一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法技术

本发明专利技术涉及检测铜箔微观物理性能指标技术领域，公开了一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法，包括铜箔裁制样品：铜箔样品放在200℃高温下烘烤60分钟，用刀刻的方法进行裁制样品；水晶胶配制；把烘烤后铜箔样品放入由PS材料注塑至金相切片实验模具内并缓慢注入配制好的水晶胶;待胶水干后把刚制好样品放在金相磨抛机进行抛磨，观察磨口较平滑时再放在涂有氧化铝抛光粉的抛光布上进行抛光。本发明专利技术通过蚀刻液对磨口进行微蚀并用超景深显微镜观察抛磨好的样品，并探测块状晶与柱状晶比例，从而有效地验证了不同批次的高档电解铜箔的晶体结构一致性，本方法检测的数据准确率高，可更直观观察铜箔截面微观结构，可降低检测成本。低检测成本。低检测成本。

【技术实现步骤摘要】
一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法


[0001]本专利技术涉及检测铜箔微观物理性能指标
，具体为一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法。

技术介绍

[0002]随着电子信息PCB技术的飞速发展，PCB产业也推动CCL朝着机械自动化发展，国内许多CCL厂家在生产FR
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4型双面CCL过程中，采用了两卷铜箔一起开卷，按照规定的尺寸同步裁切，如果这两卷铜箔的延伸率不一致，成型加工后的板就会出现翘曲增大的问题，通过对这种出现板的层间切片在显微镜下的观察，可以看到它的两面铜箔的微观结构相差较大，因此，不仅要求铜箔生产厂家生产的铜箔具有高延伸率，还要做到各批次，各卷在延伸率上需要求一致，而且这种对铜箔的晶体结构、延伸率值稳定、均匀一致对确保CCL的平整度来说更为重要，需要对铜箔晶体结构一致性进行精准检验，所以我们提出一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法，解决了
技术介绍
中所提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法，S1：铜箔裁制成样品，首先选择一张没有褶皱的铜箔样品放在200℃高温下烘烤60分钟，然后画好21mm*20mm标线，用刀刻的方法进行裁制样品；S2：水晶胶配制，拿取适量的水晶胶、催化剂和固化剂，水晶胶，将水晶胶：催化剂：固化剂=10:1:1的比重比例放置在量杯内；S3：把烘烤后铜箔样品放入由PS材料注塑而成的长21mm*宽21mm*高18mm金相切片实验模具内，并缓慢注入配制好的水晶胶；S4：待水晶胶干后把制好的金相切片样品放在金相磨抛机进行抛磨，观察磨口较平滑时，将抛磨后的金相切片样品放在涂有氧化铝抛光粉的抛光布上进行抛光；S5：调制蚀刻液，蚀刻液由氨水：双氧水=3:7的比重比例调制而成，对金相切片样品的磨口进行微蚀并用超景深显微镜观察抛磨好的样品，并且测量块状晶与柱状晶比例。
[0005]作为本专利技术的一种优选实施方式，步骤S1中200℃高温下烘烤60分钟可反映铜箔在加工使用过程中的特点。
[0006]作为本专利技术的一种优选实施方式，步骤S2中在配制水晶胶过程中提高催化剂和固化剂的比例后，可加快固化时间。
[0007]作为本专利技术的一种优选实施方式，步骤S3中铜箔高出金相切片模具端面1mm
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2mm时粘合，可节省抛磨所需时间。
[0008]作为本专利技术的一种优选实施方式，步骤S4中，抛磨过程首先用2000目砂纸进行粗抛，然后用6000目砂纸进行细抛，最后再用带有氧化铝抛光粉的抛光布进行抛光，并且在整个抛磨过程都需要采用喷水方式降温。
[0009]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述步骤S5中，使用超景深观察样品时超景深使用放大倍数为1000。
[0010]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：本专利技术通过蚀刻液对磨口进行微蚀并用超景深显微镜观察抛磨好的样品，并探测块状晶与柱状晶比例，从而有效地验证了不同批次的高档电解铜箔的晶体结构一致性，本方法检测的数据准确率高，有利于更直观观察铜箔截面微观结构，并且降低了检测成本。
