一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法，其中一实施例的显示基板包括：屏下摄像区和至少部分围绕屏下摄像区的显示区，屏下摄像区包括：衬底；设置在衬底上的阵列排布的多个子像素以及位于所述多个子像素之间的透光区，所述多个子像素中的至少一个子像素包括发光元件，所述发光元件包括依次远离所述衬底的第一电极、有机发光层和第二电极；位于所述第二电极之间的透光膜，所述透光膜在衬底上的正投影与所述透光区在衬底上的正投影至少部分交叠，透光膜的透光率大于第二电极的透光率。本发明专利技术提供的实施例通过设置在第二电极之间且与透光区对应的透光膜，能够降低因第二电极反射导致的显示不良，有效提高显示基板的显示效果。显示基板的显示效果。显示基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法。

技术介绍

[0002]近几年，高屏占比显示成为高端手机追求的一大卖点，越来越多的手机采用打孔的屏幕来处理摄像头的位置，但是屏幕的显示中间存在一个黑点，始终会影响手机的美观，所以采用透明显示技术的屏下摄像头应运而生。
[0003]然而，屏下摄像头区域的显示效果与周围区域的显示效果存在差异问题，尤其是像素区域因阴极膜层造成的反射导致透光率下降，进而影响整体显示效果。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题至少之一，本专利技术第一方面提供一种电致发光二极管显示基板，包括屏下摄像区和至少部分围绕所述屏下摄像区的显示区，所述屏下摄像区包括：
[0005]衬底；
[0006]设置在所述衬底上的阵列排布的多个子像素以及位于所述多个子像素之间的透光区，所述多个子像素中的至少一个子像素包括发光元件，所述发光元件包括依次远离所述衬底的第一电极、有机发光层和第二电极、以及设置在所述多个子像素间的透光区；
[0007]位于所述第二电极之间的透光膜，所述透光膜在所述衬底上的正投影与所述透光区在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述透光膜的透光率大于所述第二电极的透光率。
[0008]进一步的，所述透光膜与所述透光区一一对应设置，并且所述第二电极环绕所述透光膜，所述透光膜在所述衬底上的正投影位于所述透光区在所述衬底上的正投影内。
[0009]进一步的，所述屏下摄像区包括与各子像素连接的信号走线，所述透光膜在所述衬底上的正投影与所述信号走线在所述衬底上的正投影不交叠。
[0010]进一步的，所述屏下摄像区包括设置在所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括分别用于驱动各子像素的驱动电路，所述信号走线包括连接所述驱动电路的且沿第一方向延伸的扫描信号线、以及连接所述驱动电路的且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的数据信号线，
[0011]所述透光区为所述子像素、与所述子像素连接的所述扫描信号线和数据信号线围成的区域。
[0012]进一步的，所述各子像素包括有机材料区和围绕所述有机材料区的像素区，
[0013]所述透光区设置在所述各子像素间的像素区，所述透光区在所述衬底上的正投影与所述有机材料区在所述衬底上的正投影不交叠。
[0014]进一步的，所述透光区为所述圆形和多边形中的至少一种；
[0015]所述透光区在所述衬底上的正投影与至少两个所述像素区在所述衬底上的正投
影存在部分交叠。
[0016]进一步的，所述屏下摄像区包括阵列排布的像素，所述像素包括多个子像素；
[0017]所述透光区设置在像素间距离最大的两个子像素间；
[0018]或者
[0019]所述透光区设置在像素内与各子像素距离相同的位置。
[0020]进一步的，所述透光膜包括8
‑
羟基喹啉锂(Liq)、N,N
′‑
二苯基
‑
N,N
′‑
二(9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑
‑3‑
基)
‑
联苯基
‑
4,4'
‑
二胺(HT01)、N
‑
(二苯基
‑4‑
基)
‑
9,9
‑
二甲基
‑
N
‑
(4
‑
(9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑
‑3‑
基)
‑
苯基)
‑
9H
‑
芴
‑2‑
胺(HT211)、2
‑
(4
‑
(9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽
‑2‑
基)苯基)
‑1‑
苯基
‑
1H
‑
苯并
‑
[D]咪唑(LG201)中的至少一个。
[0021]进一步的，所述第二电极为阴极，所述显示基板还包括设置在所述第二电极远离所述衬底一侧的彩膜层，
[0022]所述屏下摄像区的彩膜层包括：与所述子像素一一对应的第一色阻、与所述透光区一一对应的开口区、以及环绕所述第一色阻和所述开口区的黑矩阵，
[0023]所述开口区在所述衬底上的正投影落在所述透光区在所述衬底上的正投影中。
[0024]进一步的，所述黑矩阵包括靠近所述衬底一侧的第一表面和远离所述衬底一侧的第二表面，
[0025]所述第一表面上形成围绕所述开口区的第一开口，所述第二表面上形成围绕所述开口区的第二开口，
[0026]所述第一开口在所述衬底上的正投影面积小于所述第二开口在所述衬底上的正投影面积，所述第二开口在所述衬底上的正投影面积小于所述透光区在所述衬底上的正投影面积。
[0027]进一步的，所述第二电极为阴极，所述显示基板还包括设置在所述第二电极远离所述衬底一侧的彩膜层，
[0028]所述屏下摄像区的彩膜层包括：与所述透光区一一对应的开口区、以及环绕所述开口区并与所述子像素一一对应的第二色阻，
[0029]所述开口区在所述衬底上的正投影落在所述透光区在所述衬底上的正投影中。
[0030]进一步的，所述第二色阻包括靠近所述衬底一侧的第三表面和远离所述衬底一侧的第四表面，
