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用于减少和抵抗金属体中的形变的系统、设备和方法技术方案

技术编号:37275066 阅读:19 留言:0更新日期:2023-04-20 23:42
提供了金属体,其具有锂层和金属基材。所述金属体可显示出提高的对辐射诱导的形变如起泡的抵抗性。提供了将金属体转变为更抗空泡的结构的方法,作为我们的用于减小或消除先前形成的空泡的方法。还公开了使用所述金属体和方法的系统。方法的系统。方法的系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少和抵抗金属体中的形变的系统、设备和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年7月23日提交的俄罗斯专利申请2020124384的优先权,该申请标题为“用于减少和抵抗金属体中的形变的系统、设备和方法”,其全部内容出于所有目的通过引用并入本文中。
[0003]领域
[0004]本文所述的主题一般涉及用于降低金属体中形变形成的可能性和/或减小形变尺寸的系统、设备和方法。
[0005]背景
[0006]在许多应用中,金属体被放置在受到相对大量带电粒子辐射的环境中。这些应用的实例包括医疗(例如癌症)和诊断、核聚变、空间技术、同位素生产、有害物质检测、贵金属矿石分析、成像等。
[0007]暴露于足量的带电粒子辐射可导致某些类型的金属体经历潜在的降解状态,其中辐射引发金属体内产生形变。这些形变通常呈空泡形式,导致这种形变的条件通常被称为起泡。起泡可由这些金属体内形成分子氢气引起。当带电粒子辐射(例如质子辐射)与金属电子复合形成分子氢气时,可以形成氢气。所述气体可积聚在金属体内的袋(例如,初生气泡)中。持续暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种操作具有包括锂层和金属基材的靶的束系统的方法,所述方法包括:(a)使靶经历带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在靶中形成多个空泡;和(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小。2.根据权利要求1所述的方法,其中带电粒子辐射为质子束。3.根据权利要求1所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小包括使靶经历至少0.5
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‑2)的质子能流。4.根据权利要求1所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,直至空泡的数量成数量级减少。5.根据权利要求1所述的方法,其中在步骤(a)和(b)中以至少1
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个中子/秒的第一速率发射中子。6.根据权利要求1所述的方法,其中(a)使靶经历带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在靶中形成多个空泡进一步包括将发射的中子施加到人类患者。7.根据权利要求1所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小进一步包括将发射的中子施加到人类患者。8.根据权利要求1所述的方法,其中发射的中子由锂层根据反应p+7Li

n+7Be产生。9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括作为硼中子俘获治疗(BNCT)程序的一部分执行(a)和(b)。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述带电粒子辐射呈束形式,并且其中在步骤(a)和(b)中,靶经历带电微粒辐射,同时束在与束传播方向横向的方向上在靶的表面上移动。11.根据权利要求1所述的方法,其中(b)进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子,并且所述多个空泡的数量和尺寸减小。12.根据权利要求1所述的方法,其中(b)进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡仅尺寸减小。13.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属基材为铜。14.根据权利要求13所述的方法,其中锂层与铜基材接触。15.根据权利要求13所述的方法,其中锂层直接形成在铜块基材上。16.根据权利要求1所述的方法,其中锂层的厚度为1

300微米。17.根据权利要求1所述的方法,其中带电粒子辐射具有1.9

3.0MeV的能量。18.一种操作具有包括锂层和金属基材的靶的束系统的方法,所述方法包括:(a)使靶经历带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在靶中形成多个空泡;和(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在锂层和金属基材之间形成锂化合物层,其尺寸足以减小所述多个空泡的数量和/或尺寸。19.根据权利要求18所述的方法,其中带电粒子辐射为质子束。20.根据权利要求18所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小包括使靶经历至少0.5
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‑2)的质子能流。21.根据权利要求18所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,直至空泡的数量成数量级减少。
22.根据权利要求18所述的方法,其中在步骤(a)和(b)中以至少1
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个中子/秒的第一速率发射中子。23.根据权利要求18所述的方法,其中(a)使靶经历带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在靶中形成多个空泡进一步包括将发射的中子施加到人类患者。24.根据权利要求18所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小进一步包括将发射的中子施加到人类患者。25.根据权利要求18所述的方法,其中发射的中子由锂层根据反应p+7Li

