一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置制造方法及图纸

技术编号:37200055 阅读:10 留言:0更新日期:2023-04-20 22:56
本发明专利技术提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置,切片方法包括:获取失效点位置;在所述失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置,其中,所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组;根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理,获得初始切片;根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理,生成目标切片;对所述目标切片进行切片处理,得到失效点样片。通过本发明专利技术公开的一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置,能够提升半导体芯片的失效点位置切片的精确度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置


[0001]本专利技术涉及半导体
,特别是涉及一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置。

技术介绍

[0002]在对半导体芯片进行失效点位置切片的过程中,往往需要借助到透射电子显微镜进行观测。在观测前,需要对半导体芯片的电性失效点进行切片处理,以使透射电子显微镜对切片后的样品进行观测。切片制样主要依靠聚焦离子束切割仪对半导体芯片进行切片,由于聚焦离子束切割仪的放大倍率有限,无法精确对半导体芯片的电性失效点进行切片。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法,能够提升半导体芯片失效点位置切片的精确度。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法,包括:获取失效点位置;在所述失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置,其中,所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组;根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理,获得初始切片;根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理,生成目标切片;对所述目标切片进行切片处理,得到失效点样片。
[0005]在本专利技术一实施例中,所述在所述失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置的步骤包括:在所述失效点位置的水平方向与竖直方向进行标记处理,获取外围标记组,其中,所述外围标记组包括第一外围标记与第二外围标记。
[0006]在本专利技术一实施例中,在所述失效点位置的水平方向与竖直方向进行标记处理,获取外围标记组的步骤后,还包括:在所述第一外围标记的所处直线的两侧进行标记处理,获取示警标记组,其中,所述示警标记组包括第一示警标记与第二示警标记。
[0007]在本专利技术一实施例中,在所述第一外围标记的所处直线的两侧进行标记处理,获取示警标记组的步骤后,还包括:在所述第一示警标记的所处直线与所述第二示警标记的所处直线之间进行标记处理,获取目标标记组。
[0008]在本专利技术一实施例中,所述第一外围标记位于所述失效点位置的竖直方向上,所述第二外围标记位于所述失效点位置的水平方向上,所述第一外围标记的所处直线与所述第二外围标记的所处直线在所述失效点位置处相交。
[0009]在本专利技术一实施例中,所述第一示警标记的所处直线与所述第二示警标记的所处
直线相互平行。
[0010]在本专利技术一实施例中,在所述根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理,获得初始切片的步骤前,还包括:在所述失效点位置上附着保护层,其中,所述外围标记组位于所述保护层的外部,所述示警标记组与所述目标标记组位于所述保护层的内部。
[0011]在本专利技术一实施例中,所述根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理,获得初始切片的步骤包括:在所述失效点位置的一侧,沿水平方向对第一外围标记所处位置进行切片处理,直至切片的边缘位于第二外围标记的一侧时停止;沿水平方向对所述失效点位置的另一侧进行切片处理,直至切片的边缘位于第二外围标记的一侧时停止,获得初始切片。
[0012]在本专利技术一实施例中,所述根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理,生成目标切片的步骤包括:对所述初始切片的一侧进行细修处理,对第一示警标记进行切除,直至切片的边缘与所述目标标记组接触为止;对所述初始切片的另一侧进行细修处理,对第二示警标记进行切除,直至切片的边缘与所述目标标记组接触为止,生成目标切片。
[0013]本专利技术还提供一种半导体芯片的失效点位置的切片装置,包括:位置获取模块,用于获取失效点位置;标记处理模块,用于在所述失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置,其中,所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组;第一切片模块,用于根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理,获得初始切片;第二切片模块,用于根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理,生成目标切片;以及第三切片模块,用于对所述目标切片进行切片处理,得到失效点样片。
[0014]如上所述,本专利技术提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法,当失效点位置附近有多个重复单元时,可以通过示警标记组与目标标记组提醒工作人员切到目标位置,能够精确对半导体芯片的电性失效点进行切片,进而获得的失效点样片质量较好,能够有效提升半导体芯片失效点位置切片的精确度。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图:图1显示为本专利技术的一种半导体芯片的失效点位置的切片方法的流程图;图2显示为图1中步骤S20的流程图;图3显示为图1中步骤S40的流程图;
图4显示为图1中步骤S50的流程图;图5显示为本专利技术失效点位置的切片过程中组合标记位置的结构示意图;图6显示为本专利技术失效点位置的切片过程中保护层的结构示意图;图7显示为本专利技术失效点位置的切片过程中初始切片的结构示意图;图8显示为本专利技术失效点位置的切片过程中切到第一示警标记位置的示意图;图9显示为本专利技术失效点位置的切片过程中切到目标标记组位置的示意图;图10显示为本专利技术失效点位置的切片过程中切到第二示警标记位置的示意图;图11显示为本专利技术失效点位置的切片过程中目标切片的示意图;图12显示为本专利技术的一种半导体芯片的失效点位置的切片装置的结构示意图。
[0016]元件标号说明:110、失效点位置;120、第一外围标记;130、第二外围标记;140、第一示警标记;150、第二示警标记;160、目标标记;210、位置获取模块;220、标记处理模块;230、保护处理模块;240、第一切片模块;250、第二切片模块;260、第三切片模块。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0018]请参阅图1所示,半导体芯片内部的集成电路在研制、生产与使用过程会不可避免的出现失效点,在失效点出现后,需要对半导体芯片进行失效点位置的切片,以便设计人员找到相应的技术缺陷。本专利技术提供了一种半导体芯片的失效点位置的切片方法,可以应用在半导体芯片的失效点分析过程中,半导体芯片的失效点位置的切片方法可以包括如下步骤:步骤S10、获取失效点位置;步骤S20、在失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置,组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组;步骤S30、在失效点位置上附着保护层;步骤S40、根据外围标记组对半导体芯片的失效点位置进行切片处理,获得初始切本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的失效点位置的切片方法,其特征在于,包括:获取失效点位置;在所述失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置,其中,所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组;根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理,获得初始切片;根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理,生成目标切片;对所述目标切片进行切片处理,得到失效点样片。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法,其特征在于,所述在所述失效点位置的外围进行组合标记处理,获取组合标记位置的步骤包括:在所述失效点位置的水平方向与竖直方向进行标记处理,获取外围标记组,其中,所述外围标记组包括第一外围标记与第二外围标记。3.根据权利要求2所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法,其特征在于,在所述失效点位置的水平方向与竖直方向进行标记处理,获取外围标记组的步骤后,还包括:在所述第一外围标记的所处直线的两侧进行标记处理,获取示警标记组,其中,所述示警标记组包括第一示警标记与第二示警标记。4.根据权利要求3所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法,其特征在于,在所述第一外围标记的所处直线的两侧进行标记处理,获取示警标记组的步骤后,还包括:在所述第一示警标记的所处直线与所述第二示警标记的所处直线之间进行标记处理,获取目标标记组。5.根据权利要求2所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法,其特征在于,所述第一外围标记位于所述失效点位置的竖直方向上,所述第二外围标记位于所述失效点位置的水平方向上,所述第一外围标记的所处直线与所述第二外围标记的所处直线在所述失效点位置处相交。6.根据权利要求3所述的半导体芯片的失效点位置的切片方法,其特征在于,所述第一示警标记的所处直线与所述第二示警标记的所处直线相互平...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚超陈红军张琳琳许桐吴燿杉
申请(专利权)人:合肥晶合集成电路股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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