一种发声单元及扬声器制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种发声单元及扬声器，发声单元包括：盆架，其设有收容通腔和安装槽，所述安装槽环绕收容通腔设置；音圈，设于所述安装槽；振膜组件，连接于所述音圈背离所述盆架的一端，所述振膜组件环绕所述音圈设置；第二永磁件，设于所述安装槽；上边磁钢，设于所述第二永磁件靠近所述振膜组件的一侧，所述上边磁钢朝向所述第二永磁件一端的磁极与所述第二永磁件朝向所述上边磁钢的磁极的极性相同。相对于现有技术，本申请可通过上边磁钢导磁到磁间隙，可提升磁回路的磁通密度，从而显著的提升音圈的BL值。而显著的提升音圈的BL值。而显著的提升音圈的BL值。

【技术实现步骤摘要】
一种发声单元及扬声器


[0001]本技术实施例涉及扬声器领域，特别是涉及一种发声单元及扬声器。

技术介绍

[0002]随着消费者对手机发声单元的要求越来越高，发声单元的尺寸越来越小，但对振幅的要求却越来越大。磁路系统作为发声单元发声的核心驱动力，发声单元的BL值是扬声器的重要性能参数，指的是间隙磁感应强度B与有效音圈长度L的乘积，其物理意义是反应单元的驱动强度。
[0003]现有技术中，发声单元的BL值受材料、结构、功耗和散热的限制，导致BL值无法进一步提高。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本技术实施例提供了一种发声单元及扬声器，旨在解决现有技术中发生单元的BL值较低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供了一种发声单元，包括：
[0006]盆架，其设有安装槽；
[0007]音圈，设于安装槽；
[0008]振膜组件，连接于音圈背离盆架的一端，振膜组件环绕音圈设置；
[0009]第二永磁件，设于安装槽；
[0010]上边磁钢，设于第二永本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声单元，其特征在于，包括：盆架，其设有安装槽；音圈，设于所述安装槽；振膜组件，连接于所述音圈背离所述盆架的一端，所述振膜组件环绕所述音圈设置；第二永磁件，设于所述安装槽；上边磁钢，设于所述第二永磁件靠近所述振膜组件的一侧，所述上边磁钢朝向所述第二永磁件一端的磁极与所述第二永磁件朝向所述上边磁钢的磁极的极性相同。2.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于，所述上边磁钢靠近所述振膜组件一端的棱采用圆角过渡。3.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于，所述上边磁钢靠近所述振膜组件的一端设有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述上边磁钢的两侧，以使所述上边磁钢呈台阶状。4.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于，所述上边磁钢靠近所述振膜组件一端的棱中的一部分采用圆角过渡，另一部分所述棱采用倒角过渡。5.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于，所述上边磁钢包括第一磁钢体和第二磁钢体，所述第一磁钢体设于靠近所述第二永磁件的一端；所述第二磁钢体设于所述第一磁钢体背离所述第二永磁件的一端，所述第二磁钢体靠近所述振膜组件的一端设有第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第二磁钢体的两侧，以使所述第二磁钢体靠近所述振膜组件...

【专利技术属性】
技术研发人员：林嘉平，董庆宾，
申请(专利权)人：深圳市维仕声学有限公司，
类型：新型
国别省市：