显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种显示装置。所述显示装置包括：基体层；电路层，在所述基体层上；以及发光元件，在所述电路层上，其中，所述电路层包括其中限定接触孔的至少一个有机绝缘层；以及连接电极，设置在所述至少一个有机绝缘层上，所述连接电极的一部分设置在所述接触孔中，其中，所述接触孔在一个方向上的宽度的最小值是大约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米。约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米。约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2021年8月23日提交的第10
‑
2021
‑
0110759号韩国专利申请的优先权，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开在此涉及一种显示装置及制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及一种具有高分辨率、高速驱动和高鲁棒性特性的显示装置及制造显示装置的方法。

技术介绍

[0004]显示装置包括多个像素和用于控制多个像素的驱动电路(例如，扫描驱动电路和数据驱动电路)。多个像素中的每一个包括显示元件和用于控制显示元件的像素驱动电路。像素的驱动电路可以包括多个有机连接的晶体管。
[0005]随着显示装置的尺寸和分辨率逐渐增加，信号线和包括在像素中的连接显示元件和晶体管的连接电极的数量增加，并且像素中包含的驱动电路的集成度增加。另外，为了改善可以各种形状变形的柔性显示装置的鲁棒性，像素的驱动电路包括更多的有机层和连接电极，使得在像素间距内设置更多的信号线和连接电极。

