【技术实现步骤摘要】
存储设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月8日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0133845的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
[0003]本公开涉及一种存储设备。
技术介绍
[0004]半导体存储器件可以包括易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件具有高的读写速度，但仅在通电时保持其数据。另一方面，由于非易失性存储器件在断电时保留其据，所以非易失性存储器件用于在没有电源的情况下存储必须保留的数据。
[0005]例如，易失性存储器件可以包括静态随机存取存储器(RAM)(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。例如，非易失性存储器件可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括被配置为存储第一用户数据的第一存储块；以及控制器，被配置为对所述第一用户数据执行巡读，其中，所述控制器被配置为当所述第一用户数据需要回收时，增加所述第一用户数据的回收计数，所述控制器被配置为当所述第一用户数据的回收计数大于回收阈值时，确定所述第一用户数据为冷数据，所述控制器被配置为当所述第一用户数据被确定为冷数据时，对所述第一用户数据执行第一回收，并且所述非易失性存储器被配置为响应于所述第一回收，将所述第一用户数据存储在不同于所述第一存储块的第二存储块中。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一存储块包括单级单元SLC，并且所述第二存储块包括多级单元MLC、三级单元TLC或四级单元QLC。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，包括在所述第一存储块中的第一存储单元的存储容量比包括在所述第二存储块中的第二存储单元的存储容量小。4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述非易失性存储器包括被配置为存储第二用户数据的第三存储块，所述控制器被配置为对所述第二用户数据执行巡读，所述控制器被配置为当所述第二用户数据需要回收时，增加所述第二用户数据的回收计数，并且所述控制器被配置为当所述第二用户数据的回收计数不大于所述回收阈值时，在不需要确定所述第二用户数据为冷数据的情况下对所述第二用户数据执行第二回收。5.根据权利要求4所述的存储设备，其中，所述非易失性存储器被配置为响应于所述第二回收，将所述第二用户数据存储在不同于所述第三存储块的第四存储块中，并且包括在所述第三存储块中的第三存储单元的存储容量不比包括在所述第四存储块中的第四存储单元的存储容量小。6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为生成包括所述第一用户数据的回收计数的元数据。7.根据权利要求6所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为基于所述元数据来确定所述第一用户数据为冷数据。8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为基于所述第一存储块的删除计数和所述第二存储块的删除计数来确定所述回收阈值。9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第二存储块被配置为存储与所述第一用户数据不同的第二用户数据，并且所述非易失性存储器包括与所述第一存储块和所述第二存储块不同的第三存储块，所述控制器被配置为对所述第二用户数据执行巡读，所述控制器被配置为当所述第二用户数据需要回收时，增加所述第二用户数据的回收计数，
所述控制器被配置为当所述第二用户数据的回收计数大于所述回收阈值时，确定所述第二用户数据为冷数据，所述控制器被配置为对被确定为冷数据的所述第一用户数据执行所述第一回收，并且所述控制器被配置为对被确定为冷数据的所述第二用户数据执行第二回收。10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，所述非易失性存储器被配置为响应于所述第一回收而将所述第一用户数据存储在所述第三存储块中，以及被配置为响应于所述第二回收而将所述第二用户数据存储在所述第三存储块中，并且包括在所述第一存...
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