一种MOS管高端驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管高端驱动电路，包括24V电源，控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管，所述24V电源分别为控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管供电，所述控制器的信号输出端与高电平驱动电路的信号输入端连接，用于所述高电平驱动电路控制驱动芯片组件工作，所述驱动芯片组件的输出端与MOS管连接，用于所述驱动芯片组件输出低电平时或高电平时通断MOS管。本实用新型专利技术通过采用三极管与集成驱动芯片相结合的方式实现MOS管高端驱动控制大功率负载，既可以避免功率继电器控制带来的发热安全隐患，又能够避免MOS管低端驱动时，悬浮电压烧坏控制器控制引脚的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管高端驱动电路


[0001]本技术属于驱动电路
，具体涉及一种MOS管高端驱动电路。

技术介绍

[0002]在太阳能供电的污水治理装置控制系统应用中，包含多种不同电压的大电流工作电源，并且要求这些工作电源能够独立控制通断，当某个工作电源需要工作时开启供电，不需要工作时关闭以降低功耗。现阶段的方案中，大多采用功率继电器或者MOS管低端驱动的方式来实现电源的通断。使用功率继电器来控制小功率负载时能够达到较好的效果，但在大功率负载系统应用中，使用功率继电器控制电源通断，继电器不但体积大，而且工作时发热严重，特别是在室外高温条件下，给系统带来安全隐患。采用MOS管低端驱动，当断开电源通路时，负载工作电源处于悬浮状态，会烧坏控制器的引脚，给电路带来安全隐患。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种MOS管高端驱动电路。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0005]本技术实施例提供一种MOS管高端驱动电路，包括24V电源，控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管，所述24V电源分别为控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管供电，所述控制器的信号输出端与高电平驱动电路的信号输入端连接，用于所述高电平驱动电路控制驱动芯片组件工作，所述驱动芯片组件的输出端与MOS管连接，用于所述驱动芯片组件输出低电平时或高电平时通断MOS管。
[0006]本技术优选地，所述高电平驱动电路包括第一数字三极管、第二数字三极管和第一电阻器，所述第二数字三极管的B极与控制器的24V_Control端连接，所述第二数字三极管的E极接地，所述第二数字三极管的C极分别与第一电阻器的第一端和第一数字三极管的B极连接，所述第一电阻器的第二端分别与24V电源和第一数字三极管的E极连接。
[0007]本技术优选地，所述驱动芯片组件包括第二电阻器、第三电阻器、电容器和集成驱动芯片，所述第二电阻器的第一端分别与第一数字三极管的C极和第三电阻器的第一端连接，所述第三电阻器的第二端接地，所述第二电阻器的第二端与集成驱动芯片的Input端连接，所述电容器的第一端分别与24V电源和集成驱动芯片的V+端连接。
[0008]本技术优选地，所述MOS管的D极分别与电容器的第一端和24V电源连接，所述MOS管的G极与集成驱动芯片的Gate端连接，所述MOS管的S极分别与集成驱动芯片的Source端和24V电源连接。
[0009]本技术优选地，所述第一数字三极管和第二数字三极管的型号为：DTA143ECA。
[0010]本技术优选地，所述集成驱动芯片的型号为：MIC5014。
[0011]与现有技术相比，本技术通过采用三极管与集成驱动芯片相结合的方式实现MOS管高端驱动控制大功率负载，既可以避免功率继电器控制带来的发热安全隐患，又能够
避免MOS管低端驱动时，悬浮电压烧坏控制器控制引脚的问题。
附图说明
[0012]图1为本技术实施例提供一种MOS管高端驱动电路的电路结构示意图；
[0013]图2为本技术实施例所述控制器的电路结构示意图。
具体实施方式
