一种避免被分切芯片变形的原坯切割方法技术

本发明专利技术公开了一种避免被分切芯片变形的原坯切割方法，属于MLCC生坯切割技术领域，包括以下内容：S1在原坯上划出若干条等间距分布的切割标识线；S2先将原坯切割为第一分切单元，T/L

【技术实现步骤摘要】
一种避免被分切芯片变形的原坯切割方法


[0001]本专利技术涉及MLCC生坯切割
，特别是涉及一种避免被分切芯片变形的原坯切割方法。

技术介绍

[0002]MLCC是片式多层陶瓷电容器英文缩写(Multi
‑
layer ceramic capacitors)，由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
[0003]MLCC的制备流程包括配料、流延、印刷、叠层、制盖、层压、切割、排胶、烧结、倒角、端接、烧端、端头处理、外观挑选、测试、编带等步骤，现有技术如申请号为201811603510.2的专利技术专利和申请号为202011511739.0的专利技术专利，均采用从一侧开始对并排设置的多条切割标识线按顺序依次进行切割的方式，将原坯切割为若干个小的基板生坯，此种切割方式适用于分切距离L比原坯厚度T大且已分切侧的粘附力足够大的情况，如图1所示，在切刀逐渐切入原坯过程中，切刀受到的力为已分切侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免被分切芯片变形的原坯切割方法，其特征在于：包括以下内容：步骤S1：在原坯上依次划出若干条等间距分布的切割标识线，相邻两条所述切割标识线之间的距离L1与所需的分切块长度L相同，T/L1＞P，其中T为原坯厚度，L1为相邻两条所述切割标识线之间的距离，P为使切刀垂直切入的原坯厚度与分切距离的最大比值；步骤S2：将所述原坯切割为若干个大小相等的条状分切单元，所述步骤S2包括以下子步骤：步骤S21：将所述原坯切割成若干个第一分切单元：a.首先沿自左侧/后侧起的第一条切割标识线切割所述原坯，其次沿第2
m
+1条切割标识线切割所述原坯形成所述第一分切单元，所述第一分切单元包含2
m
‑1个二分小块，一个二分小块的长度为2L1，T/L
’
≤P，其中L
’
为所述第一分切单元的长度，m为≥1的整数；b.按照步骤a所述的方法依次切割所述原坯，直至将所述原坯分割为若干个大小相等的所述第一分切单元；步骤S22：将所述第一分切单元切割成若干个长度为L
’
的条状分切单元：c.沿所述第一分切单元的对称轴线切割所述第一分切单元形成两个大小相等的第二分切单元，若所述第二分切单元的长度L”＝L1则停止切割；反之则继续沿所述第二分切单元的对称轴线切割，直至切割所得的分切单元的长度＝L1为止；d.按照步骤c所述的方法依次切割其余的所述第一分切单元，直至完成对所有的所述第一分切单元的切割；步骤S3：转动载料台或所述切刀，使所述切刀与所述原坯表面另一方向的切割标识线相平行，按所述步骤S2中a至d的方法对所述条状分切单元进行切割，直至...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵文辉，
申请(专利权)人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：