一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，包括双向电子开关、双向电子开关驱动电路、二极管以及电压检测电路。上述一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，二极管和电压检测电路实现对输入电压的监测，当输入极性正常，即上正下负时，二极管正向偏置，电压检测电路正常工作，实时监测输入电压，控制双向电子开关的通断，实现输入电压的过压，欠压的保护功能；当输入电压极性反接时，此时输入上负下正，二极管反向偏置截止，电压检测电路不工作，电压检测电路的输出比较端输出高阻态，双向电子开关驱动电路截止，双向电子开关截止，因此整个回路不导通，起到极性反接保护作用。到极性反接保护作用。到极性反接保护作用。

【技术实现步骤摘要】
一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路


[0001]本技术涉及保护电路
，特别涉及一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路。

技术介绍

[0002]目前常见的直流输入电压保护功能，多为过压/欠压保护功能，若需要极性反接保护，则多数采样输入回路串接二极管或者回路接保险管加反向并联二极管实现。
[0003]上述保护电路，因为二极管有压降问题，不能作为大功率场合使用。回路接保险管加反向并联二极管则为自毁式保护，一旦保护动作过后，则需重新更换保险管，便利性太差。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，以解决现有的保护电路不能作为大功率场合使用、便利性差的问题。
[0005]本技术提供了一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，包括双向电子开关、双向电子开关驱动电路、二极管以及电压检测电路，其中：
[0006]所述双向电子开关一端与电源正极输入端和所述二极管的正极连接，另一端与分别与电源正极输出端和所述双向电子开关驱动电路的输入端连接；
[0007]所述双向电子开关驱动电路的另一端与所述电压检测电路的输出比较端连接；
[0008]所述二极管的负极与所述电压检测电路的采样输入端连接；
[0009]所述电压检测电路和所述双向电子开关驱动电路均接地。
[0010]上述一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，二极管和电压检测电路实现对输入电压的监测，当输入极性正常，即上正下负时，二极管正向偏置，电压检测电路正常工作，实时监测输入电压，控制双向电子开关的通断，实现输入电压的过压，欠压的保护功能；当输入电压极性反接时，此时输入上负下正，二极管反向偏置截止，电压检测电路不工作，电压检测电路的输出比较端输出高阻态，双向电子开关驱动电路截止，双向电子开关截止，因此整个回路不导通，起到极性反接保护作用。
[0011]进一步地，所述双向电子开关包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中：
[0012]所述第一PMOS管的漏极与所述电源正极输入端和所述二极管的正极连接，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极和所述双向电子开关驱动电路的输入端连接；
[0013]所述第二PMOS管的漏极与所述电源正极输出端连接。
[0014]进一步地，所述双向电子开关驱动电路包括第一电阻、第二电阻以及NMOS管，其中：
[0015]所述第一电阻的一端设于所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极之间，所述第一电阻的另一端设于所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极之间；
[0016]所述第二电阻的一端与所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，另一端与所述电压检测电路的输出比较端和所述NMOS管的漏极连接；
[0017]所述NMOS管的源极与接地，所述NMOS管的栅极与所述电压检测电路的输出比较端连接。
附图说明
[0018]图1为本技术第一实施例中的一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路的电路图。
[0019]主要元件符号说明：
[0020][0021]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。
具体实施方式
[0022]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的若干个实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0023]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0024]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0025]请参阅图1，本技术实施例提供的一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，包括双向电子开关10、双向电子开关驱动电路20、二极管30以及电压检测电路40，其中：
[0026]所述双向电子开关10一端与电源正极输入端和所述二极管30的正极连接，另一端与分别与电源正极输出端和所述双向电子开关驱动电路20的输入端连接；
[0027]所述双向电子开关驱动电路20的另一端与所述电压检测电路40的输出比较端OC连接；
[0028]所述二极管30的负极与所述电压检测电路40的采样输入端VS连接；
[0029]所述电压检测电路40和所述双向电子开关驱动电路20均接地。
[0030]上述一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，二极管30和电压检测电路40实现对输入电压的监测，当输入极性正常，即上正下负时，二极管30正向偏置，电压检测电路40正常工作，实时监测输入电压，控制双向电子开关10的通断，实现输入电压的过压，欠压的保护功能；当输入电压极性反接时，此时输入上负下正，二极管30反向偏置截止，电压检测电路40不工作，电压检测电路40的输出比较端OC输出高阻态，双向电子开关驱动电路20截止，双向电子开关10截止，因此整个回路不导通，起到极性反接保护作用。
[0031]具体的，在本实施例中，所述双向电子开关10包括第一PMOS管11和第二PMOS管12，其中：
[0032]所述第一PMOS管11的漏极与所述电源正极输入端和所述二极管30的正极连接，所述第一PMOS管11的源极与所述第二PMOS管12的源极连接，所述第一PMOS管12的栅极与所述第二PMOS管12的栅极和所述双向电子开关驱动电路20的输入端连接；
[0033]所述第二PMOS管12的漏极与所述电源正极输出端连接。
[0034]具体的，在本实施例中，所述双向电子开关驱动电路20包括第一电阻21、第二电阻22以及NMOS管23，其中：
[0035]所述第一电阻21的一端设于所述第一PMOS管11的源极与所述第二PMOS管12的源极之间，所述第一电阻21的另一端设于所述第一PMOS管11的栅极与所述第二PMOS管12的栅极之间；
[0036]所述第二电阻22的一端与所述第一PMOS管11的栅极与所述第二PMOS管12的栅极连接，另一端与所述电压检测电路40的输出比较端OC和所述NMOS管23的漏极连接；
[0037]所述NMOS管23的源极与接地，所述NMOS管23的栅极与所述电压检测电路40的输出比较端OC连接。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，其特征在于，包括双向电子开关、双向电子开关驱动电路、二极管以及电压检测电路，其中：所述双向电子开关一端与电源正极输入端和所述二极管的正极连接，另一端与分别与电源正极输出端和所述双向电子开关驱动电路的输入端连接；所述双向电子开关驱动电路的另一端与所述电压检测电路的输出比较端连接；所述二极管的负极与所述电压检测电路的采样输入端连接；所述电压检测电路和所述双向电子开关驱动电路均接地。2.根据权利要求1所述的一种直流输入过欠压，欠压及极性反接保护电路，其特征在于，所述双向电子开关包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中：所述第一PMOS管的漏极与所述电源正极输入端和所述二极管的正极连接，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，刘木伙，王森在，胡毓铭，
申请(专利权)人：深圳微子医疗有限公司，
类型：新型
国别省市：