[0014]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0015]本技术实施例提供一种MOS管高端驱动电路，如图1和图2所示，包括24V电源+24V_IN，控制器XS1、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管Q1，所述24V电源+24V_IN分别为控制器XS1、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管Q1供电，所述控制器XS1的信号输出端与高电平驱动电路的信号输入端连接，用于所述高电平驱动电路控制驱动芯片组件工作，所述驱动芯片组件的输出端与MOS管连接，用于所述驱动芯片组件输出低电平时或高电平时通断MOS管。
[0016]如图1和图2所示，所述高电平驱动电路包括第一数字三极管V1、第二数字三极管V2和第一电阻器R1，所述第二数字三极管V1的B极与控制器XS1的24V_Control端连接，所述第二数字三极管V2的E极接地GND，所述第二数字三极管V2的C极分别与第一电阻器R1的第一端和第一数字三极管V1的B极连接，所述第一电阻器R1的第二端分别与24V电源+24V_IN和第一数字三极管V1的E极连接。
[0017]如图1和图2所示，所述驱动芯片组件包括第二电阻器R2、第三电阻器R3、电容器C2和集成驱动芯片D1，所述第二电阻器R2的第一端分别与第一数字三极管V1的C极和第三电阻器R3的第一端连接，所述第三电阻器R3的第二端接地GND，所述第二电阻器R2的第二端与集成驱动芯片D1的Input端连接，所述电容器C2的第一端分别与24V电源+24V_IN和集成驱动芯片D1的V+端连接。
[0018]如图1所示，所述MOS管Q1的D极分别与电容器C2的第一端和24V电源+24V_IN连接，所述MOS管Q1的G极与集成驱动芯片D1的Gate端连接，所述MOS管Q1的S极分别与集成驱动芯片D1的Source端和24V电源+24V_IN连接。
[0019]如图1所示，所述第一数字三极管V1和第二数字三极管V2的型号为：DTA143ECA。
[0020]如图1所示，所述集成驱动芯片D1的型号为：MIC5014。
[0021]本技术的工作原理如下：
[0022]如图1所示，第一数字三极管V1和第二数字三极管V2组合构成高电平驱动电路接入集成驱动芯片D1的Input引脚，控制集成驱动芯片D1工作；第二数字三极管V2B极与控制器XS1的24_Control端连接；MOS管Q1的D极接24V电源，MOS管Q1的G极接集成驱动芯片D1的Gate引脚，MOS管Q1的S极接集成驱动芯片D1的Source引脚和24V电源。当控制器XS1控制引脚24_Control输出低电平时，第二数字三极管V2截止，第一数字三极管V1截止，集成驱动芯片D1的Input引脚为低电平，MOS管Q1截止，MOS管Q1源极S输出电压为0；当控制器XS1控制引脚24_Control输出高电平时，第二数字三极管V2导通，使得第一数字三极管V1也导通，使得
第二电阻器R2与集成驱动芯片D1的Inout引脚相接处的电压为24V左右，使得集成驱动芯片D1工作，MOS管Q1导通，MOS管Q1源极S输出电压为24V。
[0023]上述方案中，本技术通过采用三极管与集成驱动芯片相结合的方式实现MOS管高端驱动控制大功率负载，既可以避免功率继电器控制带来的发热安全隐患，又能够避免MOS管低端驱动时，悬浮电压烧坏控制器控制引脚的问题。
[0024]本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管高端驱动电路，其特征在于，包括24V电源，控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管，所述24V电源分别为控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和MOS管供电，所述控制器的信号输出端与高电平驱动电路的信号输入端连接，用于所述高电平驱动电路控制驱动芯片组件工作，所述驱动芯片组件的输出端与MOS管连接，用于所述驱动芯片组件输出低电平时或高电平时通断MOS管。2.根据权利要求1所述的MOS管高端驱动电路，其特征在于，所述高电平驱动电路包括第一数字三极管、第二数字三极管和第一电阻器，所述第二数字三极管的B极与控制器的24V_Control端连接，所述第二数字三极管的E极接地，所述第二数字三极管的C极分别与第一电阻器的第一端和第一数字三极管的B极连接，所述第一电阻器的第二端分别与24V电源和第一数字三极管的E极连接。3.据权利要求2所述的MOS管高端驱动电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜学军，沈海彬，谢立明，
申请(专利权)人：深圳市康贝电子有限公司，
类型：新型
国别省市：