一种在衬底上制造导电层的方法技术

一种在衬底（１）上制造导电层（５）的方法，包括在衬底（１）上沉积绝缘材料，例如光可确定绝缘材料（２），在绝缘材料中限定用于导电层（５）的凹槽（３），用前体材料填充凹槽（３）并且固化该材料以提供导电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及和使用该方法制造的装置，尤其是，但不专有地使用在衬底上制造导电层的光可确定的金属镶嵌工艺，例如在有源矩阵显示器(AMLCD)中作为寻址线使用的。
技术介绍
随着LCD矩阵阵列变得越来越大和越来越复杂，获得低电阻寻址线的需求逐渐变得越来越重要。减小线电阻的一种方法是例如使用金属镶嵌工艺制造更厚的寻址线。WO-A-02/47447公开了一种方法，通过使用可固化的、非导电的沉积液体和在干燥以形成导电轨迹的凹槽中沉积液体来印刷三维凹槽，使用喷墨打印头形成印刷电路板。在这种情况中，通过印刷在它的任一侧上的壁来限定凹槽。然而，喷墨方法特别不适用于获得大面积上的覆盖层，如LCD矩阵阵列所需要的。另外，由于沿着凹槽的边缘需要重叠的液滴，所以喷墨方法将遭受具有周期性的不利条件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述问题。本专利技术的目的在于还提供限定用于接收导电材料的凹槽的替换方法。根据本专利技术的第一个方面，提供了，包括步骤使用光可确定绝缘材料来限定用于导电层的凹槽，和用能够形成导电层的材料填充凹槽。在光可确定绝缘材料中限定的凹槽可以具有陡峭的壁，并因此可以提供导电材料的良好限制。它还可能产生具有圆形顶端边缘的凹槽，其可能参与阻止在连续层中形成断裂，这些层沉积在凹槽上并下降到凹槽中以连接到其内部的导电材料。可以方便地使用该方法以在有源矩阵液晶显示器中使用的衬底上提供导电层。根据本专利技术，提供了一种装置，包括用光可确定绝缘材料覆盖的衬底，该材料具有用于将导电层限定在其中的凹槽。该装置还可以包括在凹槽中的导电层。该装置可以是有源矩阵液晶显示器。根据本专利技术的第二个方面，提供了，包括限定用于导电层的凹槽和将能够形成导电层到凹槽中的材料整平(blading)的步骤。根据本专利技术的第二个方面，对于传印平板印刷工艺(offsetlithography printing process)通常在刻版的填充中使用的整平技术可以有利地适合用于在衬底上制造导电层。该方法可以提供用平均数量的材料填充凹槽的非常快速的方法。可以通过将绝缘层印刷到衬底上限定该凹槽，以便限定凹槽或者通过将材料沉积到衬底上以及由此限定沉积材料中的凹槽，沉积材料可以是光可确定绝缘体。根据本专利技术的第三个方面，提供了一种在用于有源矩阵液晶显示器的衬底上制造导电层的方法，该方法包括将绝缘材料印刷到衬底的步骤，使得印刷的材料限定用于导电层的凹槽并且用能够形成导电层的材料填充凹槽。在用于有源矩阵液晶显示器的衬底的制造中可以有利地使用印刷技术。附图说明为了更好地理解本专利技术，现在将参考附图，完全地借助于实例描述其实施例。图1是包括在薄膜晶体管(TFT)的AMLCD的示意图；图2a到2f描述了制造根据本专利技术的导电层，例如图1中的行或者列地址线的步骤；图3是解释用于制造图2的图2a到2c中的阶段的工艺的流程图；图4是描述根据本专利技术用于在衬底上制造凹槽的替换工艺的流程图；图5是描述根据本专利技术用于在衬底上制造凹槽的另一替换工艺的流程图；图6是描述了需要填充根据本专利技术制造的凹槽以便于在凹槽中制造导电层的步骤的流程图；和图7是具有大量印刷到其上的绝缘材料以限定凹槽的衬底的平面图。具体实施例方式参考图1，可以在光学上透明的电绝缘衬底1上形成AMLCD板，以本领域公知的方式在其上设置LCD像素P的有源开关矩阵。直接参考我们的EP-A-0629003。例如对于用于硅显示器上的液晶，衬底还可以是半导电的，或者和TFT以及其它导电元件下面的绝缘层是导电的，以阻止短路。以矩形的x，y阵列排列像素Px，y，并由x和y驱动电路通过行和列寻址线驱动。