复合材料和量子点发光二极管制造技术

本申请公开了一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。复合材料包括金属氧化物纳米材料及第一配体和/或第二配体，第一配体包括卤素取代的烷基羧酸盐、卤素取代的烷基磷酸酯盐或卤素取代的烷基磺酸盐中的一种或多种，第二配体为具有至少一个氨基的共轭分子。采用复合材料制备量子点发光二极管的空穴注入层，增加了金属氧化物纳米材料的分散性，使空穴注入层膜层更加均匀，提高了空穴注入效率，使量子点发光二极管更加稳定。使量子点发光二极管更加稳定。使量子点发光二极管更加稳定。

【技术实现步骤摘要】
复合材料和量子点发光二极管


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种复合材料和量子点发光二极管。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dot)具有独特的光学特点：尺寸可调的发光光谱、窄的发射光谱、高的发光效率等特点。量子点的这些优异的性能和特点，使其成为了下一代平板技术的极好的选择。QLED(Quantum dot light
‑
emitting diode，量子点电致发光二极管)显示器件是采用量子点作为发光源的一种电致发光器件。在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入量子点发光层的价带能级和导带能级，当从激发态而回到稳定的基态时，释放出光子。其在最新的研究成果中已经表现出优异的器件性能，QLED在色饱和度、稳定性和成本上与传统的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二管)相比也表现出了很好的竞争优势。
[0003]在目前所研究的QLED器件中，最常用的空穴注入层材料是聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括金属氧化物纳米材料及第一配体和/或第二配体，所述第一配体包括卤素取代的烷基羧酸盐、卤素取代的烷基磷酸酯盐或卤素取代的烷基磺酸盐中的一种或多种，所述第二配体为具有至少一个氨基的共轭分子。2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述第一配体的带负电的配位基团通过阴阳离子结合的方式结合于所述金属氧化物纳米材料表面缺陷，所述第二配体的氨基与所述金属氧化物纳米材料的金属离子配位结合。3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述第一配体和所述金属氧化物纳米材料的质量比为(0.6～1):1；和/或，所述金属氧化物纳米材料和所述第二配体的质量比为1：(3～5)。4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述卤素取代的烷基羧酸盐包括氟取代的烷基羧酸盐；和/或，所述卤素取代的烷基磷酸酯盐包括氟取代的烷基磷酸酯盐；和/或，所述卤素取代的烷基磺酸盐包括氟取代的烷基磺酸盐。5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述氟取代的烷基羧酸盐的化学通式为C
n
F
2n+1
COOM1，所述氟取代的烷基磷酸酯盐的化学通式为CF3(CF2)
m
CH2CH2OP(O)(OH)2，所述氟取代的烷基磺酸盐的化学通式为C
n
F
2n+1
SO3M2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田鹍飞，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：