附图说明
[0011]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法的实施方式的流程示意图；图2为本专利技术一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法的铜箔端面晶体结构比例示意图。
具体实施方式
[0012]为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。
[0013]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制；在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0014]实施例1请参阅图1
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2，本专利技术提供一种技术方案：一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法，包括以下步骤，S1：铜箔裁制样品，铜箔裁制成样品，首先选择一张没有褶皱的铜箔样品放在200℃高温下烘烤60分钟，然后画好21mm*20mm标线，用刀刻的方法进行裁制样品；S2：水晶胶配制，拿取适量的水晶胶、催化剂和固化剂，水晶胶，将水晶胶：催化剂：固化剂=10:1:1的比重比例放置在量杯内并慢慢的转动，让固化剂和催化剂充分融合在一起即可，尽量不要去搅拌，以免人为产生气泡；S3：把烘烤后铜箔样品放入由PS材料注塑而成的长21mm*宽21mm*高18mm金相切片实验模具内，并缓慢注入配制好的水晶胶;S4：待水晶胶水干后把刚制好样品放在金相磨抛机进行抛磨，首先用2000目砂纸进行粗抛，然后用6000目砂纸进行细抛，观察磨口较平滑时再用放在涂有氧化铝抛光粉的抛光布上进行精磨，再此整个抛磨过程都需水降温；S5：调制蚀刻液，蚀刻液由氨水：双氧水=3:7的比重比例调制而成，对金相切片样品的磨口进行微蚀，在蚀刻过程使用棉签沾蚀刻液，涂覆在磨口处8
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12秒左右，不易过长，晶界容易蚀刻掉，再用超景深显微镜观察抛磨好的样品，并将分成10小等份，算出每一等份块状晶比例，而最终块状晶与柱状晶比例等于10小份块状晶之和，
有效地保证了高档电解铜箔的晶体结构占比的准确率，不仅降低了检测成本，而且此检测方法可在铜箔及类似行业产品检测方面推广使用。
[0015]本实施例中，金相切片的磨口在抛光布上进行精磨时，整个精磨过程都需水降温，可避免金相切片的磨口出现高温灼烧受损的情况。
[0016]本实施例中，在蚀刻过程使用棉签沾蚀刻液，涂覆磨口处的时长控制在8
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12秒之间，不易过长，避免晶界被蚀刻掉。
[0017]以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0018]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法，其特征在于该方法是由以下步骤实现的：S1：铜箔裁制成样品，首先选择一张没有褶皱的铜箔样品放在200℃高温下烘烤60分钟，然后画好21mm*20mm标线，用刀刻的方法进行裁制样品；S2：水晶胶配制，拿取适量的水晶胶、催化剂和固化剂，水晶胶，将水晶胶：催化剂：固化剂=10:1:1的比重比例放置在量杯内；S3：把烘烤后铜箔样品放入由PS材料注塑而成的长21mm*宽21mm*高18mm金相切片实验模具内，并缓慢注入配制好的水晶胶；S4：待水晶胶干后把制好的金相切片样品放在金相磨抛机进行抛磨，观察磨口较平滑时，将抛磨后的金相切片样品放在涂有氧化铝抛光粉的抛光布上进行抛光；S5：调制蚀刻液，蚀刻液由氨水：双氧水=3:7的比重比例调制而成，对金相切片样品的磨口进行微蚀并用超景深显微镜观察抛磨好的样品，并且测量块状晶与柱状晶比例。2.根据权利要求1所述的一种金相切片检验不同批次铜箔晶体结构一致性方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪荣虎，龚凯凯，黄宇州，张雷，冯洋，潘祥祥，
申请(专利权)人：九江德福科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：