电源检测电路制造技术

本申请涉及电源上电检测技术领域，公开一种电源检测电路，包括：电源域分别与采样电路和比较器电路电连接；采样电路与比较器电路电连接，采样电路用于对电源域进行采样，获得并输出电源电压给比较器电路；比较器电路分别与整形电路的输入端和反相器的输出端电连接；比较器电路用于根据电源电压生成并发送第一电平信号给整形电路；整形电路与反相器的输入端电连接；整形电路用于对第一电平信号进行滤波和整形处理，生成电源状态指示信号；反相器在第一电平信号为0的情况下，根据电源状态指示信号生成并发送第二电平信号给比较器电路，以断开比较器电路和整形电路之间的连接。这样能够在电源域上电完成的情况下，减小电源检测电路的功耗。路的功耗。路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
电源检测电路


[0001]本申请涉及电源上电检测
，例如涉及一种电源检测电路。

技术介绍

[0002]电源检测电路，是用于检测电源电压的情况，实现电源变换、电压门限检测的电路。如公开号为CN108649939A的中国专利文件，其说明书[0005]段公开了一种主流POR电路2，由带隙基准电路21及电压比较器22组成，所述带隙基准电路21连接于电源VDD和地GND之间，输出带隙基准电压Vref；所述电压比较器22的正相输入端接收所述带隙基准电压Vref，反相输入端接收电阻R1
’
和R2
’
的分压Vdiv，进行比较后输出比较结果。公开号为CN105891734A的中国专利文件，其说明书[0004]段公开了一种电源检测电路，由电容、分压电阻、基准电压产生电路、比较器组成，分压电阻对电源电压VDD进行分压，然后通过比较器COM与基准电压VREF比较，如果VDD减小到一定阈值，比较器输出VOUT为低电平；如果VDD在正常范围，比较器输出VOUT为高电平。再如图1所示，图1为现有技术中的一种电源检测电路，包括电源域V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源检测电路，其特征在于，包括：电源域，分别与采样电路和比较器电路电连接；所述采样电路，与所述比较器电路电连接，所述采样电路用于对电源域进行采样，获得并输出电源电压给所述比较器电路；所述比较器电路，分别与整形电路的输入端和反相器的输出端电连接；所述比较器电路用于根据所述电源电压生成并发送第一电平信号给所述整形电路；其中，在所述电源电压大于或等于设定阈值的情况下，所述比较器电路生成的第一电平信号为0；所述整形电路，与所述反相器的输入端电连接；所述整形电路用于对所述第一电平信号进行滤波和整形处理，生成电源状态指示信号；所述反相器，在所述第一电平信号为0的情况下，根据所述电源状态指示信号生成并发送第二电平信号给所述比较器电路，以断开所述比较器电路和所述整形电路之间的连接。2.根据权利要求1所述的电源检测电路，其特征在于，所述采样电路包括第一电阻、第二电阻和第一NMOS管；所述第一电阻的一端与所述电源域电连接；所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端和所述比较器电路电连接，所述第二电阻的一端与所述比较器电路电连接；所述第二电阻的另一端与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的源极接地。3.根据权利要求1所述的电源检测电路，其特征在于，所述比较器电路包括第二NMOS管、第三电阻和第一PMOS管，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的栅极、第三电阻的一端以及所述整形电路的输入端电连接；所述第二NMOS管的源极接地；所述第三电阻的另一端与所述第一PMOS管的漏极电连接；所述第一PMOS管的栅极与所述反相器的输出端电连接；所述第一PMOS管的源极与所述电源域电连接。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金煌，马继荣，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：