一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法技术

技术编号:37161365 阅读:12 留言:0更新日期:2023-04-06 22:26
本申请实施例提供一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法,涉及电子产品散热技术领域,半导体结构,包括半导体器件、键合层、衬底和导电通孔,以及金属层,其中,半导体器件通过键合层被设置在衬底的上表面上,金属层被设置在衬底的下表面上,衬底包括基板、形成于基板内的凹槽,以及被收容在凹槽中的金刚石,导电通孔贯通衬底、键合层以及半导体器件的至少一部分,并与金属层电连接,凹槽绕过导电通孔。电通孔。电通孔。电通孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:赫然焦慧芳
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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