一种纳米导光板网点的加工方法技术

本发明专利技术属于导光板制备技术领域，尤其涉及一种纳米导光板网点的加工方法，包括如下步骤：步骤一：在玻璃基板上涂覆光刻胶；步骤二：将菲林光罩放置在玻璃基板涂覆光刻胶的一面；步骤三：紫外曝光，紫外波长范围为395nm～405nm，再显影，将菲林光罩上对应的导光网点图像转移至光刻胶上；步骤四：蚀刻液喷淋在玻璃基板涂覆光刻胶的一面25秒～30秒，直至蚀刻得到具有导光网点的导光板，导光网点的凹坑直径最小可达到50nm，导光网点最小直径的凹坑其最大深度可达到15nm，导光网点的凹坑深度随其直径尺寸增大而加深；其中，蚀刻液由氢氟酸溶液和硫酸溶液混合得到。和硫酸溶液混合得到。和硫酸溶液混合得到。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米导光板网点的加工方法


[0001]本专利技术属于导光板制备
，尤其涉及一种纳米导光板网点的加工方法。

技术介绍

[0002]在液晶显示器中，导光板主要用于将LED光源发出的线光源转换成面光源以使显示画面的亮度均匀。导光板的功能主要取决于导光板上的导光网点的设置，玻璃基材的导光板因强度高，现有大尺寸和轻薄化的液晶显示器中一般选择玻璃基材的导光板。导光板的纳米级导光网点肉眼完全不可见，更适用于前置导光板，现有微米级别的导光网点肉眼可以分辨，相较于微米级别的导光网点用纳米级别的导光网点，导光更均匀，且肉眼观察完全不可见，图像清晰度高。常用制作玻璃导光板的工艺为丝网印刷、激光打点或喷墨打印，其中丝网印刷无法加工微米级别的导光网点，而激光打点效率低，喷墨打印油墨的导光颗粒一般在微米级别，无法加工纳米级别的导光网点。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术存在的难以在玻璃基材的导光板上得到纳米级的导光网点的问题，本专利技术提供一种纳米导光板网点的加工方法。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案如下，一种纳米导光板网点的加工方法，包括如下步骤：
[0005]步骤一：在玻璃基板上涂覆光刻胶；
[0006]步骤二：将菲林光罩放置在玻璃基板涂覆光刻胶的一面；
[0007]步骤三：紫外曝光，紫外波长范围为395nm～405nm，再显影，将菲林光罩上对应的导光网点图像转移至光刻胶上；
[0008]步骤四：蚀刻液喷淋在玻璃基板涂覆光刻胶的一面25秒～30秒，直至蚀刻得到具有导光网点的导光板，导光网点的凹坑直径最小可达到50nm，导光网点最小直径的凹坑其最大深度可达到15nm，导光网点的凹坑深度随其直径尺寸增大而加深；其中，蚀刻液由氢氟酸溶液和硫酸溶液混合得到。
[0009]作为优选，步骤四中的氢氟酸溶液的质量分数为10％，硫酸溶液的质量分数为5％～10％。光刻胶、菲林光罩、紫外曝光、显影再加上蚀刻液，确保玻璃基板在蚀刻液中浸泡25秒～30秒得到的导光网点的凹坑非常细小。
[0010]进一步地，步骤四中采用流水线喷淋蚀刻液的方式实现玻璃基板在蚀刻液中浸泡25秒；步骤四中的硫酸溶液的质量分数为10％。光刻胶、菲林光罩、紫外曝光、显影再加上蚀刻液，确保玻璃基板在蚀刻液中浸泡25秒～30秒得到的导光网点的凹坑非常细小。
[0011]作为优选，当导光板的侧方设置有LED光源，步骤四中得到的导光网点的覆盖率向远离LED光源的方向逐渐增大。有效避免靠近LED光源的折射光线较亮，远离LED光源的折射光线较暗，确保光线的均匀性，有效避免局部过暗或过亮。
[0012]进一步地，导光网点的凹坑呈圆形。确保导光网点对LED光线的高折射效率，且导
光网点圆形的凹坑便于加工制作。
