集成电路、像素驱动装置和像素缺陷检测方法制造方法及图纸

本公开涉及集成电路、像素驱动装置和像素缺陷检测方法，并且提供通过数据线感测像素的发光二极管的电压并将所感测到的电压与参考范围进行比较从而确定像素缺陷的装置和方法。范围进行比较从而确定像素缺陷的装置和方法。范围进行比较从而确定像素缺陷的装置和方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路、像素驱动装置和像素缺陷检测方法


[0001]本公开涉及一种用于驱动显示面板的像素的集成电路、像素驱动装置和像素缺陷检测方法。

技术介绍

[0002]随着信息化的进展，已经开发了能够将信息可视化的各种显示装置。最近已经开发或正在开发的显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示装置和等离子体显示面板(PDP)等。随着显示技术的发展，这样的显示装置被设计为适当地显示高分辨率图像。
[0003]然而，虽然上述显示装置可以适当地显示高分辨率图像，但是难以减小显示装置的尺寸。例如，到目前为止已经开发的大尺寸的OLED显示装置仅具有80英寸(约2m)或100英寸(约25m)的尺寸，因此不适合于制造具有10m或大于10m的水平长度的大尺寸的显示装置。
[0004]最近，作为解决这样的尺寸问题的方法，发光二极管(LED)显示装置已经受到了极大关注。LED显示装置可以包括必要数量的模块化LED像素(其被布置成构成一个大尺寸的面板)。可选地，LED显示装置可以包括必要数量的单元面板，其中各个单元面板具有多个LED本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其包括：驱动电路，其被配置为通过与面板的像素连接的数据线向所述像素提供数据电压，通过所述数据线感测所述像素的发光二极管的电压，并将所述发光二极管的电压与参考电压进行比较；以及检测电路，其被配置为从所述驱动电路接收所述发光二极管的电压与至少一个参考电压之间的比较结果，并且基于所接收到的比较结果来确定所述像素的缺陷。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述驱动电路包括放大器和连接到所述放大器的输出端子的第一开关，其中，在所述第一开关闭合期间，所述放大器通过所述放大器的第一输入端子接收源极电压，并且通过连接到所述放大器的输出端子的数据线向所述像素提供所述数据电压，其中，在所述第一开关断开期间，所述放大器通过所述放大器的第一输入端子接收所述参考电压，通过所述放大器的第二输入端子接收通过所述数据线所感测到的所述发光二极管的电压，并且向所述输出端子输出所述参考电压和所述发光二极管的电压之间的比较结果。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述驱动电路包括第二开关，所述第二开关在所述放大器的输出端子处与所述检测电路连接，其中，在所述第二开关闭合期间，从所述放大器的输出端子输出的所述参考电压和所述发光二极管的电压之间的比较结果通过所述第二开关被发送到所述检测电路。4.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述驱动电路包括反馈线，所述反馈线从所述第一开关和所述像素之间分叉并且连接到所述放大器的第二输入端子，其中，通过所述数据线所感测到的所述发光二极管的电压通过所述反馈线被输入到所述第二输入端子。5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述驱动电路包括连接到所述反馈线的第三开关，其中，在所述第一开关断开期间，所述第三开关被控制为闭合。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述参考电压包括第一参考电压，其中，当所接收到的比较结果指示所述发光二极管的电压高于所述第一参考电压时，所述检测电路确定为所述发光二极管处于开路状态。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述参考电压包括第二参考电压，其中，当所述比较结果指示所述发光二极管的电压低于所述第二参考电压时，所述检测电路确定为所述发光二极管处于短路状态。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述发光二极管的电压是在所述发光二极管的阳极端子处测量到的所述发光二极管的正向压降。9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述驱动电路在第一时间段中通过所述数据线向所述像素提供数据电压，并且在第二时间段中通过所述数据线感测所述发光二极管的电压。10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述驱动电路同时感测所述面板中布置的多个像素中的布置在相同行中的多个像素中所包括的多个发光二极管的电压。11.根据权利要求10所述的集成电路，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金倞兑，金东焕，
申请(专利权)人：LX半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：