一种开关电路制造技术

本申请提供的一种开关电路，包括开关模块；所述开关模块包括级联的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极或发射极用于连接电源，漏极或者集电极与所述第二晶体管的源极或者发射极相连接；所述第一晶体管关闭及开启过程中时，提供第一偏置信号至所述第二晶体管的栅极或者基极，以限制所述第一晶体管的漏极或集电极的电压；所述第一晶体管开启后，提供第二偏置信号至所述第二晶体管的栅极或者基极，以使所述第二晶体管工作在线性区或饱和区。区。区。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电路


[0001]本申请涉及集成电路领域，涉及但不限于一种开关电路。

技术介绍

[0002]在集成电路领域，常常需要开关电路用于控制电流通路。如在射频前端(Radio Frequency Front
‑
End，RFFE)电路中，会使用一路电流对多个模块进行偏置，通过切换开关电路来控制偏置电流的流向。在移动设备电池系统中，电源电压(VBAT)通常为3.1～4.8V，而晶体管的耐压值通常为2.5V。由于开关电路输入端的电压可能高至电源电压VBAT，输出端的电压可能低至地(VSS)，如果只有一个晶体管M1作为开关管，可能会有过压的风险。因此相关技术中为了防止器件过压，会增加一个晶体管M2，以防止过压。
[0003]但是，随着电源电压变化，M1和M2的工作状态会发生变化，M2甚至可能在线性区和饱和区之间变化，使得从输出端看到的阻抗发生明显变化。这在很多情况下是不可接受的，如在射频前端的应用中，开关电路处的阻抗变化会显著影响射频性能。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中存在的上述问题，本申请实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，其特征在于，包括开关模块
，
所述开关模块包括级联的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极或发射极用于连接电源，漏极或者集电极与所述第二晶体管的源极或者发射极相连接；所述第一晶体管关闭及开启过程中时，提供第一偏置信号至所述第二晶体管的栅极或者基极，以限制所述第一晶体管的漏极或集电极的电压；所述第一晶体管开启后，提供第二偏置信号至所述第二晶体管的栅极或者基极，以使所述第二晶体管工作在线性区或饱和区。2.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述第二晶体管为P型晶体管时，所述第一偏置信号大于所述第二偏置信号；所述第二晶体管为N型晶体管时，所述第一偏置信号小于所述第二偏置信号。3.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述第一晶体管开启后，为所述第一晶体管的栅极或者基极提供第三偏置信号，以使所述第一晶体管保持工作在线性区或饱和区。4.根据权利要求3所述的开关电路，其特征在于，所述第三偏置信号与所述第二偏置信号相同。5.根据权利要求1至4任一项所述的开关电路，其特征在于，所述开关电路还包括第一电流镜和/或第二电流镜，其中：所述第一电流镜，分别与所述电源和所述开关模块的输入端连接，用于为所述开关模块提供电流输入；所述第二电流镜，与所述开关模块的输出端连接，用于输出偏置电流。6.根据权利要求3所述的开关电路，其特征在于，所述开关模块还包括与所述第二晶体管的栅极或基极连接的第一支路、第二支路，所述第二晶体管的栅极或基级连接至所述第一支路时，所述第二晶体管的栅极或基极获取所述第一偏置信号；所述第二晶体管的栅极或基极连接至所述第二支路时，所述第二晶体管的栅极或基极获取所述第二偏置信号。7.根据权利要求6所述的开关电路，其特征在于，所述第一支路包括串接于所述第一支路中的第二开关，所述第二支路包括串接于所述第二支路中的第四开关；所述第二开关闭合且所述第四开关断开时，所述第二晶体管的栅极或基极获取所述第一偏置信号；所述第二开关断开且所述第四开关闭合时，所述第二晶体管的栅极或基极获取所述第二偏置信号。8.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述开关模块还包括与所述第一晶体管的基极或栅极连接的第三支路和第四支路，所述第一晶体管的栅极或基级连接至所述第三支路时，所述第一晶体管的栅极或基极获取所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鑫，翟源宏，
申请(专利权)人：广州慧智微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：