电流镜电路制造技术

本发明专利技术提供了一种电流镜电路，包括：参考电流提供单元，其包括晶体管MN1和晶体管MN2，并且被配置为根据第一电流源Iin来为电流镜电路提供参考电流Iref；电流镜像单元，其包括晶体管MP1和晶体管MP2，并且被配置为根据参考电流Iref来提供镜像电流Iout；以及环路增强缓冲器，其被配置为在晶体管MP1的栅极和漏极之间形成环路反馈。形成环路反馈。形成环路反馈。

【技术实现步骤摘要】
电流镜电路


[0001]本专利技术涉及射频集成电路领域，并且具体地，涉及用于一种应用于移动终端的宽带高电源抑制比电流镜电路结构。

技术介绍

[0002]在通常的混合信号系统产品中往往存在一个主的高电压域，而各个子系统通过使用低压差线性稳压器(LDO)挂载到该主电压域上来实现为各自子系统供电。图1是示出了传统的混合信号系统的示意图。参考图1，由于外部的直接馈通及内部各个模块的动态电流变化通常会导致该主电压域上具有较大的噪声信号。任何需要挂载到该主电压域上的模拟模块都需要重点考虑该噪声可能带来的潜在影响。

技术实现思路

[0003]为了直接利用主电压域的高电压特性，本专利技术提出了一种可以直接挂载到其上的高电源抑制比(PSR)的电流镜结构，其可以非常有效地抑制电源上的噪声干扰。
[0004]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，包括：参考电流提供单元，其包括晶体管MN1和晶体管MN2，并且被配置为根据第一电流源Iin来为电流镜电路提供参考电流Iref；电流镜像单元，其包括晶体管MP1和晶体管MP2，并且被配置为根据参考电流Iref来提供镜像电流Iout；以及环路增强缓冲器，其被配置为在晶体管MP1的栅极和漏极之间形成环路反馈。
[0005]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，晶体管MN1和晶体管MN2的源极接地，晶体管MN1和晶体管MN2的栅极互连，并且其中，晶体管MN2的漏极与第一电流源Iin连接，并且晶体管MN1的漏极与电流镜像单元连接。
[0006]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，晶体管MP1和晶体管MP2的源极与电源电压vdd连接，晶体管MP1和晶体管MP2的栅极互连，并且其中，晶体管MP1的漏极连接到所述晶体管MN1的漏极并且晶体管MP2的漏极与负载连接以向负载提供镜像电流Iout。
[0007]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，环路增强缓冲器被配置为单端输入单端输出缓冲器结构。
[0008]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，所述环路增强缓冲器包括晶体管MP3，其中，晶体管MP3的栅极连接到晶体管MP1的漏极，晶体管MP3的漏极连接到接地节点，并且晶体管MP3的源极与晶体管MP1的栅极连接。
[0009]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，环路增强缓冲器还包括第二电流源，所述第二电流源被配置为与晶体管MP3的源极连接。
[0010]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，环路增强缓冲器被配置为差分输入单端输出缓冲器结构。
[0011]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，所述环路增强缓冲器包括第一运算放大器OP1，其中，第一运算放大器OP1的+输入端连接到晶体管MP1的漏极，第一运算放大器
OP1的
‑
输入端被连接到第一偏置电压Vb，并且第一运算放大器OP1的输出端连接到晶体管MP1的栅极。
[0012]本专利技术的一方面提供一种电流镜电路，其中，环路增强缓冲器还包括第一电容器C1和第一电阻器R1，所述第一电容器C1和第一电阻器R1被配置为串联连接在电源电压和第一运算放大器OP1的输出端之间。
附图说明
[0013]图1是示出了传统的混合信号系统的示意图；
[0014]图2是示出了传统的电流镜结构的示意图；
[0015]图3是示出了传统电流镜结构的电源抑制比曲线的示意图；
[0016]图4是示出了根据本专利技术一个实施例的宽带高电源抑制比电流镜结构的示意图；
[0017]图5是示出了根据本专利技术一个实施例的宽带高电源抑制比电流镜结构的电路图；
