【技术实现步骤摘要】
一种防晶背刮伤的升降装置
[0001]本技术涉及晶圆检测
,尤其涉及一种防晶背刮伤的升降装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。
[0003]在进行剪应力量测时需把晶圆手动放置在机台载台上,作业员在寻找特定区域的剪应力量测时需在载台上大范围多次旋转晶圆,导致晶圆背面与载台表面摩擦造成晶背刮伤,从而影响晶圆的正常使用,为此,我们提出一种防晶背刮伤的升降装置。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中在进行剪应力量测时需把晶圆手动放置在机台载台上,作业员在寻找特定区域的剪应力量测时需在载台上大范围多次旋转晶圆,导致晶圆背面与载台表面摩擦造成晶背刮伤,从而影响晶圆的正常使用的问题,而提出的一种防晶背刮伤的升降装置。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0006]一种防晶背刮伤的升 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防晶背刮伤的升降装置,包括固定台面(1),其特征在于,所述固定台面(1)上设有用于加工晶圆的放置台(5),所述固定台面(1)的前侧设有操作杆(3),所述操作杆(3)上设有推动块(4),所述固定台面(1)内设有操作腔,所述操作腔内转动连接有升降筒(7),所述升降筒(7)上方设有移动架(9),所述推动块(4)与升降筒(7)相连接,所述操作腔内底部滑动连接有滑动块,所述操作腔内侧壁滑动连接滑动杆(12),所述放置台(5)上设有多个支撑筒(6),所述支撑筒(6)的内侧设有转动筒(13),多个所述转动筒(13)底部连接有同一个推动架(10),所述滑动杆(12)与推动架(10)之间相连接。2.根据权利要求1所述的一种防晶背刮伤的升降装置,其特征在于,所述移动架(9)与操作腔内侧壁之间滑动连接,所述移动架(9)底部转动连接有升降轴(8),所述升降轴(8)外侧壁与升降筒(7)内侧壁之间螺纹连接。3.根据权利要求1所述的一种防晶背刮伤的升降装置,其特征在于,所述升降筒(7)的外侧设有转动齿环,所述推...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜俊坤,韦磊,
申请(专利权)人:合肥新汇成微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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