一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片制造技术

本发明专利技术涉及跨阻放大器技术领域，公开了一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片，高共模抑制跨阻放大器包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；第一共射极放大单元对称设置，对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；第二共射极放大单元对称设置，对两路第一电压信号进行放大，从而增大了跨阻放大器的整体增益；另外由于第一共射极放大单元和第二共射极放大单元均为全差分结构，且对称设置，从而能够提高本发明专利技术的共模抑制比。从而能够提高本发明专利技术的共模抑制比。从而能够提高本发明专利技术的共模抑制比。

【技术实现步骤摘要】
一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片


[0001]本专利技术涉及跨阻放大器
，具体涉及一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片。

技术介绍

[0002]跨阻放大器（Transimpedance Amplifier, TIA）是光耦芯片中极其重要的组成部分，通常作为前置放大器来将微弱电流放大并转化为电压信号以方便后级电路进行处理。
[0003]现有光耦芯片中使用的跨阻放大器为共源极（Common Source, CS）跨阻放大器，其电路如图1所示。在图1中，MOS（Metal
‑
Oxide
‑
SemiconductorField
‑
Effect Transistor, MOSFET）管M1作为输入级，MOS管M2作为初级源极跟随器，用来驱动MOS管M3，MOS管M3用作第二级源极跟随器；另外MOS管 M1、MOS管M2和电阻Rf构成输入端并联负反馈环路，等效输入阻抗R
i
≈R
f
/(1+g
m1
*R1)，其中gr/>m1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；所述第一共射极放大单元对称设置，包括两个第一差分输入端，被配置于对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；所述反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，两路反馈支路与所述第一共射极放大单元电连接，用于将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；所述第二共射极放大单元对称设置，包括两个第二差分输入端，两个第二差分输入端输入两路第一电压信号，所述第二共射极放大单元用于对两路第一电压信号进行放大，并输出两路第二电压信号。2.根据权利要求1所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，所述第一共射极放大单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；所述第一电阻R1一端和第二电阻R2一端被配置于输入工作电源；所述第一电阻R1另一端分别与第一三极管Q1的集电极和第三三极管Q3的基极电连接，所述第二电阻R2另一端分别与第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的基极电连接；所述第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极分别通过所述第一电流源I1接地；所述第三三极管Q3的集电极和第四三极管Q4的集电极被配置于输入工作电源；所述第三三极管Q3的发射极通过第二电流源I2接地，所述第四三极管Q4的发射极通过第三电流源I3接地；所述第三三极管Q3的发射极和第四三极管Q3的发射极输出两路第一电压信号。3.根据权利要求2所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，还包括第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2；所述第一三极管Q1的基极与第一光敏二极管D1的正极电连接，所述第二三极管Q2的基极与第二光敏二极管D2的正极电连接；所述第一光敏二极管D1的负极和第二光敏二极管D2的负极被配置于输入工作电源。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭在超，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：