【技术实现步骤摘要】
温度稳定系统及芯片
[0001]本专利技术是关于集成电路领域,特别是关于一种温度稳定系统及芯片。
技术介绍
[0002]目前很多芯片产品本身性能会受到外部环境温度的影响,当芯片工作时如果外部环境变化较为剧烈,可能会使得芯片关键性能参数产生一定程度的偏移。尤其是对于较为高精度的芯片产品,往往需要通过精细的电路设计或者校准方案来尽可能减弱外部环境温度变化对性能指标的影响程度。
[0003]芯片产生热量的方式主要是芯片工作时片上器件所产生的功耗,而将热量散发出去的方式主要是:通过封装顶部和外部空气进行热交换以及通过封装底部和引脚与电路板进行热交换。也就是说封装是芯片与外部环境进行热交换的媒介。
[0004]对于芯片产品而言,封装材料会标明外部环境和裸片(die)之间的热阻大小,可以把裸片(die)当作热源,裸片(die)本身的发热功率作为热源功率,通过封装热阻的大小可以计算在一定热源功率下的外部环境温度T
A
与裸片(die)上的温度T
j
之间的温度差。在相同芯片发热功率下,封装热 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种温度稳定系统,其特征在于,包括:温度感知电路,基于外部环境温度和裸片的温度产生用于表征外部环境温度或裸片的温度的表征信号;控制电路,基于表征信号产生一反馈电压信号,并根据裸片的目标温度对参考电压信号或反馈电压信号进行调节以基于参考电压信号和反馈电压信号输出控制信号;以及加热电路,基于控制信号的控制将裸片的温度稳定至目标温度。2.如权利要求1所述的温度稳定系统,其特征在于,所述温度感知电路包括第一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管以及运算放大器;所述第一三极管的基极与集电极相连且同时与第一电阻的第一端以及运算放大器的第一输入端相连,所述第二三极管的基极与集电极相连且同时与第三电阻的第一端相连,所述第一三极管和第二三极管的发射极与地电压相连;或者所述第一三极管的基极与集电极相连且同时与地电压相连,所述第二三极管的基极与集电极相连且同时与地电压相连,所述第一三极管的发射极与第一电阻的第一端以及运算放大器的第一输入端相连,所述第二三极管的发射极与第三电阻的第一端相连;所述第一三极管和第二三极管的个数比为1:N,N≥2;所述第三电阻的第二端与运算放大器的第二输入端以及第二电阻的第一端相连,所述运算放大器的输出端与第一MOS管的栅极相连,所述第一MOS管的源极与电源电压相连,所述第一电阻的第二端、第二电阻的第二端与第一MOS管的漏极相连。3.如权利要求1所述的温度稳定系统,其特征在于,所述控制电路包括:采集单元,用...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵晓斌,郭伟新,董彭,
申请(专利权)人:思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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