基于不平衡电路的传导干扰抑制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了基于不平衡电路的传导干扰抑制电路，应用于不平衡电路或者脉冲电路的电磁干扰的抑制，不平衡电路导致共模电感的失效，进而使滤波同时失效，无法满足电磁兼容的要求。针对以上问题将器件进行新型的应用，最终满足电磁兼容的要求。所述含有不平衡脉冲电路的特征、滤波电路的电路原理图、滤波电路的抑制效果及电路原理图中所用器件不同器件的特性及选用。的特性及选用。的特性及选用。

【技术实现步骤摘要】
基于不平衡电路的传导干扰抑制电路


[0001]本技术属于滤波器领域，具体涉及基于不平衡电路的传导干扰抑制电路。

技术介绍

[0002]电磁干扰的抑制，主要针对设备内部产生的电磁干扰通过在路径上增加线路的阻抗或者提供低阻抗的路径使得干扰不沿原回路返回，进而实现对同一供电系统的其他设备不造成影响。
[0003]一般电子设备的输入端口低电位线(直流设备的负极性、交流设备的N线)与金属机壳(大地)不连接，供电端口呈相反极性的一组导线流入、流出电流大小相等，设备对供电端口呈平衡电路。而对多个功能单元组成的复杂电子设备(功能集成化程度高，设备内部的模块数量大幅增加)，部分电路回路与地必须相连，以实现系统的公共参考电平或解决用电安全问题；该类设备对供电端口呈不平衡电路，部分电流会从就近的接地路径返回，导致供电端口呈相反极性电极的一组导线流出、返回电流大小不相等；不平衡电路所产生的剩余电流，会使该类设备供电线上的共模电感铁芯饱和，电感量大大减小，共模电感的电磁干扰抑制作用大大降低。
[0004]机载设备的环境要求，为了增大地平面，使设备的负与壳地相连，同时部分高压产品，以壳地为参考回路，实现其功能，导致供电端口的供电线和回路上的电流不平衡，导致共模器件失效。
[0005]随着电子技术的日益发展，航空、航天、军工等电气、电子设备对高集成化、小型化的要求越来越严格，为了保障设备能够在较小的功率下，满足正常的工作，设计采用脉冲工作的方式。电磁干扰主要是由di/dt、du/dt产生的，脉冲电路必然导致较大的di/dt或者du/dt产生，脉冲电路的电磁干扰的抑制也是急需解决的问题。
[0006]基于脉冲电路回线与壳体(地)短接特点、脉冲电路电源线的宽频传导干扰抑制要求与共模滤波高插入损耗要求的矛盾，提出了一种解决不平衡脉冲电路电磁干扰的实现方法。

