等离子体发生器以及镀膜设备制造技术

本发明专利技术提出了一种等离子体发生器以及镀膜设备，其中，该等离子体发生器包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，第一电极板的中部与射频电极连接，第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，第二电极板被接地，第二电极板与第一电极板隔开而对置；进气部，朝向第一电极部进气，进气部具有多个绝缘板，多个绝缘板沿第一电极板和第二电极板的对置方向层叠，各绝缘板上分别形成有多个进气孔，在多个绝缘板相互层叠的状态下，各绝缘板的进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个绝缘板上的进气孔相互错位。本发明专利技术的等离子体发生器能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。并由此提高产生的等离子体的均匀性。并由此提高产生的等离子体的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体发生器以及镀膜设备


[0001]本专利技术涉及薄膜沉积
，尤其涉及等离子体发生器以及镀膜设备。

技术介绍

[0002]基于等离子体法的镀膜方法能够在低温下发生化学反应并获得相应的薄膜，因此能够降低对基材沉积温度的要求，可以实现在低温甚至在常温下进行沉积。此外，射频等离子体化学气相沉积法是等离子体增强化学气相沉积法中的一种，其特点在于等离子体是在高真空度下气体在射频交变电场的作用下发生电离而产生的。
[0003]现有技术当中，为了使等离子体的分布均匀，可能会选择中心射频馈电以使射频信号在上电极板上更加均匀。并且，为了提高气体扩散时的均匀性，会在上电极板的前面设置气体均流装置，以提高从上电极板喷淋出去的气体的均匀性，并由此提高所产生的等离子体的均匀性。

技术实现思路

[0004]然而，尽管通过提高气体扩散时的均匀性，能够提高等离子体的均匀性，但是在有些情况下，仍然存在由于气体的进气不均匀等原因，而导致产生的等离子体分布不均匀。
[0005]本专利技术针对于此，提出了一种等离子体发生器，能够至少一定程度上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.等离子体发生器，其特征在于，包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，所述第一电极板的中部与射频电极连接，所述第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，所述第二电极板被接地，所述第二电极板设置在所述第一电极部的一侧并与所述第一电极板隔开而对置；进气部，设置在所述第一电极部的另一侧并朝向所述第一电极部进气，所述进气部具有多个绝缘板，多个所述绝缘板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向层叠，各所述绝缘板上分别具有多个进气孔，在多个所述绝缘板相互层叠的状态下，各所述绝缘板的所述进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个所述绝缘板上的所述进气孔相互错位。2.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，在层叠的状态下，相邻的两个所述绝缘板相对的一面之间形成有第一连通间隙，相邻的两个所述绝缘板的所述进气孔之间，通过所述第一连通间隙连通。3.根据权利要求2所述的等离子体发生器，其特征在于，所述第一连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述绝缘板上的所述进气孔中形成有第一分布区域以及第二分布区域，所述第一分布区域相比所述第二分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第一分布区域当中的所述进气孔的分布比所述第二分布区域中的所述进气孔的分布密集。5.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述进气孔的直径为0.25mm以上且10mm以下。6.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，所述进气部和所述第一电极部层叠，所述进气部和所述第一电极部相互之间形成有第二连通间隙，所述进气部中的与所述第一电极部相邻的所述绝缘板上的所述进...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市原速光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：