一种基于MPSoC的智能存储平台制造技术

本发明专利技术涉及一种基于MPSoC的智能存储平台，包括一个FPGA模块、内部存储模块、存储拓展模块、电源模块、时钟模块、接口模块；通过PCIe

【技术实现步骤摘要】
一种基于MPSoC的智能存储平台


[0001]本专利技术涉及计算机存储领域，尤其涉及一种基于MPSoC的智能存储平台。

技术介绍

[0002]随着信息技术高速的发展，数据存储系统的使用越来越广泛，它在科研、医疗、工业等行业中已经成为不可替代的设备，因此数据的高速采集和实时存储技术在数字信号处理中显得越来越重要。在保证稳定性的条件下，都在尽可能提高数据读写速率和储存容量。伴随FPGA器件的高系统集成度和可靠性不断提高，采用FPGA芯片实现电路设计制造已成为一种高效可靠的方案，在军工、工业、商业等领域得到越来越广泛的应用。
[0003]但现有的智能存储技术中，主流的硬件平台采用CPU/ARM+FPGA或者CPU/ARM+交换机芯片+FPGA的多核硬件架构，这种架构下的智能存储平台具有非常强大的运算能力和灵活性。但是存在以下缺陷：由于采用多核的硬件架构，每个CPU/ARM、FPGA等都有复杂的外围电路，因此这种架构无法实现小型化的要求，集成度低、尺寸大；多核心芯片间接口的传输速率往往受到最低速率核心芯片的影响，导致存储平台的整体性能下降；多核本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MPSoC的智能存储平台，其特征在于，包括：一个FPGA模块、内部存储模块、存储拓展模块、电源模块、时钟模块、接口模块；所述FPGA模块、内部存储模块、存储拓展模块、电源模块、时钟模块、接口模块之间通过高速连接器连接；所述FPGA模块采用MPSoC，具体型号为XCZU19EG
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2FFVC1760I；所述FPGA模块通过上电加载程序；所述内部存储模块包含FPGA PS端的一组DDR4以及PS端一组DDR4存储模块、2个QSPI FLASH存储模块、1个EMMC存储模块、1个SD卡存储模块；所述存储拓展模块包含4个基于PCIe 3.0
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4的M.3标准存储盘，单个M.3标准存储盘存储的存储容量可达到4T；所述电源模块包含DC
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DC芯片和LDO芯片，采用12V电源输入，通过电源模块为板卡的其他模块提供电压支持；所述时钟模块包含晶振和时钟芯片；所述接口模块包含2个USB2.0接口、1个USB3.0接口、1个千兆以太网接口、2个SFP+光模块接口、1个FPGA JTAG接口、1个PCIe
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16模式的金手指。2.根据权利要求1所述的一种基于MPSoC的智能存储平台，其特征在于：所述高速连接器为光...

【专利技术属性】
技术研发人员：王武良，刘兴斌，
申请(专利权)人：武汉麓谷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：