[0013]进一步地，导光网点的凹坑直径随远离LED光源的方向逐渐增大；或者，导光网点的凹坑大小均相同，导光网点的凹坑密度随远离LED光源的方向逐渐增大。有效避免靠近LED光源的折射光线较亮，远离LED光源的折射光线较暗，且导光网点的凹坑形式便于加工制作。
[0014]有益效果：本专利技术的纳米导光板网点的加工方法，结合光刻胶、菲林光罩、紫外曝光、显影再加上蚀刻液，确保玻璃基板上得到的导光网点的凹坑非常细小，确保导光网点颗粒均匀，形状规则，且蚀刻效率高，可在几十秒内完成单片几千万乃至几亿颗网点，保证导光板的导光网点达到纳米级别完全不可见，对LED光线的折射效率高，且出光均匀，有效避免靠近LED光源的折射光线较亮，远离LED光源的折射光线较暗。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
[0016]图1是本专利技术纳米导光板网点的加工方法的流程示意图；
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]实施例
[0019]如图1所示，一种纳米导光板网点的加工方法，包括如下步骤：
[0020]步骤一：在玻璃基板上涂覆光刻胶；
[0021]步骤二：将菲林光罩放置在玻璃基板涂覆光刻胶的一面；
[0022]步骤三：紫外曝光，紫外波长范围为395nm～405nm，再显影，将菲林光罩上对应的导光网点图像转移至光刻胶上；
[0023]步骤四：蚀刻液喷淋在玻璃基板涂覆光刻胶的一面25秒～30秒，直至蚀刻得到具有导光网点的导光板，导光网点的凹坑直径最小可达到50nm，导光网点最小直径的凹坑其最大深度可达到15nm，导光网点的凹坑深度随其直径尺寸增大而加深，一般最大深度可达直径尺寸的1/3；其中，蚀刻液由氢氟酸溶液和硫酸溶液混合得到。
[0024]为了确保玻璃基板在蚀刻液中浸泡25秒～30秒得到的导光网点的凹坑非常细小，在本实施例中，步骤四中采用流水线喷淋蚀刻液的方式实现玻璃基板在蚀刻液中浸泡25秒～30秒；步骤四中的氢氟酸溶液的质量分数为10％，硫酸溶液的质量分数为5％～10％；具体地，在本实施例中，步骤四中采用流水线喷淋蚀刻液的方式实现玻璃基板在蚀刻液中浸泡25秒；步骤四中的硫酸溶液的质量分数为10％。
[0025]当导光板的侧方设置有LED光源，步骤四中得到的导光网点的覆盖率向远离LED光源的方向逐渐增大，有效避免靠近LED光源的折射光线较亮，远离LED光源的折射光线较暗，确保光线的均匀性，有效避免局部过暗或过亮；具体地，在本实施例中，为了便于加工制作导光网点的凹坑，导光网点的凹坑呈圆形；导光网点的凹坑直径随远离LED光源的方向逐渐增大；或者，导光网点的凹坑大小均相同，导光网点的凹坑密度随远离LED光源的方向逐渐增大。
[0026]以上，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米导光板网点的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：在玻璃基板上涂覆光刻胶；步骤二：将菲林光罩放置在玻璃基板涂覆光刻胶的一面；步骤三：紫外曝光，紫外波长范围为395nm～405nm，再显影，将菲林光罩上对应的导光网点图像转移至光刻胶上；步骤四：蚀刻液喷淋在玻璃基板涂覆光刻胶的一面25秒～30秒，直至蚀刻得到具有导光网点的导光板，导光网点的凹坑直径最小可达到50nm，导光网点最小直径的凹坑其最大深度可达到15nm，导光网点的凹坑深度随其直径尺寸增大而加深；其中，蚀刻液由氢氟酸溶液和硫酸溶液混合得到。2.根据权利要求1所述的纳米导光板网点的加工方法，其特征在于：步骤四中的氢氟酸溶液的质量分数为10％，硫酸溶液的质量分数...

【专利技术属性】
技术研发人员：李飞，李琳，陈雪莲，林金锡，林金汉，
申请(专利权)人：常州亚玛顿股份有限公司，
类型：发明
国别省市：