【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置。
技术介绍
[0002]在对半导体芯片进行失效点位置切片的过程中，往往需要借助到透射电子显微镜进行观测。在观测前，需要对半导体芯片的电性失效点进行切片处理，以使透射电子显微镜对切片后的样品进行观测。切片制样主要依靠聚焦离子束切割仪对半导体芯片进行切片，由于聚焦离子束切割仪的放大倍率有限，无法精确对半导体芯片的电性失效点进行切片。
技术实现思路
[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法，能够提升半导体芯片失效点位置切片的精确度。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法，包括：获取失效点位置；在所述失效点位置的外围进行组合标记处理，获取组合标记位置，其中，所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组；根据所述外围标记组对所述失效点位置进...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的失效点位置的切片方法，其特征在于，包括：获取失效点位置；在所述失效点位置的外围进行组合标记处理，获取组合标记位置，其中，所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组；根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理，获得初始切片；根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理，生成目标切片；对所述目标切片进行切片处理，得到失效点样片。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法，其特征在于，所述在所述失效点位置的外围进行组合标记处理，获取组合标记位置的步骤包括：在所述失效点位置的水平方向与竖直方向进行标记处理，获取外围标记组，其中，所述外围标记组包括第一外围标记与第二外围标记。3.根据权利要求2所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法，其特征在于，在所述失效点位置的水平方向与竖直方向进行标记处理，获取外围标记组的步骤后，还包括：在所述第一外围标记的所处直线的两侧进行标记处理，获取示警标记组，其中，所述示警标记组包括第一示警标记与第二示警标记。4.根据权利要求3所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法，其特征在于，在所述第一外围标记的所处直线的两侧进行标记处理，获取示警标记组的步骤后，还包括：在所述第一示警标记的所处直线与所述第二示警标记的所处直线之间进行标记处理，获取目标标记组。5.根据权利要求2所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法，其特征在于，所述第一外围标记位于所述失效点位置的竖直方向上，所述第二外围标记位于所述失效点位置的水平方向上，所述第一外围标记的所处直线与所述第二外围标记的所处直线在所述失效点位置处相交。6.根据权利要求3所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法，其特征在于，所述第一示警标记的所处直线与所述第二示警标记的所处直线相互平...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚超，陈红军，张琳琳，许桐，吴燿杉，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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