本发明专利技术公开了一种晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构，该晶圆级器件封装结构包括若干个第一器件、围挡层、封盖层、塑封层和引出部，第一器件包括声表面波滤波器，声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘，塑封层包覆若干第一器件，并使塑封层的正面与第一器件的正面平齐，围挡层设于塑封层和第一器件的正面，并具有裸露焊盘的第一通孔和裸露功能区的第二通孔，封盖层设于围挡层上，并具有与第一通孔配合相通的第三通孔，封盖层与第二通孔围合形成空腔，第一通孔和第三通孔内填充金属构成与焊盘相接的导电结构，引出部与导电结构连接，实现轻薄化和高度集成化的封装。实现轻薄化和高度集成化的封装。实现轻薄化和高度集成化的封装。
【技术实现步骤摘要】
晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构
[0001]本专利技术涉及器件封装领域，尤其涉及一种晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构。
技术介绍
[0002]伴随着5G时代的来临，移动设备能够使用的频段逐渐增多，射频前端器件的数量增加导致手机内PCB空间紧张，这使得智能手机在满足5G性能下，需要向轻薄化和高集成化方向发展。由于射频模组的现有工艺精度和物料特征，限制了射频模组轻薄化小型化的进一步发展。
[0003]现有的射频器件封装过程中需将每个射频器件分别焊接在PCB板中，效率低的同时射频器件所占用的PCB板的面积较大，并且若需集成声表面波滤波器，则需要先完成声表面波滤波器的封装，再将其焊接在PCB板中与其他射频器件集成封装在一起，因此导致成本高，难以实现轻薄化和高集成化。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构。
[0005]为了实现以上目的，本专利技术的技术方案为：
[0006]一种晶圆级器件封装结构的制作方法，包括以下步骤：
[0007]1)于临时载板表面形成粘合层；将若干个第一器件的正面通过所述粘合层键合于所述临时载板上，所述第一器件包括声表面波滤波器，其中所述声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘；
[0008]2)形成包覆所述若干个第一器件的塑封层；
[0009]3)去除临时载板和粘合层，裸露出所述第一器件的正面以及所述塑封层的正面，所述塑封层的正面与所述第一器件的正面平齐；
[0010]4)于所述第一器件和所述塑封层的正面形成第一绝缘层，蚀刻第一绝缘层形成裸露所述焊盘的第一通孔和裸露所述功能区的第二通孔，以构成围挡层；
[0011]5)在所述围挡层上方形成第二绝缘层，第二绝缘层与所述第二通孔围合形成空腔，蚀刻第二绝缘层形成与第一通孔配合相通的第三通孔，以构成封盖层；
[0012]6)于第一通孔和第三通孔内填充金属形成与焊盘相接的导电结构；
[0013]7)在所述封盖层上方形成引出部以连接所述导电结构。
[0014]作为优选，所述步骤1还包括：
[0015]将第二器件的正面叠放于其中一个所述第一器件上方，所述第二器件的正面设有焊盘；
[0016]所述步骤2中所述塑封层还包覆在所述第二器件的周围；
[0017]所述步骤3中移除所述临时载板后，还裸露出所述第二器件的焊盘；
[0018]所述步骤4中蚀刻所述第一绝缘层还形成裸露所述第二器件的焊盘的第一通孔。
[0019]作为优选，所述第二器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。
[0020]作为优选，所述其他第一器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。
[0021]作为优选，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均采用感光有机干膜，所述步骤5中所述围挡层的制作步骤如下：
[0022]将所述第一绝缘层贴合于所述第一器件和塑封层的正面，并通过曝光、显影在所述第一绝缘层中形成所述第一通孔和第二通孔；
[0023]所述步骤6中所述封盖层的制作步骤如下：
[0024]将所述第二绝缘层贴合于所述围挡层上，并通过曝光、显影在所述第二绝缘层中形成所述第三通孔。
[0025]作为优选，所述步骤7具体包括：
[0026]在所述封盖层上形成介质层，在介质层上涂覆光阻，对所述光阻曝光、显影，并对所述介质层进行蚀刻，形成布线图案；
[0027]通过电镀工艺对所述布线图案进行金属填充，形成与所述导电结构连接的金属布线层，所述金属布线层与所述介质层构成重布线层；
[0028]在所述重布线层上制作UBM层及其上方的焊块。
[0029]作为优选，所述重布线层为多层。
[0030]作为优选，所述步骤7之后还包括：
[0031]将所述步骤7得到的结构进行切割，得到包含至少一个声表面波滤波器以及至少一个其他第一器件的封装体结构。
[0032]一种晶圆级器件封装结构，包括若干个第一器件、围挡层、封盖层、塑封层和引出部，所述第一器件包括声表面波滤波器，其中所述声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘，所述塑封层包覆所述若干个第一器件，并使所述塑封层的正面与所述第一器件的正面平齐，所述围挡层设于所述塑封层和所述第一器件的正面，并具有裸露所述焊盘的第一通孔和裸露所述功能区的第二通孔，所述封盖层设于所述围挡层上，并具有与所述第一通孔配合相通的第三通孔，所述封盖层与所述第二通孔围合形成空腔，所述第一通孔和第三通孔内填充金属构成与所述焊盘相接的导电结构，所述引出部设于所述封盖层上，并与所述导电结构连接。
