化学机械抛光垫及其制备制造技术

本发明专利技术涉及一种具有抛光层的化学机械抛光垫。该抛光层含有挤出片材。该挤出片材通过挤出混配的可光聚合组合物然后暴露于UV光来制备。制备。

【技术实现步骤摘要】
化学机械抛光垫及其制备
[0001]本专利技术总体上涉及先进半导体装置的化学机械抛光(CMP)领域。更具体地，本专利技术涉及一种CMP垫，以及制备该CMP垫的方法。
[0002]在集成电路以及其他电子装置的制造中，将多层导电材料、半导电材料以及介电材料沉积在半导体晶片的表面上或从半导体晶片的表面上去除。可以通过多种沉积技术来沉积导电材料、半导电材料以及介电材料的薄层。在现代加工中常见的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、以及电化学电镀(ECP)。
[0003]随着材料层被依次地沉积和去除，晶片的最上表面变成非平面的。因为后续的半导体加工(例如，金属化)要求晶片具有平坦的表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化可用于去除不希望的表面形貌和表面缺陷，诸如粗糙表面、附聚的材料、晶格损伤、划痕、以及被污染的层或材料。
[0004]化学机械平坦化、或化学机械抛光(CMP)是用于将衬底(诸如半导体晶片)平坦化的常见技术。在常规的CMP中，晶片被安装在托架组件上并且被定位成与CMP设备中的抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造挤出片材的方法，所述挤出片材待用作适用于抛光半导体衬底、光学衬底和磁性衬底中的至少一种的化学机械抛光垫中的抛光层，所述方法包括：(a)在挤出机中混配包含嵌段共聚物、可UV固化丙烯酸酯和光引发剂的可光聚合组合物；(b)将步骤(a)的混配混合物经片材模具挤出到支撑体上；(c)使步骤(b)的产物通过多个压延辊；(d)将步骤(c)的产物暴露于UV光源；其中所述嵌段共聚物以基于所述挤出片材的总重量大于50wt％的量存在，并且其中在步骤(d)中UV固化之后，所述抛光层具有在40至70范围内的肖氏D硬度。2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在步骤(c)与步骤(d)之间的压花步骤，以在所述步骤(c)的产物上形成图案。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述嵌段共聚物是三嵌段共聚物。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述三嵌段共聚物是苯乙烯嵌段共聚物。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述苯乙烯嵌段共聚物是一个或多个选自由以下组成的组的成员：苯乙烯
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丁二烯
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苯乙烯(SBS)嵌段共聚物、苯乙烯
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【专利技术属性】
技术研发人员：钱百年，R，
申请(专利权)人：杜邦电子公司，
类型：发明
国别省市：