晶片导线架的精密单元结构制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片导线架的精密单元结构制造方法，其是在导线架的各引指底面处镀着成型有至少一导接部，以该导接部的底面作为引指的外导接平面，并以导接部相邻侧的引指底面作为内导接平面供与晶片导接，藉此组成导线架的精密引指单元结构，以增进导接部及外导接平面的尺寸精密度，并缩减导线架体积，且可随应用需求而采用适当材质，例如金、银、铜或其它金属等作为该导接部的镀材，以获得增进导电性、低电阻及简化制造程序等效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种运用直接镀着方法，令特定金属材附着而直接成型出晶片导线架之引指单元结构的制造方法。
技术介绍
习见的晶片导线架即花架构成方法、状态，请参阅图6所示，是以冲压制造方法制作出具有复数针状排列的引指101，以作为晶片20与外界导通的媒介，而其与晶片组成形态，如图7所示，是令导线架10各引指101排设于一晶片20两侧下方，并选定晶片20与各引指101间分别连接有一金属导线30即打线，藉此再于导线架10及晶片20外设有一封胶体40，俾将晶片20及金属导线30等部位密封，并令针状引指101凸露于封胶体40两侧，进而作为与外界导接的部位。众所周知，采用冲压加工方法制作物品的形状及尺寸，常受到模具精密度、损耗状况及被加工物材质软硬度等因素影响，使制成的物品形状及尺寸难以控制，尤其在模具反复使用后，均有尺寸误差增加的情形，而需一再进行校正，因此运用冲压制造方法制作出导线架10的各引指101结构，难以控制其精密性及质量。其次，考虑引指101的材质选用时，是以低电阻值的铜(Cu)为最佳(1.6731W-cm，20℃)，但导电性仍以金(Au)最优，因此，采用冲压制造方法制作导线架10的引指101时，即无法直接将两种材质结合，而必须于冲制成型后再进行镀金等程序，相对的使制造程序复杂且成本提高。另外，习见导线架10是以针状引指101外端凸伸于封胶体40两侧，除了致使整个组成后的电晶体体积无法缩减外，更增加引指101的电阻值，因此在现今电子元件需朝向精巧及高速率设计趋势下，习见导线架结构形态及制造方法，无法满足需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是要解决上述习见的导线架构成方法，存在的制造程序复杂、制成的导线架引指精度低及电阻值大、组成后的电晶体体积大的问题，而提供一种可克服上述缺点的。本专利技术之方法所说的导线架是依需求而构成有复数排列状的金属材质引指单元，其特征在于，各引指单元底面以直接镀着金属制造方法，直接成型有至少一导接部结构，以该导接部底端面形成有引指单元的外导接平面，并以导接部相邻侧的引指单元底面形成有内导接平面供与晶片导接，藉此构成晶片导线架的精密引指单元结构。其中，镀着金属的方式，可为电镀法或无电镀法或热浸法或熔射喷镀法或浸渍电镀或渗透镀金或真空蒸着镀金或局部电镀或电铸等可使金属附着于引指底面并直接成型的制造方法。所述的导接部及其底端面的外导接平面，可直接镀着成型于引指单元底面中间处。所述的导接部及其底端面的外导接平面，可直接镀着成型于引指单元底面外侧处。所述的引指单元底面可直接镀着有复数导接部及其底端面的外导接平面。本专利技术以直接镀着的方法，使引指底面直接形成有至少一外导接平面，达成导线架结构体积缩小、尺寸精确及制造程序简化等效果，并且因电阻的减小而使处理速度提高。附图说明图1为本专利技术导线架实施为四排引指的示意图。图2为本专利技术导线架实施为二排引指的示意图。图3为本专利技术镀着导接部及外导接平面结构于引指底面略中间处的示意图。图4为本专利技术镀着导接部及外导接平面结构于引指底面外侧处的示意图。图5为本专利技术镀着导接部及外导接平面结构的实施示意6为习见晶片导线架结构形状的示意图。图7为习见电晶体组成状态的断面结构示意图。具体实施例方式请参阅各附图所示，本专利技术之方法主要是针对晶片导线架1或称花架的排列状复数引指单元11或称接脚的制造方法及结构的改进，藉此作为可提供晶片20贴置的导线架1，以获得整体体积缩小、制造程序简化及尺寸精确等多重效益增进。