n+7Be产生。26.根据权利要求18所述的方法,进一步包括作为硼中子俘获治疗(BNCT)程序的一部分执行(a)和(b)。27.根据权利要求18所述的方法,其中带电粒子辐射呈束形式,并且其中在步骤(a)和(b)中使靶经历带电微粒辐射,同时束在与束传播方向横向的方向上在靶的表面上移动。28.根据权利要求18所述的方法,其中(b)进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子,并且所述多个空泡的数量和尺寸减小。29.根据权利要求18所述的方法,其中(b)进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子,并且所述多个空泡仅在尺寸上减小。30.根据权利要求18所述的方法,其中金属基材为铜,并且锂化合物层为锂铜化合物。31.根据权利要求18所述的方法,其中锂层的厚度为1

300微米。32.根据权利要求18所述的方法,其中带电粒子辐射具有1.9

3.0MeV的能量。33.一种操作具有包括锂层和金属基材的靶的束系统的方法,所述方法包括:(a)使靶经历带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在靶中形成多个空泡;和(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且金属基材从结晶态转变至非晶态达足以使所述多个空泡的数量和/或尺寸减小的程度。34.根据权利要求33所述的方法,其中带电粒子辐射为质子束。35.根据权利要求33所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小包括使靶经历至少0.5
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2)的质子能流。36.根据权利要求33所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,直至空泡的数量成数量级减少。37.根据权利要求33所述的方法,其中在步骤(a)和(b)中以至少1
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个中子/秒的第一速率发射中子。38.根据权利要求33所述的方法,其中(a)使靶经历带电粒子辐射,使得靶发射中子并且在靶中形成多个空泡进一步包括将发射的中子施加到人类患者。39.根据权利要求33所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡的数量和/或尺寸减小进一步包括将发射的中子施加到人类患者。40.根据权利要求33所述的方法,其中发射的中子由锂层根据反应p+7Li

n+7Be产生。41.根据权利要求33所述的方法,进一步包括作为硼中子俘获治疗(BNCT)程序的一部分执行(a)和(b)。
42.根据权利要求33所述的方法,其中带电粒子辐射呈束形式,并且其中在步骤(a)和(b)中使靶经历带电微粒辐射,同时束在与束传播方向横向的方向上在靶的表面上移动。43.根据权利要求33所述的方法,其中(b)进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子,并且所述多个空泡的数量和尺寸减小。44.根据权利要求33所述的方法,其中(b)进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得靶发射中子并且所述多个空泡仅在尺寸上减小。45.根据权利要求33所述的方法,其中(b)使靶经历进一步的带电粒子辐射进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得在锂层和金属基材之间形成锂化合物层。46.根据权利要求45所述的方法,其中金属基材为铜,锂化合物层为锂铜化合物。47.根据权利要求45所述的方法,其中(b)使靶材经历进一步的带电粒子辐射进一步包括使靶经历进一步的带电粒子辐射,使得在锂层和金属基材之间形成锂化合物层至达到或邻近所述多个空泡的深度。48.根据权利要求33所述的方法,其中锂层的厚度为1

300微米。49.根据权利要求33所述的方法,其中带电粒子辐射具有1.9

3.0MeV的能量。50.一种方法,其包括:(a)使金属结构的区域经历带电粒子辐射,使得在金属结构的所述区域中形成多个形变,其中所述金属结构包括锂层;和(b)使金属结构的所述区域经历进一步的带电粒子辐射,使得所述多个形变的数量和/或尺寸减小。51.根据权利要求50所述的方法,其中带电粒子辐射为质子束。52.根据权利要求50所述的方法,其中(b)使金属结构的所述区域经历进一步的带电粒子辐射包括使所述区域经历进一步带电粒子辐射,直至形变的数量成数量级减少。53.根据权利要求50所述的方法,其中带电粒子辐射呈束形式,并且其中在步骤(a)和(b)中,所述区域经历带电粒子辐射,同时束在束传播方向的横向上在所述区域的表面上移动。54.根据权利要求50所述的方法,其中金属基材为铜。55.根据权利要求50...

【专利技术属性】
技术研发人员:S
申请(专利权)人:TAE技术公司
类型:发明
国别省市:

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