通过例子考虑像素P0，0，它包括液晶显示元件L0，0，借助于TFT0，0液晶显示元件L0，0在不同的光透射率之间转换，TFT0，0具有连接到驱动线x0的它的栅极以及耦接到驱动线y0的它的源极。通过给线x0，y0施加适当的电压，晶体管TFT0，0可以接通和断开，并由此控制LCD元件L0，0的操作。将可以理解的是，显示器的每个像素P是相似的结构，以及当实质上以公知方式运行x和y驱动器电路时可以逐行扫描像素。参考图2a到2f，图2a描述了处理之前的衬底1，例如玻璃衬底。图2b示出了用光可确定绝缘材料2覆盖的衬底1。图2c描述了形成在绝缘材料2中的凹槽3，在凹槽3的顶部有圆形的边缘4。图2d描述了用导电墨水5填充的凹槽3。图2e描述了固化之后的导电墨水5以及图2f描述了光可确定绝缘材料2的层已经被减小了厚度之后得到的结构。参考图2和3，光可确定绝缘材料2例如是HD MicrosystemsTMPI-2730系列聚酰亚胺材料，例如PI-2731或者HD MicrosystemsTMHD8000系列聚酰亚胺材料。对本领域技术人员需要处理这种和其它类似的光可确定材料步骤是公知的，并因此将只在该说明书的概要中描述。对于其它的细节，直接参考HD MicrosystemsTMPI-2730 Series LowStress Photodefinable Polyimide Product Information and ProcessGuidelines。以很多方式中的任一种，包括旋涂、印刷、喷射或者整平(步骤s1)将光可确定绝缘材料2沉积到衬底上。然后使用烘焙工艺将材料2部分固化(步骤s2)，其允许绝缘材料干燥，但是可溶解在显影溶液中。然后，使用水银宽带频谱或者G线，通过曝光除了凹槽3之外的所有区域来产生所需的凹槽图案(步骤s3)。PI-2730系列材料是例如负性工作的，使得曝光的部分变得不可溶。然后，例如使用HD MicrosystemsTMDE-9040显影溶液来显影得到的材料，并用HD MicrosystemsTMRI-9140冲洗溶液或者N-乙酸丁酯清洗(步骤s4)。然后进行最终的固化步骤(步骤s5)。如图2c所示，该材料易于以曲线轮廓被留下，这是有利的，因为随后层可以通过凹槽的顶部上面，并连接到在平滑边缘4具有降低了断裂可能性的凹槽内部中的任何结构。根据使用的绝缘材料，有多种用于限定凹槽的替换方法，其对于本领域的技术人员将是公知的。例如，参考图4，对于光可确定或者非光可确定的绝缘材料，通过任何适当的方法将材料2沉积在衬底1上(步骤s10)，完全固化该材料(步骤s11)，以及然后将金属层例如铝溅射到绝缘体上以在原位置形成硬掩模(步骤s12)。用光致抗蚀剂涂覆金属层(步骤s13)并预烘焙它(步骤s14)。然后曝光所需的凹槽图案(步骤s15)，对其显影(s16)和光致抗蚀剂后焙烘(s17)。湿法刻蚀凹槽中的曝光金属(步骤s18)以限定下面的绝缘材料2中的凹槽图案。然后可以剥离光致抗蚀剂(步骤s19)以及然后干法刻蚀该金属层下面的有机绝缘体2(步骤s20)以限定凹槽3。可选择地，与其在步骤s19剥离光致抗蚀剂，倒不如可以省略该步骤，在这种情况中在步骤s20中使用蚀刻剂将去除光致抗蚀剂。最后，剥离金属掩模以构成图2c所示的结构(步骤s21)。在图5所示的另一例子中，绝缘材料2被沉积(步骤s30)、部分固化(步骤s31)、用光致抗蚀剂涂覆(步骤s32)和曝光光致抗蚀剂(步骤s33)以限定凹槽图案。然后显影光致抗蚀剂(步骤s34)，并持续还被称作湿法刻蚀工艺的显影，以去除有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底（１）上制造导电层（５）的方法，包括步骤：使用光可确定绝缘材料（２）限定用于导电层（５）的凹槽（３）；和用能够形成导电层（５）的材料填充凹槽（３）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JA查普曼，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]