等离子体发生器以及镀膜设备制造技术

本发明专利技术提出了一种等离子体发生器以及镀膜设备，其中，该等离子体发生器包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，第一电极板的中部与射频电极连接，第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，第二电极板被接地，第二电极板与第一电极板隔开而对置；进气部，朝向第一电极部进气，进气部具有多个绝缘板，多个绝缘板沿第一电极板和第二电极板的对置方向层叠，各绝缘板上分别形成有多个进气孔，在多个绝缘板相互层叠的状态下，各绝缘板的进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个绝缘板上的进气孔相互错位。本发明专利技术的等离子体发生器能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。并由此提高产生的等离子体的均匀性。并由此提高产生的等离子体的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体发生器以及镀膜设备


[0001]本专利技术涉及薄膜沉积
，尤其涉及等离子体发生器以及镀膜设备。

技术介绍

[0002]基于等离子体法的镀膜方法能够在低温下发生化学反应并获得相应的薄膜，因此能够降低对基材沉积温度的要求，可以实现在低温甚至在常温下进行沉积。此外，射频等离子体化学气相沉积法是等离子体增强化学气相沉积法中的一种，其特点在于等离子体是在高真空度下气体在射频交变电场的作用下发生电离而产生的。
[0003]现有技术当中，为了使等离子体的分布均匀，可能会选择中心射频馈电以使射频信号在上电极板上更加均匀。并且，为了提高气体扩散时的均匀性，会在上电极板的前面设置气体均流装置，以提高从上电极板喷淋出去的气体的均匀性，并由此提高所产生的等离子体的均匀性。

技术实现思路

[0004]然而，尽管通过提高气体扩散时的均匀性，能够提高等离子体的均匀性，但是在有些情况下，仍然存在由于气体的进气不均匀等原因，而导致产生的等离子体分布不均匀。
[0005]本专利技术针对于此，提出了一种等离子体发生器，能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。此外，本专利技术还提出了具有该等离子体发生器的镀膜设备。
[0006]根据本专利技术第一方面的等离子体发生器，包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，所述第一电极板的中部与射频电极连接，所述第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，所述第二电极板被接地，所述第二电极板设置在所述第一电极部的一侧并与所述第一电极板隔开而对置；进气部，设置在所述第一电极部的另一侧并朝向所述第一电极部进气，所述进气部具有多个绝缘板，多个所述绝缘板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向层叠，各所述绝缘板上分别具有多个进气孔，在多个所述绝缘板相互层叠的状态下，各所述绝缘板的所述进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个所述绝缘板上的所述进气孔相互错位。
[0007]根据本专利技术第一方面的等离子体发生器，具有如下有益效果：能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。
[0008]在一些实施方式中，在层叠的状态下，相邻的两个所述绝缘板相对的一面之间形成有第一连通间隙，相邻的两个所述绝缘板的所述进气孔之间，通过所述第一连通间隙连通。
[0009]在一些实施方式中，所述第一连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。
[0010]在一些实施方式中，各所述绝缘板上的所述进气孔中形成有第一分布区域以及第二分布区域，所述第一分布区域相比所述第二分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第一分布区域当中的所述进气孔的分布比所述第二分布区域中的所述进气孔的分布密集。
[0011]在一些实施方式中，各所述进气孔的直径为0.25mm以上且10mm以下。
[0012]在一些实施方式中，所述进气部和所述第一电极部层叠，所述进气部和所述第一电极部相互之间形成有第二连通间隙，所述进气部中的与所述第一电极部相邻的所述绝缘板上的所述进气孔经由所述第二连通间隙，与所述第一电极板上的所述出气孔连通。
[0013]在一些实施方式中，所述第二连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。
[0014]在一些实施方式中，所述第一电极部具有多个所述第一电极板，多个所述第一电极板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向间隔排列，以形成均流腔。
[0015]在一些实施方式中，在俯视视角下，相互相邻的所述绝缘板和所述第一电极板之间，所述进气孔和所述出气孔相互错位。
[0016]在一些实施方式中，在俯视视角下，相邻的所述第一电极板的所述出气孔相互错位。
[0017]在一些实施方式中，各所述第一电极板当中，一个所述第一电极板的所述出气孔的直径，分别大于相比于该第一电极板位于与所述第二电极板相反的一侧的另一个所述第一电极板的所述出气孔的直径。
[0018]在一些实施方式中，各所述第一电极板上的所述出气孔中形成有第三分布区域和第四分布区域，所述第三分布区域相比所述第四分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第三分布区域当中的所述出气孔的分布比所述第四分布区域中的所述出气孔的分布密集。
[0019]在一些实施方式中，多个所述第一电极板之间相互连接，并且，与所述绝缘板相邻的所述第一电极板与所述射频电极连接；与所述射频电极连接的所述第一电极板的所述第三分布区域中的所述出气孔，朝向所述射频电极倾斜。
[0020]根据本专利技术第二方面的镀膜设备，包括镀膜室，所述镀膜室内设置有上述任一项的等离子体发生器。
[0021]根据本专利技术第二方面的镀膜设备，具有如下有益效果：由于能够提高产生的等离子体的均匀性，因此能够提高膜层的均匀性。
附图说明
[0022]图1是具有本专利技术的等离子体发生器的镀膜设备的示意图。
[0023]图2是本专利技术的等离子体发生器的主视方向的示意图。
[0024]图3是本专利技术的等离子体发生器的俯视方向的示意图。
[0025]图4是沿图3中的A
‑
A处的剖视图。
[0026]图5是沿图3中的B
‑
B处的剖视图。
具体实施方式
[0027]下面详细描述本实施方式的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实施方式，而不能理解为对本实施方式的限制。
[0028]在本实施方式的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实施
方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实施方式的限制。
[0029]在本实施方式的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0030]本实施方式的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实施方式中的具体含义。
[0031]图1是具有等离子体发生器100的镀膜设备200的示意图。图2是等离子体发生器100的主视方向的示意图。图3是等离子体发生器100的俯视方向的示意图，在图3中，分别用细实线、细虚线示意性地表示不同的绝缘体107的进气孔108的排布，分别用粗实线、粗虚线示意性地表示不同的第一电极板104的出气孔106的排布。图4是沿图3中的A
‑
A处的剖视图，图5是沿图3中的B
‑
B处的剖视图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.等离子体发生器，其特征在于，包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，所述第一电极板的中部与射频电极连接，所述第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，所述第二电极板被接地，所述第二电极板设置在所述第一电极部的一侧并与所述第一电极板隔开而对置；进气部，设置在所述第一电极部的另一侧并朝向所述第一电极部进气，所述进气部具有多个绝缘板，多个所述绝缘板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向层叠，各所述绝缘板上分别具有多个进气孔，在多个所述绝缘板相互层叠的状态下，各所述绝缘板的所述进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个所述绝缘板上的所述进气孔相互错位。2.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，在层叠的状态下，相邻的两个所述绝缘板相对的一面之间形成有第一连通间隙，相邻的两个所述绝缘板的所述进气孔之间，通过所述第一连通间隙连通。3.根据权利要求2所述的等离子体发生器，其特征在于，所述第一连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述绝缘板上的所述进气孔中形成有第一分布区域以及第二分布区域，所述第一分布区域相比所述第二分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第一分布区域当中的所述进气孔的分布比所述第二分布区域中的所述进气孔的分布密集。5.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述进气孔的直径为0.25mm以上且10mm以下。6.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，所述进气部和所述第一电极部层叠，所述进气部和所述第一电极部相互之间形成有第二连通间隙，所述进气部中的与所述第一电极部相邻的所述绝缘板上的所述进...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市原速光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：