一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法。该介质材料由原料包括BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、Bi2O3·

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法，属于陶瓷介质材料及其制备方法


技术介绍

[0002]交流瓷介电容器，一般用作跨接线电容器、天线耦合电容器、线路旁路电容器及防雷击等高压电容器。在当今电子信息时代，交流瓷介电容器的应用领域越来越广，需求量也越来越大，对介质瓷料交流抗电强度的要求也越来越高。
[0003]由于交流高压电容器是在高压交变电场下工作，容易产生电致伸缩和内电场应力，形成热量积累，造成介质开裂，最后导致介质击穿。这也是与在直流高压电场下工作产生介质击穿的不同之处。所以，对制作交流高压电容器瓷料的交流抗电强度就提出了更高要求。如何提高瓷料的交流抗电强度，则是研究交流高压电容器瓷料的技术关键和技术难点。
[0004]在近期国内专利可查到的同类产品有：
[0005]中国专利名称为“一种中低温烧结高压陶瓷电容器介质”，申请号为200410041863.X中公开了采用的配方是：BaTiO
3 6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料，其特征在于，其原料的组成按照重量百分比计为BaTiO
3 20
‑
65％，SrTiO
3 15
‑
50％，CaTiO
3 3
‑
10％，Bi2O3·
2TiO
2 5
‑
20％，SrBi2Nb2O
9 0.2
‑
2.0％，BiNaTi2O
61‑
5％，Nb2O
5 0.05
‑
0.8％，ZrO
2 0.1
‑
1.6％，ZnO 1
‑
5％，Bi2O
3 0.2
‑
1.8％和MnCO
3 0.1
‑
0.5％。2.如权利要求1所述的介质材料，其特征在于，所述BaTiO
3 20
‑
55％，SrTiO
3 24
‑
50％，CaTiO
3 5
‑
10％，SrBi2Nb2O
9 0.2
‑
2.0％，BiNaTi2O
6 2
‑
5％，Nb2O
5 0.05
‑
0.8％，ZnO 1.2
‑
5％。3.如权利要求1所述的介质材料，其特征在于，所述Bi2O3·
2TiO2由如下制备方法获得：将原材料Bi2O3和TiO2按1:2的摩尔比配料，混合后烘干，然后在1100℃
‑
1130℃保温3小时，固相反应合成Bi2O3·
2TiO2，冷却后研磨过180目筛备用。4.如权利要求1所述的介质材料，其特征在于，所述BiNaTi2O6由如下制备方法获得：将原材料Bi2O3、Na2CO3和TiO2按1:1:4的摩尔比配料，混合后进行烘干，然后在高温900℃
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳茹，袁峰，张慧，高艳，刘成，
申请(专利权)人：北京七星飞行电子有限公司，
类型：发明
国别省市：