请参阅如图1、图2所示，导线架1依据实际制造需求而构成有二排或四排或其它排列数目及位置的复数金属材质引指单元11，在上端形成有至少一上置平面12，如图3所示，以提供晶片20置放或接触；但于各引指单元11的底面13选定处，是一直接镀着特定金属制造方式，而直接形成有至少一导接部14结构，以该导接部14的底端面15作为引指单元11的外导接平面A，并以导接部14相邻侧的引指单元11的底面13作为内导接平面B供与晶片20导接，藉此即构成本专利技术之晶片导线架精密单元结构。而可提供于各引指单元11的上置平面12共同承置至少一晶片20，且于内导接平面B处连接至少一金属导线至晶片20，并可运用导接部14的底端面15所构成的外导接平面A与电路板等设备进行导接，令所述引指单元11成为晶片20与外界连通的介质。如图3所示，本专利技术采用直接镀着金属而构形出引指单元11结构的实施形态，可选定引指单元11的底面13略中间处，镀着制造出所述的导接部14及外导接平面A结构，并形成该导接部14相邻侧具有内导接平面B，藉此构成导线架1的引指单元11；其次，如图4所示，也可选定引指单元11的底面13外侧缘面，镀着制造出所述的导接部14及外导接平面A结构，并形成该导接部14相邻内侧具有内导接平面B，藉此构成导线架1；因此，本专利技术直接镀着成型的导接部14及外导接平面A或内导接平面B的位置，并不局限于特定，且可是各引指单元11的导接部14均对齐或位置错置状，以防止焊锡相互沾粘，并防免发生电子干扰。同理，本专利技术引指单元11的导接部14及外导接平面A，并不局限于只镀着一个，请参阅图5所示，是可视实际需求而于一引指单元11底面13镀着成型有复数个导接部14及外导接平面A结构，以作为与外界导通部位。另外，本专利技术直接镀着金属而成型引指单元11的制造方法，是为现今技术上足以使金属附着并且成型的一切方式，例如，电镀法或无电镀法或热浸法或熔射喷镀法或浸渍电镀或渗透镀金或真空蒸着镀金或局部电镀或电铸等方法。且作为导接部14的金属材质，是依据实际需求而在制造时选用，故可为一般高导电性的金(Au)或银(Ag)等材料，也可为低电阻的铜(Cu)材或合金等，因此所述镀着的特定金属，其材质并不局限，均可视实际需求而简易改变。本专利技术之方法因避免采用习知冲压制造方法形成导接部14或外导接平面A，因此可让导接部14及外导接平面A形状、尺寸，及与内导接平面B相对尺寸等精密度更臻稳定，且容易精密地变更制成后的尺寸。其次，直接以镀着制法形成引指单元11底面具有外导接平面A结构，可简化习见必须冲压外导接端形状再另电镀的多重制程，使导线架1组成方法更为简易且降低制造成本。又因在引指单元11底面镀着成型外导接平面A作为晶片20与外界接通的部位，故改善习见封胶体外侧凸露引指结构而致使体积过大等缺憾，令导线架1及组成后的电晶体更臻缩小、精巧。另因缩短上置平面12与外导接平面A的传递距离，故可藉此降低电阻值，而增进引指单元11实际传输的速度。权利要求1.一种，其中，导线架是依需求而构成有复数排列状的金属材质引指单元，其特征在于各引指单元底面以直接镀着金属制造方法成型有至少一导接部结构，以该导接部底端面形成有引指单元的外导接平面，并以导接部相邻侧的引指单元底面形成有内导接平面供与晶片导接。2.根据权利要求1所述的一种，其特征在于所述的导接部及其底端面的外导接平面，直接镀着成型于引指单元底面中间处。3.根据权利要求1所述的一种，其特征在于所述的导接部及其底端面的外导接平面，直接镀着成型于引指单元底面外侧处。4.根据权利要求1所述的一种，其特征在于所述的引指单元底面直接镀着有复数导接部及其底端面的外导接平面。全文摘要本专利技术公开了一种，其是在导线架的各引指底面处镀着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片导线架的精密单元结构制造方法，其中，导线架是依需求而构成有复数排列状的金属材质引指单元，其特征在于：各引指单元底面以直接镀着金属制造方法成型有至少一导接部结构，以该导接部底端面形成有引指单元的外导接平面，并以导接部相邻侧的引指单元底面形成有内导接平面供与晶片导接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：连世雄，
申请(专利权)人：宏连国际科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]