技术实现思路

[0006]本公开提供一种能够利用具有高集成度的像素电路实现高分辨率和高速驱动的显示装置及制造显示装置的方法。
[0007]本公开提供一种通过在电路层中包括多个有机绝缘层和连接电极而具有改善的鲁棒性的显示装置及用于制造显示装置的方法。
[0008]本公开的实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：基体层；电路层，设置在所述基体层上；以及发光元件，设置在所述电路层上，其中，所述电路层包括：其中限定接触孔的至少一个有机绝缘层；以及连接电极，设置在所述至少一个有机绝缘层上，所述连接电极的一部分设置在所述接触孔中，其中，所述接触孔在一个方向上的宽度的最小值是1.8微米或更大并且小于2.5微米。
[0009]在一实施例中，所述连接电极在所述一个方向上的上宽度是3.6微米或更大并且小于6微米。
[0010]在一实施例中，所述电路层还包括设置在所述至少一个有机绝缘层和所述基体层之间的晶体管，并且其中，所述连接电极电连接到所述晶体管。
[0011]在一实施例中，所述至少一个有机绝缘层包括：第一有机绝缘层，设置在所述晶体管上；以及第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，其中，第一接触孔限定在所述第一有机绝缘层中，并且其中，所述第一接触孔在所述一个方向上的宽度的最小值是1.8微米或更大并且小于2.5微米。
[0012]在一实施例中，所述连接电极包括设置在所述第一接触孔中的第一连接电极，并
且其中，所述第一连接电极在所述一个方向上的上宽度是3.6微米或更大并且小于6微米。
[0013]在一实施例中，第二接触孔限定在所述第二有机绝缘层中，其中，所述连接电极还包括设置在所述第二接触孔中并且电连接到所述第一连接电极的第二连接电极，其中，所述第二接触孔在所述一个方向上的宽度的最小值是1.8微米或更大并且小于2.5微米，并且其中，所述第二连接电极在所述一个方向上的上宽度是3.6微米或更大并且小于6微米。
[0014]在一实施例中，所述电路层还包括连接到所述晶体管并且电连接到所述连接电极的下连接电极，并且其中，所述下连接电极在所述一个方向上的上宽度等于所述连接电极在所述一个方向上的上宽度。
[0015]在一实施例中，所述电路层包括设置在所述基体层和所述有机绝缘层之间的至少一个无机绝缘层，其中，下接触孔限定在所述至少一个无机绝缘层中，并且其中，所述下连接电极通过所述下接触孔连接到所述晶体管。
[0016]在一实施例中，所述接触孔包括：第一接触孔部分，具有从垂直虚拟轴测量的第一倾斜度；以及第二接触孔部分，限定在所述第一接触孔部分上并且具有从相同的所述垂直虚拟轴测量的大于所述第一倾斜度的第二倾斜度。
[0017]在一实施例中，所述第一接触孔部分在所述一个方向上的宽度的最小值是1.8微米或更大并且小于2.5微米。
[0018]本公开的实施例提供一种显示装置，包括：基体层；电路层，在所述基体层上；以及发光元件，在所述电路层上，其中，所述电路层包括其中限定接触孔的至少一个有机绝缘层；以及设置在所述至少一个有机绝缘层上的连接电极，所述连接电极的一部分设置在所述接触孔中，其中，所述接触孔在一个方向上的宽度的最小值是大约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米，并且其中，所述连接电极在所述一个方向上的上宽度是大约3.6微米或更大并且小于大约6微米。
[0019]在一实施例中，所述电路层还可以包括设置在所述至少一个有机绝缘层和所述基体层之间的晶体管，其中，所述连接电极可以电连接到所述晶体管。
[0020]在一实施例中，所述至少一个有机绝缘层可以包括：第一有机绝缘层，在所述晶体管上；以及第二有机绝缘层，在所述第一有机绝缘层上，其中，第一接触孔可以限定在所述第一有机绝缘层中，并且其中，所述第一接触孔在所述一个方向上的宽度的最小值可以是大约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米。
[0021]在一实施例中，所述连接电极可以包括设置在所述第一接触孔中的第一连接电极，其中，所述第一连接电极在所述一个方向上的上宽度可以是大约3.6微米或更大并且小于大约6微米。
[0022]在一实施例中，第二接触孔可以限定在所述第二有机绝缘层中，其中，所述连接电极还可以包括设置在所述第二接触孔中并且电连接到所述第一连接电极的第二连接电极，其中，所述第二接触孔在所述一个方向上的宽度的最小值可以是大约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米，并且其中，所述第二连接电极在所述一个方向上的上宽度可以是大约3.6微米或更大并且小于大约6微米。
[0023]在一实施例中，所述电路层还可以包括连接到所述晶体管并且电连接到所述连接电极的下连接电极，并且其中，所述下连接电极在所述一个方向上的上宽度可以基本上等于所述连接电极在所述一个方向上的上宽度。
[0024]在一实施例中，所述电路层可以包括设置在所述基体层和所述有机绝缘层之间的至少一个无机绝缘层，其中，下接触孔可以限定在所述至少一个无机绝缘层中，并且其中，所述下连接电极可以通过所述下接触孔连接到所述晶体管。
[0025]在一实施例中，所述接触孔可以包括：第一接触孔部分，具有第一倾斜度；以及第二接触孔部分，限定在所述第一接触孔部分上并且具有大于所述第一倾斜度的第二倾斜度。
[0026]在一实施例中，所述第一接触孔部分在所述一个方向上的宽度的最小值可以是大约1.8微米或更大并且小于大约2.5微米。
[0027]在一实施例中，所述发光元件可以包括：第一电极，在所述有机绝缘层上；发光层，在所述第一电极上；以及第二电极，在所述发光层上，其中，暴露所述连接电极的上表面的上接触孔可以限定在所述有机绝缘层中，并且其中，所述第一电极的一部分可以设置在所述上接触孔中并且连接到所述连接电极。
[0028]在本公开的一实施例中，一种显示装置包括：基体层；电路层，在所述基体层上；以及发光元件，在所述电路层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：基体层；电路层，设置在所述基体层上；以及发光元件，设置在所述电路层上，其中，所述电路层包括：其中限定接触孔的至少一个有机绝缘层；以及连接电极，设置在所述至少一个有机绝缘层上，所述连接电极的一部分设置在所述接触孔中，其中，所述接触孔在一个方向上的宽度的最小值是1.8微米或更大并且小于2.5微米。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述连接电极在所述一个方向上的上宽度是3.6微米或更大并且小于6微米。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述电路层还包括设置在所述至少一个有机绝缘层和所述基体层之间的晶体管，并且其中，所述连接电极电连接到所述晶体管。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述至少一个有机绝缘层包括：第一有机绝缘层，设置在所述晶体管上；以及第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，其中，第一接触孔限定在所述第一有机绝缘层中，并且其中，所述第一接触孔在所述一个方向上的宽度的最小值是1.8微米或更大并且小于2.5微米。5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述连接电极包括设置在所述第一接触孔中的第一连接电极，并且其中，所述第一连接电极在所述一个方向上的上宽度是3.6微米或更大并且小于6微米。6.根据权利要求5所述的显示装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金渊俊，周振豪，崔钟炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：