电光晶体薄膜、制备方法及电子元件技术

提供了一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元件，涉及半导体元件技术领域，其中，电光晶体薄膜的制备方法包括：对衬底层进行刻蚀处理，刻蚀后的衬底层表面形成凹槽和相较于凹槽凸起的光波导结构；在凹槽内制备填充层；在光波导结构和填充层共同形成的表面依次制备隔离层、功能层，以形成复合薄膜；去除填充层，形成电光晶体薄膜。本申请中通过在衬底层上刻蚀光波导结构后制备填充层，并形成复合薄膜后，再将填充层去除，从而保证了在衬底层的刻蚀深度合适，形成高度合适的光波导结构。形成高度合适的光波导结构。形成高度合适的光波导结构。

【技术实现步骤摘要】
电光晶体薄膜、制备方法及电子元件


[0001]本申请涉及半导体元件
，尤其涉及电光晶体薄膜、制备方法及电子元件。

技术介绍

[0002]电光晶体薄膜，由于具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等优点，而被广泛的应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域，尤其在薄膜体声波器件、滤波器、电光调制器等领域受到越来越广泛的关注和应用。以铌酸锂电光晶薄膜制备电光调制器为例，需要将铌酸锂薄膜进一步制备成所需要的光波导结构，然后利用铌酸锂薄膜与二氧化硅的高折射率差将光限制在铌酸锂薄膜层中。
[0003]相关技术中，将铌酸锂薄膜制备成所需要的光波导结构的方法主要包括如下步骤：首先，制备得到依次层叠的衬底层、隔离层和铌酸锂薄膜层；然后，将铌酸锂薄膜层保护，在衬底层的表面刻蚀处理形成凹槽，相较于凹槽凸起的结构即为光波导结构。
[0004]然而，由于衬底层与隔离层的界面处比较难控制，容易造成衬底层的刻蚀深度较深，破坏隔离层，甚至造成铌酸锂薄膜层的破坏；或者，由于复合后的材质硬度发生改变，也容易造成衬底层的刻蚀深度较浅，造成刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：对衬底层（101）进行刻蚀处理，刻蚀后的所述衬底层（101）表面形成凹槽（102）和相较于凹槽（102）凸起的光波导结构（103）；在所述凹槽（102）内制备填充层（3）；在所述光波导结构（103）和所述填充层（3）共同形成的表面依次制备隔离层（104）、功能层（105），以形成复合薄膜；去除所述填充层（3），形成电光晶体薄膜。2.根据权利要求1所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述填充层（3）由可腐蚀材料填充至所述凹槽（102）形成；所述去除所述填充层（3），包括：向所述凹槽（102）内通入用于腐蚀所述可腐蚀材料的腐蚀液，以腐蚀所述填充层（3）。3.根据权利要求2所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述可腐蚀材料包括光刻胶，所述腐蚀液包括用于溶解所述光刻胶的丙酮溶液；或者，所述可腐蚀材料包括聚酰亚胺，所述腐蚀液包括用于溶解所述聚酰亚胺的二甲基甲酰胺溶剂、二甲基乙酰胺溶剂或N
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甲基吡咯烷酮溶剂中的任意一种。4.根据权利要求2所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述向所述凹槽（102）内通入可以腐蚀所述可腐蚀材料的腐蚀液，以腐蚀所述填充层（3），包括：将所述衬底层（101）背向所述隔离层（104）的一面进行抛光至裸露所述填充层（3），由所述填充层（3）背向所述隔离层（104）的一面向所述填充层（3）内通入所述腐蚀液。5.根据权利要求2所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述向所述凹槽（102）内通入可以腐蚀所述可腐蚀材料的腐蚀液，以腐蚀所述填充层（3），包括：打磨所述复合薄膜的侧壁至与所述凹槽（102）连通，由所述复合薄膜的侧壁向所述填充层（3）内通入所述腐蚀液。6.根据权利要求1
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5任一项所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述光波导结构（103）和所述填充层（3）共同形成的表面依次制备隔离层（104）、功能层（105）形成复合薄膜；包括：在所述光波导结构（103）和所述填充层（3）共同形成的表面覆盖所述隔离层（104）的材料，并对其平坦化处理至目标厚度，形成复合衬底；将所述复合衬底与所述功能层（105）进行键合形成所述复合薄膜。7.根据权利要求6所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述复合衬底与功能层（105）进行键合形成所述复合薄膜，包括：采用离子注入法和键合分离法将所述复合衬底与所述功能层（105）键合，以形成所述复合薄膜；或者，采用键合法和研磨抛光法将所述复合衬底与所述功能层（105）键合，以形成所述复合薄膜。8.根据权利要求7所述的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入法和键合分离法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金翠，张涛，邢兆辉，王有贵，李慧青，董玉爽，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：