带有改进的连接结构的构件和用于制造构件的方法技术

本发明专利技术涉及一种构件(10)，其带有半导体主体(2)、绝缘结构(3)和连接结构(4)，其中，半导体主体(2)具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和介于二者之间的有源区(23)。连接结构(4)包括连接层(42)，所述连接层尤其与第二半导体层(22)形成直接的电接触。绝缘结构(3)不仅邻接第二半导体层(22)也邻接连接层(42)，其中，绝缘结构(3)横向地包围连接层(42)并且在俯视图中部分地覆盖连接层。所述连接结构(4)具有与所述连接层(42)电接触的导通触点(420)，所述导通触点在垂直方向上延伸穿过所述绝缘结构(3)。构件(10)具有作为安装面的背侧(12)，所述背侧结构化地实施并且至少局部地由连接结构(4)的表面构成。导通触点(420)实施为单独的、一体式实施的接触柱或连贯的接触层(40)的一体式部件。此外，此外提出一种用于制造构件、尤其这种构件(10)的方法。尤其这种构件(10)的方法。尤其这种构件(10)的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有改进的连接结构的构件和用于制造构件的方法
[0001]本专利技术公开了一种带有改进的连接结构的构件。此外，此外提出一种用于制造构件、尤其这种构件的方法。
[0002]当在目标基材上连接并固定微构件时常常出现的是，连接材料不能理想地分布在微构件下面或在局部并不理想地从侧向压出，由此，微构件在不利的情况下不能精确地、大面积地和可靠地固定在目标基材上。
[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种能够快速、精确、可靠和简化地安装在目标基材上的构件、特别是光电构件。本专利技术所要解决的另一个技术问题在于，提供一种用于制造构件、特别是具有结构化安装面的构件的可靠且成本低廉的方法。
[0004]所述技术问题通过根据独立权利要求所述的构件和用于制造构件的方法来实现。所述构件或所述方法的进一步设计是其它权利要求的技术方案。
[0005]根据构件的至少一个实施例，该构件具有半导体主体和连接结构，其中，构件的背侧被设计为结构化的安装面，该安装面至少局部地由接头结构的表面构成。
[0006]所述构件尤其是发光式的构件，例如μLED。例如构件的横向宽度和/或横向长度小于1000μm、500μm,300μm、200μm、100μm、50μm、30μm、20μm或者小于10μm。例如构件的横向宽度或横向长度为10μm至1000μm、10μm至500μm、10μm至300μm之间，或10μm至100μm之间。该构件具有例如1μm至500μm、1μm至300μm、1μm至200μm之间、1μm至100μm之间或1μm至50μm之间的垂直总高度。对于薄的μLED而言，垂直总高度可以在1μm至10μm或1μm至5μm之间、例如2
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3μm。在此所述的构件不限于上述几何规格，而是可以具有更大或更小的其它宽度、长度或总高度。
[0007]“横向”方向被理解为尤其平行于该构件的主延伸面、特别是平行于元件的半导体主体的主延伸面延伸的方向。例如横向方向平行于构件的正侧。“垂直”方向被理解为尤其垂直于构件、半导体主体的主延伸面或构件的正侧的方向。所述垂直方向和所述横向方向尤其彼此正交。
[0008]根据所述构件的至少一个实施例，所述构件具有与所述半导体主体并与连接结构邻接的绝缘结构。所述连接结构具有导通触点(Durchkontakt或称为电镀通孔)，所述导通触点沿垂直方向例如延伸穿过所述绝缘结构。特别地，所述构件的被构造为安装面的结构化的背侧局部地由导通触点的表面构成。构件的导通触点的数量可以是至少3个、5个、10个、20个、50个或100个。例如构件的导通触点的数量为3
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500个、3
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400个、3
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300个、3
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200个、3
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100个、3
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50个或者3
