一种DC-DC转换降压软开关电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种ＤＣ－ＤＣ转换降压软开关电路，包括ＮＭＯＳ管Ｑ４、电感Ｌ１４、Ｌ８，电容Ｃ９、Ｃ１１，二极管Ｄ１１～Ｄ１３，ＮＭＯＳ管Ｑ４接通后，Ｖｉｎ输入端通过Ｃ１１、Ｄ１３、Ｌ１４、Ｃ９、Ｑ４回路给Ｃ９充电，其中二极管Ｄ１２在上次续流完后处于钳位，当Ｑ４关断后，Ｃ９上电压为Ｖｉｎ输入电压，Ｑ４的漏极和源极电压为零。本实用新型专利技术的有益效果是使用较少的电子元器件实现了开关管零电压关断。从而有效的降低了电磁干扰，和实现了ＮＭＯＳ管关断零损耗。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于高强度气体放电灯的电子镇流器。
技术介绍
目前，常见的DC-DC降压转换电路中基本上是使用硬开关电路，然而 传统电力中由于MOSFET在关断时漏极和源极电压会瞬间变的很高，从而 产生很多害处。 一是产生大量的电磁干扰，因为漏极和源极电压是从瞬间 从零变为输入电压，电压变化率很高，从而使产品的EMC即电磁兼容难 以通过。二是开关损耗很大，因为关断会产生很大的热量使电源的效率降 低，从而减少了电源的使用寿命。所以，目前我们就需要一种损耗、干扰 小的降压转换软开关电路。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术公开了一种DC-DC转换降压软开关电 路，包括NMOS管Q4、电感L14、 L8，电容C9、 Cll， 二极管D11 D13， NMOS管Q4接通后，vin输入端通过Cll、 D13、 L14、 C9、 Q4回路给 C9充电。因为电容电压不可突变，所以在NMOS管Q4关断时源极和漏极 的电压为零，损耗也就为零。本技术的有益效果为使用较少的电子元器件实现了开关管零电 压关断。从而有效的降低了电磁干扰，和实现了NMOS管关断零损耗。附图说明图1为现有技术一实施例电路原理图2为现有技术另一种实施例电路原理图3为图1采用本技术的实施例电路原理图4为图2采用本技术的实施例电路原理图5为现有技术中MOSFET的源极和漏极的电压波形与栅极的驱动波形；图6为本技术中MOSFET的源极和漏极的电压波形与栅极的驱动 波形。具体实施方式为了使本技术更容易被理解，下面我们结合附图来做更详细的解释。图1、图2为现有技术的电路原理图，其中Q3为NMOS管，当NMOS 管Q3开通时，漏极和源极电压为Vin，因为在Q3关断的时候，D10续流 导通，Q3的源极电压为零。而当NMOS管Q3关闭时，由于关断后电感 L12的电流不可突变，所以D10持续导通对其进行续流，其管压降近似为 零，NMOS管Q3的漏极和源极电压突变为输入电压VIN。图5为现有技术中MOSFET的源极和漏极的电压波形与栅极的驱动波4形。图中线1为NMOS管Q3的漏极对源极的电压波形，线2为栅极的驱动波形，都是以时间为横轴，电压为纵轴的波形图。由波形可以看出，当NMOS管Q3开始关断的时候，漏极和源极电压已经升到Vin，而此时NMOS管Q3还有大电流流过。因此，参阅图l、图2、图5，由于NMOS管Q3的漏极和源极电压变化太快，即dV/dT很大，导致辐射出很大的干扰信号。又因为开关管的关断损耗是P。ff^IVdst。ff/T，所以当电压突变时关断损耗非常大，同时该损耗轻则使开关管发热降低效率，重则使开关击穿损坏。图3为图1采用本技术的实施例电路原理图，其中NMOS管Q4源极接冷地，漏极分别与电容C9、 二极管Dll正极、电感L8连接，C9另一端与二极管D12的正极和电感L14连接，二极管D12和Dll负极分别接输入端。电感L8和电感L14的另一端则分别与二极管D13正极和负极连接，同时电感L8的另一端与电容C11一端连接并接热地，而电容Cll另一端则接输出端。当NMOS管Q4开通时，Vin输入端通过Cll、 D13、L14、 C9、 Q4这个回路给C9充电，由于上次关断时，二极管D12续流完后处于钳位，所以电容C9上的电压为VIN极性上正下负。当NMOS管Q4关断时，由于电容C9电压为VIN且电容电压不可突变。因此，关断时，NMOS管Q4的源极和漏极的电压为0。图4为图2采用本技术的实施例电路原理图，其中NMOS管Q4漏极接输入端，源极分别接电感L8、电容C9、 二极管D11负极，C9另一端则与二极管D12负极和二极管D13正极连接，二极管D13负极与电感L14连接，二极管D12正极接冷地，电感L8和电感L14与电容C11 一端连接并接输出端，电容C11另一端接热地，二极管Dll正极则接冷地。