静态随机存取存储器的控制方法及装置制造方法及图纸

本公开是关于一种静态随机存取存储器的控制方法及装置，涉及静态随机存取存储器控制领域。其中，静态随机存取存储器SRAM位于电子设备中的嵌入式闪存内，该方法包括：确定电子设备的使用场景；根据使用场景，控制SRAM进入读取增强模式或写入增强模式。本公开提出的静态随机存取存储器的控制方法，可根据电子设备的使用场景，控制SRAM进入读取增强模式或写入增强模式，灵活调整SRAM中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例，优化资源分配与读取性能，可在一定程度上避免SRAM资源分配僵化及浪费。可在一定程度上避免SRAM资源分配僵化及浪费。可在一定程度上避免SRAM资源分配僵化及浪费。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器的控制方法及装置


[0001]本公开涉及静态随机存取存储器控制领域，尤其涉及一种静态随机存取存储器的控制方法及装置。

技术介绍

[0002]嵌入式闪存通过内部的静态随机存取存储器SRAM完成读写操作的缓冲，SRAM在读写操作中发挥着关键作用。在进行写入操作时，SRAM作为资料暂存空间用来暂存写入资料；在进行读取操作时，透过预先载入SRAM中的物理位置映射表作为实际资料读取位置的查询。因此，对于静态随机存取存储器SRAM的管理是整个读写过程中最为重要的部分之一。

技术实现思路

[0003]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种静态随机存取存储器的控制方法及装置。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种静态随机存取存储器的控制方法，所述静态随机存取存储器SRAM位于电子设备中的嵌入式闪存内，所述方法包括：
[0005]确定所述电子设备的使用场景；
[0006]根据所述使用场景，控制所述SRAM进入读取增强模式或写入增强模式。
[0007]在本公开一些实施例中，所述根据所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器的控制方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器SRAM位于电子设备中的嵌入式闪存内，所述方法包括：确定所述电子设备的使用场景；根据所述使用场景，控制所述SRAM进入读取增强模式或写入增强模式。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述使用场景，控制所述SRAM进入读取增强模式或写入增强模式，包括：确定所述使用场景的读写需求；响应于所述读写需求为读取需求大于写入需求，控制所述SRAM进入所述读取增强模式；或者，响应于所述读写需求为写入需求大于读取需求，控制所述SRAM进入写入增强模式。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述SRAM进入所述读取增强模式，包括：确定与所述使用场景对应的第一应用程序；根据所述第一应用程序，确定所述SRAM的第一推荐分配比例，并根据所述第一推荐分配比例，调整所述SRAM中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例；其中，所述第一推荐分配比例中所述映射表缓冲区所占比例大于所述写入缓冲区所占比例。4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述控制所述SRAM进入写入增强模式，包括：确定与所述使用场景对应的第二应用程序；根据所述第二应用程序，确定所述SRAM的第二推荐分配比例，并根据所述第二推荐分配比例，调整所述SRAM中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例；其中，所述第二推荐分配比例中所述映射表缓冲区所占比例小于所述写入缓冲区所占比例。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述电子设备的使用场景，包括：确定所述电子设备当前正在启动的应用程序；根据所述电子设备当前正在启动的应用程序，确定所述电子设备的使用场景。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述使用场景，控制所述SRAM进入读取增强模式或写入增强模式，包括：响应于所述当前正在启动的应用程序存在于预设的应用程序列表，根据所述使用场景，控制所述SRAM进入读取增强模式或写入增强模式。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：响应于所述当前正在启动的应用程序未存在于所述应用程序列表，控制所述SRAM中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例保持原始分配比例；和/或，响应于所述应用程序处于第一状态，控制所述SRAM中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例恢复成所述原始分配比例；其中，所述第一状态为退出状态或后台运行状态或关闭状态。8.一种静态随机存取存储器的控制装置，其特征在于，所述静态随机存取存储器SRAM位于电子设备中的嵌入式闪存内，所述装置包括：确定模块，用于确定所述电子设备的使用场景；控制模块，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山，林志明，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：