[0033]作为优选，还包括叠放于其中一个所述第一器件上方的第二器件，所述塑封层还包覆在所述第二器件的周围，所述第二器件的正面设有焊盘，所述第二器件的焊盘从所述塑封层的正面裸露出，并与所述导电结构相接。
[0034]作为优选，所述第二器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。
[0035]作为优选，所述其他第一器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。
[0036]作为优选，所述围挡层和所述封盖层均采用感光有机干膜。
[0037]作为优选，所述引出部包括重布线层、UBM层和焊块，所述重布线层包括与所述导电结构连接的金属布线层及其周围的介质层，所述UBM层设于重布线层上并与所述金属布线层连接，所述焊块设于所述UBM层上。
[0038]一种封装体结构，所述封装体结构通过将上述的晶圆级器件封装结构切割得到，每个所述封装体结构包含至少一个声表面波滤波器以及至少一个其他第一器件。
[0039]相比于现有技术，本专利技术的有益效果为：
[0040](1)本专利技术能够直接将声表面波滤波器的裸芯片与其他第一器件同时进行集成封装，提高封装效率，且实现射频模组高集成化、轻薄化。
[0041](2)本专利技术可将第二器件与第一器件重叠设置，并在第二器件的焊盘延伸至围挡层并与导电结构连接，因此可在有限封装面积集成更多器件，有效提高封装空间利用率。
附图说明
[0042]图1
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12为本申请的实施例一的晶圆级器件封装结构的制作方法的流程示意图；
[0043]图13为本申请的实施例二的晶圆级器件封装结构的示意图；
[0044]附图标记：1、临时载板；11、粘合层；2、围挡层；21、导电结构；23、第一通孔；24、第二通孔；25、第一绝缘层；3、封盖层；31、第三通孔；32、第二绝缘层；41、金属布线层；42、介质层；43、UBM层；44、焊块；5、声表面波滤波器；51、焊盘；52、空腔；53、功能区；6、功率放大器；7、开关器件；8、被动器件；9、塑封层。
具体实施方式
[0045]以下结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步解释。本专利技术的各附图仅为示意以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)于临时载板表面形成粘合层；将若干个第一器件的正面通过所述粘合层键合于所述临时载板上，所述第一器件包括声表面波滤波器，其中所述声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘；2)形成包覆所述若干个第一器件的塑封层；3)去除临时载板和粘合层，裸露出所述第一器件的正面以及所述塑封层的正面，所述塑封层的正面与所述第一器件的正面平齐；4)于所述第一器件和所述塑封层的正面形成第一绝缘层，蚀刻第一绝缘层形成裸露所述焊盘的第一通孔和裸露所述功能区的第二通孔，以构成围挡层；5)在所述围挡层上方形成第二绝缘层，第二绝缘层与所述第二通孔围合形成空腔，蚀刻第二绝缘层形成与第一通孔配合相通的第三通孔，以构成封盖层；6)于第一通孔和第三通孔内填充金属形成与焊盘相接的导电结构；7)在所述封盖层上方形成引出部以连接所述导电结构。2.根据权利要求1所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤1还包括：将第二器件的正面叠放于其中一个所述第一器件上方，所述第二器件的正面设有焊盘；所述步骤2中所述塑封层还包覆在所述第二器件的周围；所述步骤3中移除所述临时载板后，还裸露出所述第二器件的焊盘；所述步骤4中蚀刻所述第一绝缘层还形成裸露所述第二器件的焊盘的第一通孔。3.根据权利要求2所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述第二器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述其他第一器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。5.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均采用感光有机干膜，所述步骤5中所述围挡层的制作步骤如下：将所述第一绝缘层贴合于所述第一器件和塑封层的正面，并通过曝光、显影在所述第一绝缘层中形成所述第一通孔和第二通孔；所述步骤6中所述封盖层的制作步骤如下：将所述第二绝缘层贴合于所述围挡层上，并通过曝光、显影在所述第二绝缘层中形成所述第三通孔。6.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤7具体包括：在所述封盖层上形成介质层，在介质层上涂覆光阻，对所述光阻曝光、显影，并对所述介质层进行蚀刻，形成布线图案；通过电镀工艺对所述布线图案进行金属填充，形成与所述导电结构连接的金属布线层，所述金...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岩，种兆永，吴炳财，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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