技术实现思路

[0007]本技术所为了解决
技术介绍
中存在的技术问题，目的在于提供了基于不平衡电路的传导干扰抑制电路，采用差模电容、共模电感和共模电容结合的方式，同时采用电感的抗饱和设计方法，对脉冲宽频干扰进行有效抑制，解决了不平衡脉冲电路的电磁干扰抑制的问题。
[0008]为了解决技术问题，本技术的技术方案是：
[0009]基于不平衡电路的传导干扰抑制电路，包括：电源和负载，还包括：滤波电路；所述电源连接滤波电路的输入端，所述滤波电路的输出端连接负载；
[0010]所述滤波电路包括：共模电感L1、共模电感L2、共模电感L3、共模电容Cy3、共模电容Cy4和差模电容Cx1；
[0011]所述共模电感L1的1脚和2脚接入电源，所述共模电感L1的3脚和3＇脚接地，所述共模电感L1的1＇脚连接共模电感L2的1脚，所述共模电感L1的2＇脚连接共模电感L2的2脚，所述共模电感L2的1＇脚接共模电感L3的1脚，所述共模电感L2的2＇脚接共模电感L3的2脚，所述共模电感L3的1＇脚和2＇脚接入负载；所述共模电容Cy3的一端接入共模电感L3的1＇脚，共模电容Cy3的另一端接地；所述差模电容Cx1的两端接入共模电感L3的1＇脚和2＇脚；所述共模电容Cy4的一端接入共模电感L3的2＇脚，共模电容Cy4的另一端接地。
[0012]可以理解：使用现有的器件的特性，同时结合应用电路的特性进行综合设计，解决器件饱和导致的滤波失效的问题。低频的干扰的抑制多采用差模电容、抗饱和器件的较大的直流电阻及共模电感的漏感的特性，高频的干扰抑制采用抗饱和的共模器件及共模电容抑制高频的共模干扰，将器件的应用频段与干扰的表现频段较好的结合，进而达到干扰抑制的效果。主要针对电压<40VDC的CE102 10kHz～10MHz频段范围内的脉冲干扰的传导干扰抑制；共模电感L1主要针对高频耦合的共模干扰的抑制；共模电感L2主要解决脉冲信号的饱和及100kHz～10MHz的共模干扰的抑制；共模电感L3和Cx1主要是针对10kHz～100kHz的低频的干扰的抑制。
[0013]进一步，所述滤波电路还包括：共模电容Cy1和共模电容Cy2；所述共模电容Cy1的两端接入共模电感L1的1脚和3脚，所述共模电容Cy2的两端接入共模电感L1的1脚和2脚。
[0014]进一步，所述共模电感L1为1uH～50uH，所述共模电感L2为0.5mH～5mH，所述共模电感L3为50uH～800uH。
[0015]进一步，所述共模电容Cy1为0.001uF～0.1uF，所述Cy2为0.001uF～0.1uF，所述共模电容Cy3为0.001uF～0.1uF，所述共模电容Cy4为0.001uF～0.1uF，所述差模电容Cx1为0.1uF～100uF。
[0016]进一步，所述共模电感L1采用三相共模电感。
[0017]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0018]本技术较好的使用现有的器件的特性，同时结合应用电路的特性进行综合设计，解决器件饱和导致的滤波失效的问题。低频的干扰的抑制多采用差模电容、抗饱和器件的较大的直流电阻及共模电感的漏感的特性，高频的干扰抑制采用抗饱和的共模器件及共模电容抑制高频的共模干扰，将器件的应用频段与干扰的表现频段较好的结合，进而达到干扰抑制的效果。
[0019]针对电压<40VDC的CE102 10kHz～10MHz频段范围内的脉冲干扰的传导干扰抑制；共模电感L1、L2及共模电容Cy1、Cy2、Cy3、Cy4主要针对100kHz～10MHz高频耦合的共模干扰的抑制；共模电感L3和Cx1主要是针对10kHz～100kHz的低频的干扰的抑制。
附图说明
[0020]图1、本技术不平衡脉冲电路的原理图；
[0021]图2、电磁干扰的特征图；
[0022]图3、CM和DM的分布图；
[0023]图4、抗饱和电感器件的频率特性图；
[0024]图5、电容器件的频率特性图；
[0025]图6、本技术滤波电路的连接关系图；
[0026]图7、电磁干扰的抑制效果图；
[0027]图8、滤波电路的插入损耗数据图。
具体实施方式
[0028]下面结合实施例描述本技术具体实施方式：
[0029]需要说明的是，本说明书所示意的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。
[0030]同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。
[0031]实施例1
[0032]如图6所示，基于不平衡电路的传导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于不平衡电路的传导干扰抑制电路，包括：电源和负载，其特征在于，还包括：滤波电路；所述电源连接滤波电路的输入端，所述滤波电路的输出端连接负载；所述滤波电路包括：共模电感L1、共模电感L2、共模电感L3、共模电容Cy3、共模电容Cy4和差模电容Cx1；所述共模电感L1的1脚和2脚接入电源，所述共模电感L1的3脚和3＇脚接地，所述共模电感L1的1＇脚连接共模电感L2的1脚，所述共模电感L1的2＇脚连接共模电感L2的2脚，所述共模电感L2的1＇脚接共模电感L3的1脚，所述共模电感L2的2＇脚接共模电感L3的2脚，所述共模电感L3的1＇脚和2＇脚接入负载；所述共模电容Cy3的一端接入共模电感L3的1＇脚，共模电容Cy3的另一端接地；所述差模电容Cx1的两端接入共模电感L3的1＇脚和2＇脚；所述共模电容Cy4的一端接入共模电感L3的2＇脚，共模电容Cy4的另一端接地。2.根据权利要求1所述的基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱添，高亚慧，王咏佳，李英杰，
申请(专利权)人：西安开容电子技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：