一种保护用自主芯片可靠性预计方法技术

本发明专利技术公开了一种保护用自主芯片可靠性预计方法，涉及电力系统继电保护领域，能对保护装置芯片的失效率预计提供一定的参考。首先，基于高加速实验相关标准，对其进行加速实验设计，实验应力包括温度、湿度、电压、振动等；其次，针对不同的加速实验类型，构建相应的加速模型，计算实验条件下的加速因子，并据此预计芯片的基本失效率；最后，基于SN29500标准，得出参考条件与应用条件相对应的失效率计算模型，修正基本失效率，从而预计实际运行环境下的芯片失效率，实现了保护用自主芯片的可靠性预计。性预计。性预计。

【技术实现步骤摘要】
一种保护用自主芯片可靠性预计方法


[0001]本专利技术涉及电力系统继电保护
，尤其是涉及一种保护用自主芯片可靠性预计方法。

技术介绍

[0002]随着电网规模的扩大，电网结构日益复杂，近年来大型互联电网频繁发生重大事故，保护装置作为保障电力系统安全稳定运行的第一道防线，其可靠性对电网安全至关重要。但保护装置元器件损坏、老化等会导致保护装置丧失对电网进行控制和监测的功能，从而影响电网的安全稳定性。芯片是构成保护装置的基础，保护装置中CPU、DSP(数字音频处理器)、FPGA(可编辑门整列)、存储芯片、ADC(模数转换器)、电源芯片等核心元器件电子设备对温度等外界环境均非常敏感，如果外界环境达到一定程度，就会影响元器件使用寿命或直接导致电子元器件工作失效，最终影响整个继电保护装置的工作。掌握保护装置芯片的失效率，可系统分析保护装置可靠性以及可靠性的影响因素，分析保护装置老化导致的可靠性降低，对于指导保护装置的大修、技改等具有重要意义。
[0003]进口芯片有多年电力系统应用经验，失效率能直接给出，并可经过在运保护装置运行情况数据统计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
温度综合加速因子为：其中，(K
TC
)
U
表示使用条件下的热应力因子；(K
TC
)
T
表示测试条件下的热应力因子；V
use
为使用温度变化速率(K/min)；V
test
为使用温度变化速率(K/min)。4.根据权利要求2所述的一种保护用自主芯片可靠性预计方法，其特征在于：所述步骤S3中，振动实验相关的加速因子模型方程为：其中，W
test
为加速实验中的振动的峰值加速度(g)；W
use
为使用环境的振动的峰值加速度(g)；m＝4；温湿度实验相关的加速因子模型方程式为：n为湿度项反应速率常数；H
A
为实验相对湿度；H
U
为自然贮存相对湿度；电应力相关的加速因子模型方程式为：β为电压加速常数；V
stress
为实验时应力电压；V
use
为正常使用电压；综合加速因子模型方程式为：N
s
：应力水平数；在应力i作用下各失效模式加速因子的乘积；A
i
：各应力下的加速因子。5.根据权利要求1所述的一种保护用自主芯片可靠性预计方法，其特征在于，所述步骤S4中，基本失效率FIT的计算公式为：其中，χ2为期望置信水平和(2p+...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛安成，洪海雁，刘宇，景子洋，夏烨，李仲青，王雨茜，吴超，李伟，喇军，
申请(专利权)人：国家电网有限公司中国电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：