[0031]所述第三表面上形成围绕所述开口区的第三开口，所述第四表面上形成围绕所述开口区的第四开口，
[0032]所述第三开口在所述衬底上的正投影面积小于所述第四开口在所述衬底上的正投影面积，所述第四开口在所述衬底上的正投影面积小于所述透光区在所述衬底上的正投影面积。
[0033]本专利技术第二方面提供一种电致发光二极管显示装置，包括如第一方面所述的显示基板。
[0034]本专利技术第三方面提供一种制作如第一方面所述的显示基板的制作方法，包括：
[0035]在衬底上形成阵列排布的多个子像素，所述多个子像素中的至少一个子像素包括发光元件，所述发光元件包括依次远离所述衬底的第一电极和有机发光层，所述多个子像素间包括透光区；
[0036]在形成的结构上通过掩模板形成透光膜，所述透光膜在所述衬底上的正投影与所述透光区在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
[0037]在形成的结构上形成所述发光元件的第二电极，所述第二电极环绕所述透光膜，所述透光膜的透光率大于所述第二电极的透光率。
[0038]本专利技术的有益效果如下：
[0039]本专利技术针对目前现有的问题，制定一种本专利技术公开了一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法，所述显示基板通过设置在第二电极之间且与透光区对应的透光膜，并利用透光膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光二极管显示基板，其特征在于，包括屏下摄像区和至少部分围绕所述屏下摄像区的显示区，所述屏下摄像区包括：衬底；设置在所述衬底上的阵列排布的多个子像素以及位于所述多个子像素之间的透光区，所述多个子像素中的至少一个子像素包括发光元件，所述发光元件包括依次远离所述衬底的第一电极、有机发光层和第二电极；位于所述第二电极之间的透光膜，所述透光膜在所述衬底上的正投影与所述透光区在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述透光膜的透光率大于所述第二电极的透光率。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透光膜与所述透光区一一对应设置，并且所述第二电极环绕所述透光膜，所述透光膜在所述衬底上的正投影位于所述透光区在所述衬底上的正投影内。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述屏下摄像区包括与各子像素连接的信号走线，所述透光膜在所述衬底上的正投影与所述信号走线在所述衬底上的正投影不交叠。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述屏下摄像区包括设置在所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括分别用于驱动各子像素的驱动电路，所述信号走线包括连接所述驱动电路的且沿第一方向延伸的扫描信号线、以及连接所述驱动电路的且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的数据信号线，所述透光区为所述子像素、与所述子像素连接的所述扫描信号线和数据信号线围成的区域。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述各子像素包括有机材料区和围绕所述有机材料区的像素区，所述透光区设置在所述各子像素间的像素区，所述透光区在所述衬底上的正投影与所述有机材料区在所述衬底上的正投影不交叠。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述透光区为所述圆形和多边形中的至少一种；所述透光区在所述衬底上的正投影与至少两个所述像素区在所述衬底上的正投影存在部分交叠。7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述屏下摄像区包括阵列排布的像素，所述像素包括多个子像素；所述透光区设置在像素间距离最大的两个子像素间；或者所述透光区设置在像素内与各子像素距离相同的位置。8.根据权利要求1
‑
7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述透光膜包括8
‑
羟基喹啉锂(Liq)、N,N
′‑
二苯基
‑
N,N
′‑
二(9
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苯基
‑
9H
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咔唑
‑3‑
基)
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联苯基
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4,4'
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二胺(HT01)、N
‑
(二苯基
‑4‑
基)
‑
9,9
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二甲基
‑
N
‑
(4
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(9
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苯基
‑
9H...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振华，袁长龙，朱莉，冯靖伊，吴桐，柳建杰，胡宇宙，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：