浮动节点存储器元件及其浮动节点存储器单元的形成方法技术

本申请提供了一种浮动节点存储器元件及其浮动节点存储器单元的形成方法。一种非易失性存储器元件包含设置在集成电路中的浮动节点存储器单元。浮动节点存储器单元包含浮动节点、控制节点、擦除节点、源极节点以及漏极节点。存储器元件还包含一高压输入节点，用于耦接到集成电路外部的外部可编程高压源。存储器元件还包含耦接到高压输入节点的高压开关电路，用于提供电压信号以执行对浮动节点的电荷的热电子编程或是对来自浮动节点的电荷进行穿隧擦除。穿隧擦除。穿隧擦除。

【技术实现步骤摘要】
浮动节点存储器元件及其浮动节点存储器单元的形成方法
[0001]交叉引用
[0002]此申请案有关于共同申请(co
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pending)案的美国专利申请案(Attorney DocketNo.PLR
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09
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25201.02P)，其标题为“Method And Apparatus For Analog Floating
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GateMemory Cell”，申请日为2021年10月11日，申请号为17/498,694，此美国专利申请案的全部内容皆以引用的方式并入本申请案中。


[0003]本专利技术涉及电子电路领域。更具体地，本专利技术的实施例针对非易失性存储器。本文描述的一些实施例应用于模拟非易失性存储器单元装置和方法。然而，这里描述的装置和方法也可以用于涉及将数字信息存储在嵌入式非易失性存储器的应用中。

技术介绍

[0004]电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置和闪存装置是非易失性存储装置，即使在它们的电源中断时也保留它们的存储数据。已经有多种非易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浮动节点存储器元件，其特征在于，包含：P型金属氧化物半导体晶体管，包含第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极位于第一N型井区上方的栅极氧化物上方的第一多晶硅栅极；穿隧元件，包含第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极位在第二N型井区上方的穿隧氧化物上方；金属
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绝缘体
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金属电容器，包含导电顶板和底板，所述底板是第N
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1层金属互连的一部分，其中N是大于或等于3的整数；根据其中，所述第一多晶硅栅极、所述第二多晶硅栅极和所述金属
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绝缘体
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金属电容器的所述导电顶板通过第N层金属互连的一部分耦接在一起以形成所述浮动节点存储器元件的浮动节点；其中，所述浮动节点存储器元件被配置为通过所述P型金属氧化物半导体晶体管中的热电子注入来编程，以及通过所述穿隧元件中的穿隧来擦除，其中所述金属
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绝缘体
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金属电容器的所述底板作为控制栅极。2.根据权利要求1所述的浮动节点存储器元件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极通过第二层金属互连连接。3.根据权利要求1所述的浮动节点存储器元件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极通过第一层金属互连连接。4.根据权利要求1所述的浮动节点存储器元件，其特征在于：所述浮动节点存储器元件包含单一多晶硅层；所述第一多晶硅栅极为所述单一多晶硅层的第一部分；以及所述第二多晶硅栅极是所述单一多晶硅层的第二部分。5.根据权利要求1所述的浮动节点存储器元件，其特征在于，所述金属
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绝缘体
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金属电容器设置在所述P型金属氧化物半导体晶体管和所述穿隧元件之上。6.根据权利要求5所述的浮动节点存储器元件，其特征在于，所述金属
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绝缘体
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金属电容器的面积为所述浮动节点存储器元件的面积的50％至90％。7.根据权利要求5所述的浮动节点存储器元件，其特征在于，所述金属
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绝缘体
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金属电容器的所述导电顶板包含氮化钛材料。8.一种浮动节点存储器元件，其特征在于，包含：金属氧化物半导体晶体管，包含位于第一井区中的第一多晶硅栅极、源极区和漏极区；穿隧元件，包含在第二井区中的第二多晶硅栅极；金属
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绝缘体
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金属电容器，包含形成在金属互连层中的导电顶板和底板；其中，所述浮动节点存储器元件包含：浮动节点，包含耦接在一起的所述第一多晶硅栅极、所述第二多晶硅栅极、以及所述金属
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绝缘体
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金属电容器的所述导电顶板；控制节点，位于所述金属
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绝缘体
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金属电容器的所述底板；擦除节点，位于所述第二井区中；源极节...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴尔，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：