荧光体的制造方法技术

基于本发明专利技术的实施例的荧光体的制造方法可以包括以下步骤：沿着格子状的切割线，在荧光体晶片的一面形成切割沟槽的步骤；在所述切割沟槽中填充具有流动性的粘合材料的步骤；使所述粘合材料凝固的步骤；缩小与形成有所述切割沟槽的面相反的面的厚度，并使沿着所述切割线分割的多个独立荧光体与连接其之间的所述粘合材料成为一体化形态的步骤；及以仅使所述分割的独立荧光体残留的方式去除所述粘合材料的步骤。料的步骤。料的步骤。

【技术实现步骤摘要】
荧光体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种荧光体的制造方法。更详细而言，涉及一种作为改变从LE D芯片发射的光的波长的颜色转换部件的荧光体的制造方法。

技术介绍

[0002]在韩国专利第2243674号中公开有将颜色转换部件制造成薄且宽的晶片(Wafer)的形态之后，作为后加工工序，将其分割为多个小荧光体的过程。在将晶片分为非常小的荧光体的过程即切割(Dicing)或磨削(Grinding)等过程中，晶片有可能受损或小荧光体芯片的一部分有可能从工作台脱离。
[0003]尤其，在适用用图8所示的切割刀片(Dicing Blade)直接分割晶片的过程的情况下，该问题可能会更明显地出现。在进行作业时，将晶片载置于环状的晶片环(Wafer Ring)与固定于晶片环的内侧的圆盘状的UV胶带上。UV胶带的上表面涂布有粘合物质，因此能够固定晶片。首先，进行使大致1.5mm厚度的晶片成为0.1至0.2mm的磨削作业之后，利用切割刀片将晶片切成格子状。晶片的荧光粒子因切割刀片而被破碎并切断，在该过程中发生荧光体的侧面被凹凸不平地破碎的碎裂(Chip本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种荧光体的制造方法，其包括以下步骤：沿着格子状的切割线，在荧光体晶片的一面形成切割沟槽的步骤；在所述切割沟槽中填充具有流动性的粘合材料的步骤；使所述粘合材料凝固的步骤；缩小与形成有所述切割沟槽的面相反的面的厚度，并使沿着所述切割线分割的多个独立荧光体与连接其之间的所述粘合材料成为一体化形态的步骤；及以仅使所述分割的独立荧光体残留的方式去除所述粘合材料的步骤。2.根据权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，所述粘合材料为蜡，所述填充粘合材料的步骤为将进行加热而具有流动性的蜡填充于所述切割沟槽中的步骤，所述凝固的步骤为将所述蜡在室温下放置一定时间的步骤，所述去除粘合材料的步骤为在所述粘合材料中加入溶剂而使所述粘合材料溶解的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：李星玧，金淳珉，河宗佑，
申请(专利权)人：罗茨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：