一种硅基OLED微显示器件及其制备方法技术

一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，属于OLED微显示技术领域，该硅基OLED微显示器件，包括CMOS基板，所述CMOS基板上设置发光功能层，所述发光功能层上依次设置封装层和滤光层，所述封装层包括封装层Ⅰ、封装层Ⅱ及之间的导电胶层，所述导电胶层的底端穿过所述封装层Ⅰ后与所述发光功能层相连，本发明专利技术的有益效果是，本发明专利技术通过刻蚀的方法，将封装层Ⅰ与阴极之间刻开，在阴极与封装层Ⅰ断开的导电通道制备一层导电胶来连接，给阴极供电，这样能有效的减小OLED显示器的边框宽度，从而减小OLED显示器的尺寸大小，提升产品竞争力。提升产品竞争力。提升产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED微显示器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及OLED显示器件
，尤其涉及一种硅基OLED微显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一种微型OLED显示技术，主要应用于特种军用显示(枪支瞄准镜、单兵作战头盔显示器、飞行员头盔等)以及民用消费电子领域(AR、VR、微型投影仪、航空拍摄等)，Micro OLED具有体积小、重量轻、功耗低、对比度高、分辨率高等优点。
[0003]在Micro OLED的产品中，阴极供电一般是在阴极层的外周设置阴极环来供电。但是这种供电结构会增大整个产品的边框宽度，导致产品的尺寸变大，不能满足产品微型化的要求。
[0004]如公布号为CN114188384A的专利公开了一种彩色显示的硅基OLED显示器，该OLED显示器包括像素区，像素区的外侧为间隔区，间隔区的外侧为阴极环区，阴极环区的外侧为绑定区，像素区包括第一像素区，第二像素区和第三像素区，第一像素区布置在像素区的中心区域，第二像素区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED微显示器件，其特征在于，包括CMOS基板，所述CMOS基板上设置发光功能层，所述发光功能层上依次设置封装层和滤光层，所述封装层包括封装层Ⅰ、封装层Ⅱ及之间的导电胶层，所述导电胶层的底端穿过所述封装层Ⅰ后与所述发光功能层相连。2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述发光功能层包括设置在所述CMOS基板表面的阳极层和像素定义层，所述阳极层和像素定义层的上表面依次覆盖有包括有机发光层和阴极的OLED层。3.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述阴极表面间隔设置有多个凹槽，所述封装层Ⅰ上间隔设置有与对应凹槽相对的通孔，相对的通孔与凹槽形成使所述导电胶层通过的导电通道。4.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述阳极层的每个阳极单元的周向均布设置多个所述导电通道。5.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述阴极的厚度为20～30nm，所述导电通道的深度为100～110nm。6.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述封装层Ⅰ和封装层Ⅱ的材质相同，包括Al2O3、TiO2、ATO、SiN、SiON、Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：何靖，曹君，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：