一种复合运算放大器电路制造技术

技术编号:37268466 阅读:17 留言:0更新日期:2023-04-20 23:38
本发明专利技术公开一种复合运算放大器电路,属于模拟集成电路领域,包括基准电路、前置放大器和后置放大器;基准电路为前置放大器和后置放大器提供偏置电流,同时负责整体电路的安全启动;前置放大器的输入级和中间级采用差分放大结构,降低整体电路失调;同时搭配缓冲器,实现高增益的同时保证电路的稳定性;后置放大器采用差分输入级、电压跟随中间级以及B类输出级结构,并且加入过流保护模块,使整体电路实现持续的大功率输出。本发明专利技术采用高压双极工艺设计流片,结合高性能薄膜电阻,实现了宽电源电压范围、高速度、低噪声、低失调等优异特点,使得本发明专利技术可以作为音频前置放大器使用。得本发明专利技术可以作为音频前置放大器使用。得本发明专利技术可以作为音频前置放大器使用。

【技术实现步骤摘要】
一种复合运算放大器电路


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路
,特别涉及一种复合运算放大器电路。

技术介绍

[0002]运算放大器作为基础的电子元器件,在科技发展及生活应用中得到广泛使用。市面上不同类型的放大器都具有各自的优点,譬如高速、宽电压、高驱动、低失调、低噪声等,这些运算放大器往往不具备多个优异的性能指标,只在单一性能方面较为突出。例如单满足速度或单满足精度的运算放大器在市面上很容易获得,但是兼具两者性能的运算放大器反而没有。因此,复合运算放大器电路的出现顺利解决了这一问题,这一解决方案也成为了众多设计师的追求。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种复合运算放大器电路,以解决传统运算放大器优异性能单一的问题。
[0004]为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种复合运算放大器电路,包括基准电路、前置放大器和后置放大器;
[0005]所述基准电路为所述前置放大器和所述后置放大器提供偏置电流,同时负责整体电路的安全启动;
[0006]所述前置放大器,其输入级和中间级采用差分放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合运算放大器电路,其特征在于,包括基准电路、前置放大器和后置放大器;所述基准电路为所述前置放大器和所述后置放大器提供偏置电流,同时负责整体电路的安全启动;所述前置放大器,其输入级和中间级采用差分放大结构,降低整体电路失调;同时搭配缓冲器,实现高增益的同时保证电路的稳定性;所述后置放大器,采用差分输入级、电压跟随中间级以及B类输出级结构,并且加入过流保护模块,使整体电路实现持续的大功率输出。2.如权利要求1所述的复合运算放大器电路,其特征在于,所述基准电路包括电阻R1~R13、NPN管N1~N8、PNP管P1~P8和电流镜A1~A8;PNP管P1的发射极接电源电压V
DD
,基极同时接PNP管P2的集电极和PNP管P4的发射极,集电极同时接PNP管P3的发射极和PNP管P2的基极;PNP管P2的发射极通过电阻R10接电源电压V
DD
;PNP管P3的基极接自身集电极,集电极接电阻R1的第一端,电阻R1的第二端接负电源电压V
EE
;PNP管P4的基极接PNP管P3的基极,集电极同时接NPN管N1的集电极和基极;NPN管N1~N8的发射极分别通过电阻R2~R9接负电源电压V
EE
;NPN管N1~N8的基极互连;NPN管N3~N8的集电极分别连接电流源A1~A6;NPN管N2的集电极同时连接PNP管P5的集电极和PNP管P6的基极;PNP管P5的发射极通过电阻R11连接电源电压V
DD
,PNP管P5、P7、P8的基极互连;PNP管P6的发射极连接PNP管P5的基极,集电极连接负电源电压V
EE
;PNP管P7的发射极通过电阻R12连接电源电压V
DD
,集电极连接电流源A7;PNP管P8的发射极通过电阻R13连接电源电压V
DD
,集电极连接电流源A8。3.如权利要求2所述的复合运算放大器电路,其特征在于,所述电阻R1为限流电阻;所述PNP管P2为多管并联设计。4.如权利要求2所述的复合运算放大器电路,其特征在于,所述前置放大器包括NPN管N21~N24、PNP管P21~P24、电容C21~C22、电阻R21~R27、缓冲器B21~B22;NPN管N23和N24的源发射极分别连接电流A1和A2,集电极分别通过电阻R21和R22接电源电压V
DD
;NPN管N21和N22的发射极均连接电流源A3,集电极分别通过电阻R23和R24接电源电压V
DD
,基极分别连接NPN管N24的集电极和NPN管N23的集电极;PNP管P21、P22、P23的基极互连,PNP管P21的发射极连接NPN管N22的集电极,集电极连接电流源A4;PNP管P22的发射极连接NPN管N21的集电极,集电极连接电流源A5;PNP管P23的发射极通过电阻R25接电源电压V
DD
,集电极连接电流源A6;PNP管P24的发射极连接PNP管P23的基极,基极连接PNP管P23的集电极,集电极连接负电源电压V
EE
;电容C21的一端连接NPN管N23的集电极,另一端连接PNP管P21的集电极;电容C22的一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔祥艺韩前磊丁宁王成皓
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1