所述的装饰薄膜，其特征在于，所述颜色层的氧含量自靠近所述第一过渡层的一侧至所述第一过渡层的一侧逐渐降低。4.如权利要求1～3中任一项所述的装饰薄膜，其特征在于，所述装饰膜层还包括第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述第一过渡层和所述颜色层之间，所述第二过渡层的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种。5.如权利要求4所述的装饰薄膜，其特征在于，所述第二过渡层中，硅原子的摩尔含量为15％～30％，碳原子和氮原子的摩尔含量之和为2％～10％，氧原子的摩尔含量为15％～30％。6.如权利要求4所述的装饰薄膜，其特征在于，所述装饰薄膜满足以下特征中的至少一个：所述第二过渡层的厚度为0.1μm～0.5μm；所述颜色层的厚度为0.2μm～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金振，郭林生，段新超，熊汤华，王强，
申请(专利权)人：维达力实业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：