[0018]图6是示出了根据本专利技术一个实施例的采用单端输入单端输出的环路增强缓冲器的电流镜结构的电源抑制比曲线的示意图；
[0019]图7是示出了根据本专利技术另一个实施例的宽带高电源抑制比电流镜结构的示意图；
[0020]图8是示出了根据本专利技术另一个实施例的宽带高电源抑制比电流镜结构的电路图；以及
[0021]图9是示出了根据本专利技术另一个实施例的采用差分输入单端输出的环路增强缓冲器的电流镜结构的电源抑制比曲线的示意图。
具体实施方式
[0022]在进行下面的详细描述之前，阐述贯穿本专利文件使用的某些单词和短语的定义可能是有利的。术语“耦接”“连接”及其派生词指两个或多个元件之间的任何直接或间接通信或者连接，而无论那些元件是否彼此物理接触。术语“传输”、“接收”和“通信”及其派生词涵盖直接和间接通信。术语“包括”和“包含”及其派生词是指包括但不限于。术语“或”是包含性的，意思是和/或。短语“与
……
相关联”及其派生词是指包括、包括在
……
内、互连、包含、包含在
……
内、连接或与
……
连接、耦接或与
……
耦接、与
……
通信、配合、交织、并列、接近、绑定或与
……
绑定、具有、具有属性、具有关系或与
……
有关系等。术语“控制器”是指控制至少一个操作的任何设备、系统或其一部分。这种控制器可以用硬件、或者硬件和软件和/或固件的组合来实施。与任何特定控制器相关联的功能可以是集中式的或分布式的，无论是本地的还是远程的。短语“至少一个”，当与项目列表一起使用时，意指可以使用所列项目中的一个或多个的不同组合，并且可能只需要列表中的一个项目。例如，“A、B、C中的至少一个”包括以下组合中的任意一个：A、B、C、A和B、A和C、B和C、A和B和C。
[0023]贯穿本专利文件提供了其他特定单词和短语的定义。本领域普通技术人员应该理解，在许多情况下，即使不是大多数情况下，这种定义也适用于这样定义的单词和短语的先前和将来使用。
[0024]在本专利文件中，模块的应用组合以及子模块的划分层级仅用于说明，在不脱离本公开的范围内，模块的应用组合以及子模块的划分层级可以具有不同的方式。
[0025]虽然在本申请的附图中示出了关于本专利技术实施例的示例，但是本领域技术人员应该理解，可以在不脱离本专利技术范围的情况下对附图中的模块和组件进行修改，例如，可以将附图中的单个组件划分为分离的多个组件，或者或者可以将附图中的多个组件组合为单个组件。此外，在不脱离本专利技术范围的情况下，将不同实施例中的组件进行组合也是可能的。
[0026]图2是示出了传统的电流镜结构的示意图。
[0027]参考图2，晶体管MP1和MP2构成电流镜结构，其中，晶体管MP1和MP2的尺寸分别为(W/L)1和(W/L)2，并且其中，分别通过MP1和MP2的电流Iref和Iout的关系如下的公式1所示：
[0028][0029]为了实现好的电源抑制比，通常需要Vg对Vdd的跟随。通过小信号分析很容易得到下面的公式2
‑
4：
[0030][0031]L＝gm1*Zg
ꢀꢀꢀ
公式3
[0032][0033]其中，Zd为晶体管MP1漏极节点上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流镜电路，包括：参考电流提供单元，其包括晶体管MN1和晶体管MN2，并且被配置为根据第一电流源Iin来为电流镜电路提供参考电流Iref；电流镜像单元，其包括晶体管MP1和晶体管MP2，并且被配置为根据参考电流Iref来提供镜像电流Iout；以及环路增强缓冲器，其被配置在晶体管MP1的栅极和漏极之间形成环路反馈。2.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中，晶体管MN1和晶体管MN2的源极接地，晶体管MN1和晶体管MN2的栅极互连，并且其中，晶体管MN2的漏极与第一电流源Iin连接，并且晶体管MN1的漏极与电流镜像单元连接。3.根据权利要求2所述的电流镜电路，其中，晶体管MP1和晶体管MP2的源极与电源电压vdd连接，晶体管MP1和晶体管MP2的栅极互连，并且其中，晶体管MP1的漏极连接到所述晶体管MN1的漏极并且晶体管MP2的漏极与负载连接以向负载提供镜像电流Iout。4.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中，环路增强缓冲器被配置为单端输入单端输出缓冲器结构。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊，许东华，王浩然，钱永学，黄鑫，
申请(专利权)人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：