当NMOS管Q4开通时，VIN输入端通过Q4、 C9、 D13、 L14、 Cll这个回路给C9充电，由于上次关断时，二极管D12续流完后处于钳位，所以电容C9上的电压为VIN极性上正下负。当NMOS管Q4关断时，由于电容C9电压为VIN且电容电压不可突变。因此，关断时，NMOS管Q4的源极和漏极的电压为零。图6为本技术中MOSFET的源极和漏极的电压波形与栅极的驱动波形。图中线1为NMOS管Q4的漏极对源极的电压波形，线2为栅极的驱动波形，都是以时间为横轴，电压为纵轴的波形图。由波形可以看出，NMOS管Q4开始关断完成以后，漏极和源极电压才缓慢升到VIN，此时NMOS管Q4在完成关断的过程中，漏极和源极电压为零。因此，参阅图4、图5、图6， NMOS管Q4的漏极和源极电压变化较慢，即dV/dT较小，造成的干扰小。同时由于关断损耗是P。FlVdst。ff/T，所以关断损耗为零。权利要求1. 一种DC-DC转换降压软开关电路，其特征在于，包括NMOS管Q4、电感L14、L8，电容C9、C11，二极管D11～D13，NMOS管Q4接通后，vin输入端通过C11、D13、L14、C9、Q4回路给C9充电，Q4关断后，C9上电压为VIN输入电压，Q4的漏极和源极电压为零；NMOS管Q4源极接冷地时，漏极分别与电容C9、二极管D11正极、电感L8连接，C9另一端与二极管D12的正极和电感L14连接，二极管D12和D11负极分别接输入端，电感L8和电感L14的另一端则分别与二极管D13正极和负极连接，同时电感L8的另一端与电容C11一端连接并接热地，而电容C11另一端则接输出端；NMOS管Q4漏极接输入端时，源极分别接电感L8、电容C9、二极管D11负极，C9另一端则与二极管D12负极和二极管D13正极连接，二极管D13负极与电感L14连接，二极管D12正极接冷地，电感L8和电感L14与电容C11一端连接并接输出端，电容C11另一端接热地，二极管D11正极则接冷地。2. 根据权利要求1所述一种DC-DC转换降压软开关电路，其特征在 于，二极管D12在上次续流完后处于钳位。专利摘要本技术涉及一种DC-DC转换降压软开关电路，包括NMOS管Q4、电感L14、L8，电容C9、C11，二极管D11～D13，NMOS管Q4接通后，Vin输入端通过C11、D13、L14、C9、Q4回路给C9充电，其中二极管D12在上次续流完后处于钳位，当Q4关断后，C9上电压为Vin输入电压，Q4的漏极和源极电压为零。本技术的有益效果是使用较少的电子元器件实现了开关管零电压关断。从而有效的降低了电磁干扰，和实现了NMOS管关断零损耗。文档编号H02M3/155GK201266886SQ20082014689公开日2009年7月1日 申请日期2008年8月27日 优先权日2008年8月27日专利技术者陈立新, 黄冬青 申请人:深圳市中电能投资管理有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＤＣ－ＤＣ转换降压软开关电路，其特征在于，包括ＮＭＯＳ管Ｑ４、电感Ｌ１４、Ｌ８，电容Ｃ９、Ｃ１１，二极管Ｄ１１～Ｄ１３，ＮＭＯＳ管Ｑ４接通后，ｖｉｎ输入端通过Ｃ１１、Ｄ１３、Ｌ１４、Ｃ９、Ｑ４回路给Ｃ９充电，Ｑ４关断后，Ｃ９上电压为ⅥＮ输入电压，Ｑ４的漏极和源极电压为零；　ＮＭＯＳ管Ｑ４源极接冷地时，漏极分别与电容Ｃ９、二极管Ｄ１１正极、电感Ｌ８连接，Ｃ９另一端与二极管Ｄ１２的正极和电感Ｌ１４连接，二极管Ｄ１２和Ｄ１１负极分别接输入端，电感Ｌ８和电感Ｌ１４的另一端则 分别与二极管Ｄ１３正极和负极连接，同时电感Ｌ８的另一端与电容Ｃ１１一端连接并接热地，而电容Ｃ１１另一端则接输出端；　ＮＭＯＳ管Ｑ４漏极接输入端时，源极分别接电感Ｌ８、电容Ｃ９、二极管Ｄ１１负极，Ｃ９另一端则与二极管Ｄ１２负极和二极管Ｄ １３正极连接，二极管Ｄ１３负极与电感Ｌ１４连接，二极管Ｄ１２正极接冷地，电感Ｌ８和电感Ｌ１４与电容Ｃ１１一端连接并接输出端，电容Ｃ１１另一端接热地，二极管Ｄ１１正极则接冷地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立新，黄冬青，
申请(专利权)人：深圳市中电能投资管理有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]