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20个。尤其点状布置的导通触点具有分别具有例如小于5μm、3μm或小于1μm的直径。所述直径例如为100nm至5μm、200nm至5μm或500nm至5μm。然而导通触点的直径不限于上述规格。导通触点尤其可以分别带状地实施，并且可以具有更大或更小的长度或宽度。
[0009]被称作导通触点的尤其是指连接结构的这种部件或区域，其在俯视图中与连接层具有重叠部并且沿着垂直方向延伸穿过绝缘结构，用于与连接层电接触。这样的导通触点可以被设计为单独的、独立部件或者被连接结构的集成部件或者说一体式部件，例如连接结构的连贯的接触层的一体式部件。在俯视图中，被称作或定义为导通触点的连接结构的
部件或区域尤其分别位于绝缘结构的接触开口之一的内部，并且由此与绝缘结构没有重叠部。
[0010]在构件的至少一种实施方式中，该构件具有半导体主体、绝缘结构和连接结构。半导体主体具有第一半导体层、第二半导体层和位于第一和第二半导体层之间的有源区(或称为活性区)。连接结构包括连接层，所述连接层尤其与第二半导体层形成直接的电接触。绝缘结构不仅邻接第二半导体层也邻接连接层，其中，绝缘结构横向地包围连接层并且在俯视图中部分地覆盖连接层。所述连接结构具有与所述连接层电接触的导通触点，所述导通触点在垂直方向上延伸穿过所述绝缘结构。所述构件具有作为安装面的背侧，所述安装面至少局部地由所述连接结构的表面、特别是由所述导通触点的表面构成。
[0011]因此，该构件具有结构化的背侧作为安装面，而不是平滑的背侧。因此，所述结构化的安装面使所述构件在目标安装面、例如在目标基材上的固定变得容易。该结构可以呈粗糙化的形式和/或局部凹陷和隆起的形式。在构件的背侧的俯视中，所述连接结构可以具有多个点状的导通触点或者被实施为条状的连接结构和/或粗糙化的连接结构。通过结构化的背侧，尤其可以改善穿过中间材料(Intervia
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Material)直至目标安装面的接触。构件的一部分或整个背侧可以实施为构件的连接垫，其尤其大面积地实施，由此使得构件在放置在目标安装面上时的倾翻风险最小化。由于存在多个尤其点状实施的导通触点，能够使结构化的背侧不大面积地中断，由此使得构件与目标安装面之间的电连接被优化。
[0012]根据构件的至少一个实施方式，连接结构具有导通触点，其中，导通触点实施为单独的、一体式实施的接触柱。导通触点尤其布置在连接层上的绝缘结构的开口中，其中，导通触点沿垂直方向从绝缘结构突出。例如可以自由触及构件的背侧上的导通触点。当导通触点由一个整体构成时，导通触点一体式地实施。该导通触点尤其不具有各个独立的、例如相叠或依次布置的层。导通触点尤其由唯一一个层构成。例如导通触点不具有相同材料的两个分层之间或不同材料之间的内部界面。导通触点尤其不由两个或更多个不同的层构成。
[0013]作为备选或补充，可能的是，连接结构具有连贯的接触层，其中，导通触点实施为连贯的接触层的一体式部件。背侧可以具有局部的凹陷，所述凹陷的底面至少部分地由导通触点的表面构成。如果导通触点实施为连贯的接触层的一体式部件，导通触点和接触层可以共同地一体式地实施。当导通触点和接触层例如由一个整体构成并且尤其在接触层与导通触点之间不存在内部界面时，导通触点和接触层一体式地实施。导通触点和接触层尤其由唯一一个层构成。导通触点和接触层可以具有相同的材料组分或者由相同的材料构成。局部来看，导通触点可以分别实施为一体式的。
[0014]根据构件的至少一种实施方式，导通触点从绝缘结构突伸出来。在构件的背侧上可以至少局部地自由接触导通触点。在此，导通触点可以是连接结构的接触层的部件。例如连接结构仅配置用于第二半导体层的电接触。第二半导体层优选实施为p导电的，然而也可以实施为n导电的。构件的背侧可以没有其他配置用于第一半导体层的电接触的连接结构。根据第二半导体层，第一半导体层可以实施为n导电的或者p导电的。例如构件在其正侧上具有至少一个触点，该触点设计用于第一半导体层的电接触。
[0015]根据构件的至少一种实施方式，背侧具有局部的凹陷或局部的隆起，所述凹陷或隆起的表面至少部分地由导通触点的表面构成。如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种构件(10)，具有半导体主体(2)、绝缘结构(3)和连接结构(4)，其中，
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半导体主体(2)具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于第一半导体层与第二半导体层之间的有源区(23)，
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连接结构(4)包括连接层(42)，所述连接层尤其与第二半导体层(22)形成直接的电接触，
