一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R-T-B稀土永磁体及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R

【技术实现步骤摘要】
一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体及其制备方法，属于稀土磁体领域。

技术介绍

[0002]R
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B稀土永磁体由于其超高的磁能积，可以有效地实现设备的小型化，广泛应用在现代工业。近些年来，随着新能源产业的发展，R
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B磁体在风力发电和电动汽车中的市场份额逐年增加。但由于R
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B磁体磁性能温度系数为负，随着温度的升高磁体的磁性能变差。而汽车发动机的工作温度在200℃左右，为保证电机正常工作，需要提高磁体的高温磁性能。
[0003]目前主要通过提高矫顽力和降低磁性能温度系数(温度系数本身为负值，文中对于温度系数大小的比较均采用其绝对值，下同)的方法提高R
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B磁体的高温磁性能。重稀土本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体，其特征在于所述磁体中，稀土元素R含量为29.0wt.％～34.0wt.％，R由Gd和R1组成，Gd元素含量为磁体质量的1.0wt.％～20.0wt.％，R的余量为R1；所述磁体包含主相R2T
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B和晶界富R相，并且主相晶粒中包含体积比20vol.％～80vol.％的富Gd核主相晶粒，所述富Gd核主相晶粒由富Gd的核心和贫Gd的壳层组成，核心Gd含量H1(wt.％)和壳层Gd含量H2(wt.％)的差值δH＝H1
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H2，δH与磁体中稀土元素总含量R满足δH＝(0.05～0.40)R。2.如权利要求1所述的高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体，其特征在于所述高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体的磁体成分包含：R：29.0wt.％～34.0wt.％，B：0.9wt.％～1.1wt.％，M：0.1wt.％～10.0wt.％，余量为T以及其他不可避免杂质，其中T为Fe或Fe和Co，T中含有Co时，T的75.0wt.％以上为Fe；所述R由Gd和R1组成，Gd元素含量为磁体质量的1.0wt.％～20.0wt.％，R的余量为R1；R1为R3或者由R2与R3组成；R3为Nd、Pr、Ho、La、Ce中的至少一种；R2为稀土元素Dy和Tb中的至少一种，所述磁体包含R2时，R2含量为磁体质量的0.1wt.％～2.0wt.％，磁体的富Gd核主相晶粒的贫Gd壳层中包含0.05wt.％～0.5wt.％的R2元素；所述M为Al、Cu、Ga、Zr、Ti、Nb、Zn、Sn、W、Mo、Hf、Au和Ag中的至少一种。3.如权利要求2所述的高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体，其特征在于所述高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体按照以下方法之一制备：方法(一)：磁体中不含R2元素时：将按照成分配比的高Gd含量合金原料和低Gd含量合金原料，通过真空感应熔炼和甩带分别制备高Gd含量SC片和低Gd含量SC片，高Gd含量SC片和低Gd含量SC片制备得到合金粉末，合金粉末经取向磁场进行模压成型、等静压制备磁体压坯，真空烧结后进行高温扩散处理，制得所述高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体；所述高温扩散处理的扩散温度为800～1000℃，保温时间为5～25h，保温结束冷却至200℃以下后再升温至400～650℃，保温2～10h，制得所述高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体；方法(二)：磁体中含有R2元素时：将按照成分配比的高Gd含量合金原料和低Gd含量合金原料，所述原料中均不含R2元素，通过真空感应熔炼和甩带分别制备高Gd含量SC片和低Gd含量SC片，高Gd含量SC片和低Gd含量SC片制备得到合金粉末，合金粉末经取向磁场进行模压成型、等静压制备磁体压坯，真空烧结后进行高温扩散处理，所得基体磁体加工成厚度为0.5～10.0mm的磁片，表面处理后在磁片表面沉积厚度为3～100μm的重稀土元素扩散层，然后进行晶界扩散处理，制得所述高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体；所述重稀土元素扩散层为Dy、Tb中的任意一种或两种。4.如权利要求3所述的高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体，其特征在
于所述高Gd含量SC片与低Gd含量SC片的Gd含量差别≥5.0wt.％，高Gd含量SC片中的Gd含量为5.0～34.0wt.％。5.如权利要求3所述的高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体，其特征在于所述高Gd含量合金原料中各组分的成分为：R3：0～29wt.％，R3为Nd、Pr、Ho、La、Ce中的一种或多种；Gd：5.0～34.0wt.％，B：0.9wt.％～1.1wt.％，M：0.1wt.％～10.0wt.％，余量为T以及其他不可避免杂质，其中T为Fe或Fe和Co，T中含有Co时，T的75.0wt.％以上为Fe；所述低Gd含量合金原料中各组分的成分为：R3：5～34wt.％，R3为Nd、Pr、Ho、La、Ce中的一种或多种，优选R3的75wt.％以上为Nd；Gd：0～X wt.％，且高Gd含量合金原料的Gd含量
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X≥5.0wt.％；B：0.9wt.％～1.1wt.％，M：0.1wt.％～10.0wt.％，余量为T以及其他不可避免杂质，其中T为Fe或Fe和Co，T中含有Co时，T的75.0wt.％以上为Fe；所述高Gd含量合金原料和低Gd含量合金原料的质量比要保证混合后最终磁体中的Gd元素含量为1.0wt.％～20.0wt.％。6.如权利要求4或5所述的高温环境用具有富Gd核的核壳结构R
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B稀土永磁体，其特征在于所述低Gd含量SC片中的Gd含量为0。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：付松，陈彪，王荣杰，朱啸航，章兆能，杨晓露，
申请(专利权)人：浙江英洛华磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：