光刻对准标记及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种光刻对准标记，包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。本发明专利技术解决了在深硅刻蚀工艺层中现有的常规对准标记图形线宽因不满足设计要求会造成缺陷的问题。因不满足设计要求会造成缺陷的问题。因不满足设计要求会造成缺陷的问题。

【技术实现步骤摘要】
光刻对准标记及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种光刻对准标记及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]集成电路制造过程中，光刻是一个重要的工艺流程，其通过涂覆光刻胶、曝光和显影将设计的图形转移到光刻胶上，再通过刻蚀将图形转移到硅片上。在光刻过程中，为保证器件各层间的套刻精度，通常会在前层工艺层次中放置对准标记以为后续层次进行对准。
[0003]在MIM电容和2.5D工艺中为了增加电容单位容值，都会采用深硅刻蚀工艺层，并且此层往往会作为后续层次的对准层。若深硅刻蚀工艺层作为对准层，此层采用的常规光刻对准标记图形的线宽较大，由于对准标记图形的线宽较大在进行后续层次的光刻工艺时，导致有些区域的光刻胶涂布会不平，有凹陷，从而使得这些区域失焦造成不良曝光，而且这些区域的侧壁光刻胶厚度会比其他地方薄得多，导致在显影中侧壁光刻胶可能会脱落形成缺陷，常规光刻对准标记图形的线宽因不满足设计要求会造成前面所述的缺陷问题。因此为了控制后续工艺的套刻精度，目前通常做法是额外引入一层对准层以给后续工艺层次做对准，此方法虽然解决了缺陷问题，但这样不仅增加了工艺层次，还增加了工艺成本。
[0004]因此，有必要开发一种新的光刻对准标记及其制备方法和应用，以避免现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种光刻对准标记及其制备方法和应用，以解决在深硅刻蚀工艺层中现有的常规对准标记图形线宽因不满足设计要求会造成缺陷的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的所述光刻对准标记，包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。
[0007]可选的，所述沟槽的结构参数包括线宽和深度。
[0008]可选的，所述沟槽的线宽为0.45
‑
0.55微米，所述沟槽的深度为4.5
‑
5.5微米。
[0009]可选的，所述沟槽的线宽和所述沟槽的深度的比例为1:10。
[0010]可选的，所述沟槽的边缘侧壁为平面，所述沟槽的边缘侧壁与所述沟槽的底部之间的夹角为88
‑
90
°
。
[0011]可选的，相邻所述沟槽的间距为0.5微米。
[0012]本专利技术的另一目的提供了一种光刻对准标记的制备方法，包括以下步骤：光刻对准标记设置于掩膜版，利用光刻和深硅刻蚀工艺将所述掩膜版上的所述光刻对准标记转移到基底上以形成沟槽，所述沟槽在所述基底上形成的图形为所述光刻对准标记。
[0013]本专利技术的又一目的提供了一种光刻对准标记的应用，包括以下步骤：将光刻对准标记放置于深硅刻蚀工艺层，然后以所述深硅刻蚀工艺层作为对准层进行曝光。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的光刻对准标记的图形示意图；
[0015]图2为图1的局部放大图；
[0016]图3为本专利技术的光刻对准标记被填满而不产生空洞的示意图；
[0017]图4为本专利技术的光刻对准标记的图形信号可信度的示意图；
[0018]图5为本专利技术的深硅刻蚀层为对准层的示意图。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0020]本专利技术的一些实施例，所述光刻对准标记包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数是由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。根据所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定所述沟槽的结构参数，使得沟槽的结构参数不会因为结构参数较大导致深硅刻蚀工艺层的某些区域的光刻胶涂布不平以及导致显影中侧壁光刻胶可能会脱落形成缺陷，最终使得深硅刻蚀工艺层能够作为对准层以进行后续操作且能够控制后续工艺的套刻精度，本专利技术的光刻对准标记解决了在深硅刻蚀工艺层中现有的常规对准标记图形线宽因不满足设计要求会造成缺陷的问题。
[0021]本专利技术的一些实施例，所述沟槽的结构参数包括线宽和深度。
[0022]本专利技术的一些实施例，所述沟槽的线宽为0.45
‑
0.55微米，所述沟槽的深度为4.5
‑
5.5微米。一些具体实施例，所述沟槽的线宽为0.46微米、0.47微米、0.48微米、0.49微米、0.50微米、0.51微米、0.52微米、0.53微米、0.54微米中的任意一种，所述沟槽的深度为4.6微米、4.7微米、4.8微米、4.9微米、5.0微米、5.1微米、5.2微米、5.3微米、5.4微米中的任意一种。
[0023]本专利技术的一些实施例，所述沟槽的线宽和所述沟槽的深度的比例为1:10。
[0024]本专利技术的一些具体实施例，所述沟槽的边缘侧壁为平面，所述沟槽的边缘侧壁与所述沟槽的底部之间的夹角为88
‑
90
°
。一些具体实施例，所述沟槽的边缘侧壁与所述沟槽的底部之间的夹角为89
°
。
[0025]本专利技术的一些实施例，相邻所述沟槽的间距为0.5微米。
[0026]本专利技术的实施例又提供了一种光刻对准标记的制备方法，包括以下步骤：光刻对准标记设置于掩膜版，利用光刻和深硅刻蚀工艺将所述掩膜版上的所述光刻对准标记转移到基底上以形成沟槽，所述沟槽在所述基底上形成的图形为所述光刻对准标记。
[0027]本专利技术的实施例，提供了一种光刻对准标记的应用，包括以下步骤：将光刻对准标记放置于深硅刻蚀工艺层，然后以所述深硅刻蚀工艺层作为对准层进行曝光。后续工艺层用深硅刻蚀工艺层作为对准层进行曝光，从而保证深硅刻蚀工艺层与后续工艺层之间的套
刻精度。
[0028]以下通过具体的实施例对本专利技术实施例技术方案进行详细阐述。
[0029]实施例
[0030]实施例1
[0031]光刻对准标记设置于掩膜版，利用光刻和深硅刻蚀工艺将掩膜版上的光刻对准标记转移到基底上以形成沟槽，沟槽在基底上形成的图形为本专利技术的光刻对准标记，光刻对准标记包括第一图形和第二图形，第一图形中的沟槽的线宽为0.45μm，第一图形中的沟槽的深度为4.5μm，第一图形中的相邻沟槽的间距为0.5μm，第二图形中的沟槽的线宽为0.45um，第二图形中的沟槽的深度为4.5μm，第二图形中的相邻沟槽的间距为0.5μm。
[0032]实施例2
[0033]光刻对准标记设置于掩膜版，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻对准标记，其特征在于，包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。2.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的结构参数包括线宽和深度。3.根据权利要求2所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的线宽为0.45
‑
0.55微米，所述沟槽的深度为4.5
‑
5.5微米。4.根据权利要求2所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的线宽和所述沟槽的深度的比例为1:10。5.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的边缘侧壁为平面，所述沟槽的边缘侧壁与所述沟槽的底部之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：厉巧巧，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：