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绝缘结构(3)不仅邻接第二半导体层(22)也邻接连接层(42)，其中，绝缘结构(3)横向地包围连接层(42)并且在俯视图中部分地覆盖连接层，
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构件(10)具有作为安装面的背侧(12)，所述背侧结构化地实施并且至少局部地由连接结构(4)的表面构成，并且
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所述连接结构(4)具有与所述连接层(42)电接触的导通触点(420)，所述导通触点在垂直方向上延伸穿过所述绝缘结构(3)，其中，
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导通触点(420)实施为单独的、一体式实施的接触柱，在连接层(42)上布置在绝缘结构(3)的开口中，沿垂直方向从绝缘结构(3)突伸出来并且在构件(10)的背侧(12)是可自由接触的，或者
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连接结构(4)具有连贯的接触层(40)，其中，导通触点(420)实施为连贯的接触层(40)的一体式部件，其中，背侧(12)具有局部凹陷(51)，所述局部凹陷的底面至少部分地由导通触点(420)的表面构成。2.根据权利要求1所述的构件(10)，其中，背侧(12)具有局部凹陷(51)或局部隆起，所述局部凹陷或布局隆起的表面至少部分地由导通触点(420)的表面构成。3.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，其中，导通触点(420)沿横向方向相互空间间隔，其中，导通触点(420)构造为构件(10)的多个单独的接触柱，所述接触柱仅通过连接层(42)相互导电连接。4.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，其中，绝缘结构(3)具有在连接层(42)上的开口，导通触点(420)布置在所述开口中，其中，导通触点(420)沿垂直方向从绝缘结构(3)突伸出来，沿横向方向与绝缘结构(3)通过一个中间区域(8)或通过多个中间区域(8)相间隔，并且构件(10)的背侧(12)是可自由接触的。5.根据权利要求1所述的构件(10)，其中，背侧(12)具有局部凹陷(51)，所述凹陷的底面至少部分地由导通触点(420)的表面构成。6.根据权利要求1或5所述的构件(10)，其中，连接结构(4)具有连贯的接触层(40)，其中，导通触点(420)实施为连贯的接触层(40)的一体式部件。7.根据权利要求1、5至6中任一项所述的构件(10)，其中，背侧(12)实施为可自由接触的且结构化，并且具有局部凹陷(51)以及局部隆起(52)，其中，
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局部隆起(52)是连接结构(4)的部件并且不同于导通触点(420)，并且
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背侧(12)的总面积的至少50％由连接结构(4)的粗糙化的或条状的表面构成。
8.根据权利要求1、5至6中任一项所述的构件(10)，其中，背侧(12)实施为可自由接触的且结构化，并且具有局部凹陷(51)以及局部隆起(52)，其中，
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局部隆起(52)是连接结构(4)的部件并且不同于导通触点(420)，并且局部隆起(52)条状地实施，从而使位于两个相邻的局部隆起(52)之间的局部凹陷(51)分别构成在背侧上的通道状的结构(510)。9.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，其中，连接层(42)实施为反射辐射的。10.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，所述构件具有透射辐射的基材(9)，其中，构件(10)的正侧(11)由透射辐射的基材(9)的表面构成，并且实施为构件(10)的辐射透射面。11.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，其中，绝缘结构(3)多层地实施，并且具有至少两个不同的直接依次邻接的分层(31、3...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：