处理晶圆的方法、装置、设备、存储介质及系统制造方法及图纸

本公开实施例提供一种处理晶圆的方法、装置、设备、存储介质及系统，其中，所述方法包括：获取当前批次晶圆的调度路径；其中，所述调度路径中包括对所述当前批次晶圆进行处理的至少一个调度站点和各所述调度站点之间的调度顺序；确定每一所述调度站点分别对应的工艺程式；其中，具有相同工艺条件的至少两个调度站点对应的工艺程式相同；基于所述调度顺序，依次调度每一所述调度站点执行所述调度站点对应的工艺程式，以对所述当前批次晶圆进行工艺处理。处理。处理。

【技术实现步骤摘要】
处理晶圆的方法、装置、设备、存储介质及系统


[0001]本公开涉及半导体
，本公开涉及但不限于一种处理晶圆的方法、装置、设备、存储介质及系统。

技术介绍

[0002]半导体制程中涉及对晶圆进行的多种处理，例如，光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积和化学机械研磨等工艺处理。每批晶圆处理可能多达上千个步骤。在晶圆进行处理之前，会根据产品要求预先进行制程程式的配置。在实际应用中，制程程式的配置可以是配置拟对晶圆进行处理的流程式(flow recipe)，并在流程式中配置拟对晶圆进行处理的各个步骤对应的子程式。流程式可以定义晶圆预定经过的各个调度站点，子程式可以定义晶圆在各个调度站点执行的工艺程式、检测程式等等。
[0003]然而，在配置流程式时，晶圆预定经过的调度站点数量多，各调度站点执行的子程式的条件复杂。这使得配置制程程式的成本较高，并且配置的制程程式数量较多，导致占用了较多的存储内存。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种处理晶圆的方法、装置、设备、存储介质及系统，至少用于减少制程程式对存储内存的占用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括：获取当前批次晶圆的调度路径；其中，所述调度路径中包括对所述当前批次晶圆进行处理的至少一个调度站点和各所述调度站点之间的调度顺序；确定每一所述调度站点分别对应的工艺程式；其中，具有相同工艺条件的至少两个调度站点对应的工艺程式相同；基于所述调度顺序，依次调度每一所述调度站点执行所述调度站点对应的工艺程式，以对所述当前批次晶圆进行工艺处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定每一所述调度站点分别对应的工艺程式，包括：查询第一匹配关系，确定每一所述调度站点对应的工艺程式；其中，所述第一匹配关系表征调度站点与工艺程式之间的对应关系。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定每一所述调度站点对应的检测程式；针对每一所述调度站点，在调度所述调度站点执行所述调度站点对应的工艺程式之后，调度所述调度站点执行所述调度站点对应的检测程式，以对工艺处理之后的所述当前批次晶圆进行检测处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定每一所述调度站点对应的检测程式，包括：查询第二匹配关系，确定每一所述调度站点对应的检测程式；其中，所述第二匹配关系表征调度站点与检测程式之间的对应关系。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定每一所述调度站点对应的目标检测比率；所述调度所述调度站点执行所述调度站点对应的检测程式，以对工艺处理之后的所述当前批次晶圆进行检测处理，包括：基于所述调度站点对应的目标检测比率，调度所述调度站点执行所述调度站点对应的检测程式。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述确定每一所述调度站点对应的目标检测比率，包括：查询第三匹配关系，确定每一所述调度站点对应的目标检测比率；其中，所述第三匹配关系表征调度站点与目标检测比率之间的对应关系。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：针对每一所述调度站点，获取至少一批历史批次晶圆在所述调度站点进行检测处理所耗费的第一等待时长，并基于所述第一等待时长，更新与所述调度站点对应的目标检测比率；基于至少一个所述调度站点对应的更新后的目标检测比率，对所述第三匹配关系进行更新。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一等待时长，更新与所述调度站点对应的目标检测比率，包括：在所述第一等待时长大于第一时长阈值的情况下，降低与所述调度站点对应的目标检
测比率；在所述第一等待时长小于或等于第二时长阈值的情况下，增大与所述调度站...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓方，李朝阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：